专利名称：等离子体处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体处理装置，特别是在半导体晶圆片等被处理基板上实施蚀刻等等离子体处理的等离子体处理装置。
背景技术：
目前，在半导体装置的制造领域中，使处理室内产生等离子体，将该等离子体作用于配置在处理室内的被处理基板(例如，半导体晶圆片等)上，并进行规定处理(例如蚀刻、成膜等)的等离子体处理装置得到了应用。
在这种等离子体装置上，要进行良好的处理，必需将等离子体的状态维持在适于进行等离子体处理的良好状态下。因此，目前，具备形成用于控制等离子体的磁场的磁场形成机构的等离子体装置很多。
作为这样的磁场形成机构，已知有偶极型(dipole)和多极型(multipole)。偶极型磁场形成机构对于被处理面向上、水平配置的半导体晶圆片等的被处理基板，在其上方形成一定方向的偶极磁场。另外，多极型磁场的形成机构对于被处理面向上、水平配置的半导体晶圆片等被处理基板，在其四周以包围半导体晶圆片等的方式配置多列，使N，S磁极邻接交互配置，半导体晶圆片的上方不形成磁场，而围绕其周围形成多极磁场。
如上所述，目前，已知一种等离子体处理装置，它在处理室内的半导体晶圆片等被处理基板的周围，形成规定的多极磁场，通过该多极磁场持续控制等离子体的状态，进行蚀刻等的等离子体处理。
然而，本案发明者们经详细调查后判明等离子体处理(例如等离子体蚀刻等)中，有以下两种工艺。
一种工艺是在上述形成多极磁场的状态下进行等离子体蚀刻处理，蚀刻速度的面内均一性有所提高的工艺。另一种工艺是在没有多极磁场的状态下进行等离子体处理，比在形成了多极磁场的状态下进行等离子体处理，蚀刻速度的面内均一性有所提高的工艺。
例如，在进行硅氧化膜等蚀刻的工艺中，形成多极磁场进行蚀刻的情况比不形成多极磁场而进行蚀刻的情况，能提高半导体晶圆片的蚀刻速率(蚀刻速度)的面内均一性。在该工艺中，没有形成多极磁场而进行蚀刻的情况下，会产生如下蚀刻速率的不均一性半导体晶圆片中央部分蚀刻速度变高，而半导体晶圆片的周边部分蚀刻速度变低。
另一方面，在进行有机系的低介电常数膜(所谓low-K)等蚀刻的工艺中，没有形成多极磁场进行蚀刻的工艺比形成了多极磁场再进行蚀刻的工艺，能提高半导体晶圆片面内的蚀刻速率的均一性。在该工艺中，形成了多极磁场再进行蚀刻的情况下，会产生如下蚀刻速率的不均一性半导体晶圆片的中央部分蚀刻速度变低，而半导体晶圆片的周边部分蚀刻速度变高。
在此，如果上述的磁场形成机构是由电磁体组成的话，可以容易地进行磁场的形成及消除等控制。但是，使用电磁体，会产生耗电增大的问题。所以，在许多装置上如上所述是使用永久磁体。
可是，如果使用永久磁体，磁场的形成及消除等控制必须进行装卸磁场形成装置等作业，因而存在不易作业的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置，它可以根据等离子体处理工艺的种类，适当地控制或者设定多极磁场的状态，以便进行良好处理。
本发明是具有如下结构的等离子体处理装置容纳被处理基板的处理室；设在处理室内，在上述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构；由多个永久磁体组成的磁体块排列构成，设在上述处理室外，在上述处理室内的上述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构，其特征在于，通过改变上述磁体块的相对位置，可以控制在上述处理室内的上述被处理基板周围形成的多极磁场的强度。
另外，本发明是具有如下结构的等离子体处理装置容纳被处理基板的处理室；设在处理室内，在上述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构；由多个永久磁体组成的磁体块排列构成，设在上述处理室外，在上述处理室内的上述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构，其特征在于，上述磁体块中的至少一部分，可以在垂直方向的转动轴周围转动从而改变磁极方向。
另外，本发明的特征在于，上述磁场形成机构构成为将相邻的上述磁体块分别以相反的回转方向转动，或者，上述磁体块全部以相同方向转动，或者，在上述磁体块中，仅仅每隔一个的磁体块以规定的方向转动。另外，本发明的特征还在于，构成为上述磁场形成机构通过由相邻设置的多个上述磁体块组成的磁体块组，形成上述规定的多极磁场中的一个磁极，构成上述一个磁体块组的多个上述磁体块，以同方向同步转动。另外，本发明的特征还在于，通过转动上述磁体块，可以设定在上述处理室内的上述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的状态和在上述处理室内的上述被处理基板的周围不形成规定的多极磁场的状态。
另外，本发明是具有如下结构的等离子体处理装置容纳被处理基板的处理室；设在处理室内，在上述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构；由多个永久磁体组成的磁体块排列构成，设在上述处理室外，在上述处理室内的上述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构，其特征在于，上述磁场形成机构由上下分离设置的上侧磁场形成机构和下侧磁场形成机构组成，构成为该上侧磁场形成机构和下侧磁场形成机构相互接近、分离，可以在上下方向上移动。
另外，本发明是具有如下结构的等离子体处理装置容纳被处理基板的处理室；设在处理室内，在上述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构；由多个永久磁体组成的磁体块排列构成，设在上述处理室外，在上述处理室内的上述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构，其特征在于，上述磁场形成机构是由上下分离设置的上侧磁场形成机构和下侧磁场形成机构组成，构成为设在上述上侧磁场形成机构上的上述磁体块和设在上述下侧磁场形成机构上的上述磁体块可以在水平方向的转动轴的周围转动，可以设定成直立状态和倾斜状态。
另外，本发明是具有如下结构的等离子体处理装置容纳被处理基板的处理室；设在处理室内，在上述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构；由多个永久磁体组成的磁体块排列构成，设在上述处理室外，在上述处理室内的上述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构，其特征在于，构成为上述磁体块可以接近、离开上述处理室地移动。
另外，本发明的特征在于，上述磁体块可做成近似圆筒的形状。
图1是表示本发明的等离子体处理装置的一个实施方式的概略构成图。
图2是表示图1的等离子体处理装置的磁场形成机构的概略构成图。
图3是为了说明图1的等离子体处理装置的磁体块的转动动作的图。
图4是表示图1的等离子体处理装置的磁场强度状态的图。
图5是表示蚀刻速度的面内分布与磁场之间关系的图。
图6是表示蚀刻速度的面内分布与磁场之间关系的图。
图7是表示蚀刻速度的面内分布与磁场之间关系的图。
图8是表示磁体块的变形例的结构图。
图9是表示磁体块的转动动作的变形例的图。
图10是表示磁体块的转动动作的变形例的图。
图11是表示磁体块的变形例的结构的图。
图12是表示磁场形成机构的变形例的结构的图。
图13是表示磁场形成机构的变形例的结构的图。
图14是表示磁场形成机构的变形例的结构的图。
具体实施例方式
下面，参照附图，针对实施方式来说明本发明的细节。
图1是表示将本发明用于进行半导体晶圆片蚀刻的等离子体蚀刻装置的实施方式的结构示意图。符号1表示材质由例如铝等组成，能够气密性地闭塞内部的真空室。该真空室1为圆筒形，其内部空间被当作等离子体处理室使用。
上述真空室1是由直径小的上部1a和直径大的下部1b组成的有层次的圆筒形状，与接地电位相连接。另外，真空室1的内部设置支撑台(基座)2，使作为被处理基板的半导体晶圆片W的被处理面向上，大致水平地支撑。
该支撑台2由例如铝等的材质构成，经过陶瓷等的绝缘板3被导体支撑台4支撑。另外，在支撑台2的上方外缘设置由导电性材料或者绝缘性材料形成的聚焦环5。
在上述支撑台2的半导体晶圆片W的载放面上，设置静电吸附半导体晶圆片W的静电吸盘6(chuck)。该静电吸盘6在绝缘体6b之间配置电极6a，电极6a连接直流电源13。而且通过从电源13向电极6a上施加电压，利用例如库仑力半导体晶圆片W就会被吸附。
另外，在支撑台2上设置用于循环冷媒的冷媒通路(未图示)和为使来自冷媒的冷热高效地传递给半导体晶圆片W而向半导体晶圆片W的里面提供氦气的气体导入机构(未图示)。利用这些冷媒通路和气体导入机构，就可以将半导体晶圆片W控制到所希望的温度。
上述支撑台2和支撑台4借助含有丝杠的丝杠机构就能够升降。支撑台4下方的驱动部分被不锈钢(SUS)制的波纹管8所覆盖，在波纹管8的外侧设有波纹管罩9。
另外，在支撑台2的大致中央部位，连接供给高频电力的供电线12。该供电线12连接匹配盒11和高频电源10。从高频电源10向支撑台2供给频率范围为13.56～150MHz，优选频率范围为13.56～100MHz，例如100MHz的高频电力。另外，从提高蚀刻速率的观点来看，优选重叠用于生成等离子体的高频和用于引入等离子体中离子的高频，使用频率数为500KHz～13.56MHz范围内的电源作为引入离子(偏压电压控制)用的高频电源(未图示)。另外，该频率在蚀刻对象为硅氧化膜的情况下优选为3.2MHz，在蚀刻对象为多晶硅膜和有机材料的情况下优选为13.56MHz。
另外，在聚焦环5的外侧设置挡板14。挡板14通过支撑台4、波纹管8与真空室1电导通。
另一方面，在支撑台2的上方的真空室1的顶壁部分，与支撑台2平行相对地设置喷头16，该喷头被接地。由此，该支撑台2及喷头16就起到一对电极的作用。
上述的喷头16，下面设置有多个气体排出孔18，而且其上部具有气体导入部16a。另外在喷头16的内部形成气体扩散用的空隙17。气体导入部16a连接气体供给配管15a，该气体供给配管15a的另一端连接供给处理气体(蚀刻用的反应气体以及稀释气体等)的处理气体供给系统15。
作为反应气体，可以使用例如卤族类气体等，作为稀释气体可以使用Ar气、He气等通常在这个领域里使用的气体。这样的处理气体从处理气体系统15经过气体供给配管15a、气体导入部16a到达喷头16的气体扩散用空隙17，再从气体排出孔18排出。而且，该处理气体就会被提供给半导体晶圆片W上形成的膜的蚀刻。
另外，真空室1的下部1b的侧壁上形成排气端口19，排气系统20连接该排气口19。而且通过开动设在排气系统20上的真空泵，可以使真空室1内减压直至规定的真空度。另外，在真空室1的下部1b的侧壁上侧设置开关半导体晶圆片W搬入出口的活门24。
另一方面，在真空室1的上部1a的外围，与真空室1同心配置环形磁场形成机构(环形磁体)21，这样支撑台2和喷头16之间的处理空间周围就形成磁场。该磁场形成机构21借助转动机构25，可以在真空室1周围以规定速度整体转动。
如图2所示，上述磁场形成机构21由未图示的支撑部件支撑的永久磁体组成的、多个(图2中为16个)磁体块(segment)22构成。在图2所示的状态下，这些磁体块22向真空室1侧的磁极按S、N、S、N…交替排列配置。
即，在磁场形成机构21上，配置状况为如图2所示的状态，相邻的多个磁体块22的磁极方向相互反向。因此，磁力线就如图所示在相邻的磁体块22之间形成，在处理空间的周边部分，即真空室1内壁的近旁，形成例如0.02～0.2T(200～2000G)，优选是0.03～0.045T(300～450G)的磁场，半导体晶圆片W的中心部分实质上变成无磁场状态，这样多极磁场就被形成。
另外，这样规定磁场强度是因为，如果过强的话会造成漏磁，而过弱的话就不能起到封入等离子体的效果。所以，这样的数值是依据装置结构(材料)因素所决定的一个例子，不一定非要限定在此范围内。
另外，在上述的所谓半导体晶圆片W的中心部分实质上无磁场是指原本希望为0T，但只要不在半导体晶圆片W的配置部分上形成对蚀刻处理有影响的磁场，实质上对晶圆片处理不产生影响的值也可以。在如图2所示的状态下，在晶圆片周围部分施加例如磁通密度为420μT(4.2G)以下的磁场，封入等离子体的功能会被发挥。
另外，在本实施方式中，上述磁场形成机构21的各磁体块22借助未图示的磁体块转动机构，在磁场形成机构21内，以垂直方向的轴为中心，自由转动。即，如图2及图3(a)所示，从各磁体块22的磁极朝向真空室1侧的状态开始，如图3(b)、图3(c)所示，相邻的磁体块同步反向转动，所以相隔一个的磁体块22就变成同向转动。另外，图3(b)表示磁体块22转动了45度的状态，图3(c)表示磁体块22转动了90度的状态。
在图4的图线中，纵轴是磁场强度，横轴是距被配置在真空室1内的半导体晶圆片W中心的距离。该图4上的图线表示不同状态下的距半导体晶圆片W中心的距离与磁场强度之间的关系，这些状态为图3(a)所示的各个磁体块22的磁极朝向真空室1侧的状态(曲线A)、图3(b)所示的将各个磁体块22转动45度的状态(曲线B)、图3(c)所示的将各个磁体块22转动90度的状态(曲线C)。另外，同图所示的“D/S内径”是指真空室1内壁上所设的保护内壁用的部件(沉积护圈)的内径，实质地表示了真空室1(处理室)的内径。
如同图的曲线A所示，在各磁体块22的磁极朝向真空室1侧的情况下，多极磁场实质上形成至半导体晶圆片W的周边。另外，如曲线C所示，在将各个磁体块22转动90度的情况下，真空室1内实质上变为磁场未形成的状态(磁场强度约为零)。另外，如曲线B所示，在将各个磁体块22转动45度的情况下，会成为上述状态的中间状态。
这样，在本实施方式中，构成磁场形成机构21的各磁体块22能够同步转动，使得相邻的各个磁体块22的转动方向变为反向。而且，通过该磁体块22的转动，实质上，就能够设定在真空室1的半导体晶圆片W周围形成多极磁场的状态和在真空室1内的半导体晶圆片W的周围不形成多极磁场的状态。
所以，例如在进行上述硅氧化膜等的蚀刻时，在真空室1内的半导体晶圆片W周围形成多极磁场来进行蚀刻，可以提高半导体晶圆片W面内蚀刻速率的均一性。另一方面，在进行上述的有机系的低介电常数膜(Low-K)等的蚀刻时，在真空室1内的半导体晶圆片W的周围不形成多极磁场而进行蚀刻，可以提高半导体晶圆片W面内蚀刻速率的均一性。
图5～7将纵轴作为蚀刻速率(蚀刻速度)，横轴作为距半导体晶圆片W中心的距离，它是对半导体晶圆片W面内的蚀刻速率均一性调查后的结果图，在各图中，曲线A表示在真空室1内不形成多极磁场的情况、曲线B表示在真空室1内形成0.03T(300G)的多极磁场的情况、曲线C表示在真空室1内形成0.08T(800G)的多极磁场的情况。
另外，图5表示用C4F8气体蚀刻硅氧化膜的情况，图6表示用CF4气体蚀刻硅氧化膜的情况，图7表示用含有N2和H2的混合气体蚀刻有机系的低介电常数膜(Low-K)的情况。
按照图5、图6所示，用C4F8或CF4气体等的含有C和F的气体蚀刻硅氧化膜时，在真空室1内形成多极磁场的状态下进行蚀刻，可以提高蚀刻速率的面内均一性。
另外，按照图7所示，用含有N2和H2的混合气体蚀刻有机系的低介电常数膜(Low-K)时，在真空室1内不形成多极磁场的状态下进行蚀刻，可以提高蚀刻速率的面内均一性。
如上，在本实施方式中，通过使磁体块22转动，可以容易控制真空室1内的多极磁场状态，借助实施工艺，可以在最适宜的多极磁场的状态下进行良好处理。
另外，当然，磁体块22的数量不必限定于图2所示的16个的例子。还有，其断面形状也不必限定于图2所示例子中的长方形，而可以采用圆形和正方形等的形状。为通过磁体块22转动，有效地利用磁体块22的设置空间，达到装置的小型化，优选如图8所示，将磁体块22的断面形状做成圆形，使用圆筒形的磁体块22。
另外，构成磁体块22的磁体材料也不作特别的限定，例如可以使用稀土类磁体、铁氧体类磁体和铝镍钴磁体等众所周知的磁体材料。
再有，在上述实施方式中，对把磁体块22做成相邻的磁体块22相互反向、同步转动的情况进行了说明，但是并不只限于此。例如，各磁体块22的转动也可以如图9中用箭头表示的那样，相互同向转动。
另外，如图10中箭头表示的那样，也可以仅仅使每隔一个的磁体块22转动，而使其他每隔一个的磁体固定。这样通过减少转动的磁体块22的数量，可以简化其转动机构。
进而，如图11所示，多个磁体块可以做成例如由3个磁体块22a、22b、22c的磁体块组构成1个磁极，使这些磁体块22a、22b、22c同步同向转动。这样，通过使用更多的磁体块，可以提高磁场的强度。
下面，对这样构成的等离子体蚀刻装置中的处理顺序进行说明。
首先，活门24被打开。接下来，经过与该活门24相邻配置的负载锁定室(未图示)，通过搬运机构(未图示)将半导体晶圆片W搬入真空室1内载放到预先下降到规定位置的支撑台2上。而且，由直流电源13向静电吸盘6的电极6a上施加规定的电压，半导体晶圆片W被库仑力吸附。
然后，在使搬运装置退到真空室1外后，关闭活门24。接下来，在将支撑台2上升到图1所示的位置的同时，通过排气系统20的真空泵经过排气口19对真空室1内进行排气。
在真空室1内达到了规定的真空度后，由处理气体供给系统15向真空室1内以例如100～1000sccm的流量导入规定的处理气体，真空室1内规定的压力被保持在例如为1.33～133Pa(10～1000mTorr)，优选为2.67～26.7Pa(20～200mTorr)左右。
而且，在该状态下，由高频电源10向支撑台2供给频率为13.56～150MHz，例如100MHz，功率为100～3000W的高频电力。在这种情况下，如上所述通过对作为下部电极的支撑台2施加高频电力，就在作为上部电极的喷头16和下部电极的支撑台2之间的处理空间内形成高频电力场。通过该高频电力场，供给到该处理空间内的处理气体被等离子化，使用该等离子体，真空室1上的规定膜得到蚀刻。
这时，如前所述，根据实施工艺的种类等，预先将磁体块22设定成规定的方向，在真空室1内形成具有规定强度的多极磁场，或者设定实质上在真空室1内没有形成多极磁场的状态。
另外，如果形成多极磁场的话，与真空室1的侧壁部分(沉积护圈)的磁极相对应的部分(例如图2中P表示的部分)会由于等离子体产生局部被削去的现象。为了防止这种现象发生，利用包含电机等的驱动源的转动机构25，使磁场形成机构21在真空室1周围转动。通过该磁场形成机构21的转动，磁极会相对于真空室1的壁部而移动，因此可以防止真空室1的壁部局部被削去的现象。
而且，如果规定的蚀刻处理被实行，来自高频电源10的高频电力的供给停止，蚀刻处理就会停止，按与上述的顺序相反的顺序，半导体晶圆片W被搬出真空室1外。
在上述的实施方式中，对磁体块22中的至少一部分，在垂直方向的转动轴周围的水平面内转动从而改变磁极方向，进行多极磁场控制的情况进行了说明。下面，对多极磁场的控制机构的其他实施方式进行说明。另外，这些实施方式中，在通过改变磁体块22的相对位置(包括转动位置)，进行多极磁场控制这一点上，与上述的实施方式相同。
在图12所示的例子中，环形的磁场形成机构由上下分割而设置的2个上侧磁场形成机构和下侧磁场形成机构构成，设在上侧磁场形成机构的磁体块22a和设在下侧磁场形成机构上的磁体块22b可以相互接近、分开地以上下方向移动。
在这样构成的磁场形成机构上，使磁体块22a和磁体块22b接近时，如图12(a)的箭头所示，磁场强度变大。另外，使磁体块22a和磁体块22b分开时，如图12(b)的箭头所示，磁场强度变小。
另外，在图13所示的例子中，与上述相同，环形的磁场形成机构由上下分割设置的2个上侧磁场形成机构和下侧磁场形成机构构成。这样，设在上侧磁场形成机构的磁体块22c和设在下侧磁场形成机构上的磁体块22d可以在水平方向设置的转动轴周围，在垂直面内自由转动，使它们同步而相互反向地转动。
这样构成的磁场形成机构中，从磁体块22d直立的状态开始，如果使磁体块22c和磁体块22d向内侧倾斜转动，如图13(a)的箭头所示，磁场强度就会变大。另外，如果使磁体块22c和磁体块22d向外侧倾斜转动，如图13(b)的箭头所示，磁场强度就会变小。
进而，在图14所示的例子中，与上述相同，环形的磁场形成机构由被上下分割设置的2个上侧磁场形成机构和下侧磁场形成机构构成，而且，可以使设在上侧磁场形成机构的磁体块22a和设在下侧磁场形成机构上的磁体块22b，朝径向方向水平分开和朝中心方向接近那样地同步移动。
这样构成的磁场形成机构中，使磁体块22a和磁体块22b向真空室1接近，即，将其移动使环径变小时，如图14(a)的箭头所示，磁场强度变大。另外，使磁体块22a和磁体块22b从真空室1分开，即，将其移动使环径变大时，如图14(b)的箭头所示，磁场强度变小。
通过以上构成，可以控制在真空室1内的多极磁场。在这种构成情况下，优选借助如图1所示的转动机构25，使环形磁场形成机构21的整体在真空室1的周围以规定速度转动。另外，在上述实施方式中，虽然对将本发明用于进行半导体晶圆片W蚀刻的蚀刻装置进行了说明，但是本发明不限于此。例如，也可以处理半导体晶圆片W以外的基板，也可以用于蚀刻以外的等离子体处理，例如CVD等的成膜处理装置。
按照以上说明，根据本发明，对应于等离子体处理工艺的种类，就能够容易地对多极磁场状态进行控制和设定，容易进行良好处理。
在产业上利用的可能性本发明涉及的等离子体处理装置可以应用于进行半导体装置制造的半导体制造产业等上。所以，本发明具有产业上的利用的可能性。
权利要求
1.一种等离子体处理装置，它包括容纳被处理基板的处理室；设在所述处理室内，在所述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构；和由多个永久磁体组成的磁体块排列构成，设在所述处理室外，在所述处理室内的所述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构，其特征在于，构成为通过改变所述磁体块的相对位置，可以控制在所述处理室内的所述被处理基板周围形成的多极磁场的强度。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述磁体块被做成近似圆筒的形状。
3.一种等离子体处理装置，它包括容纳被处理基板的处理室；设在所述处理室内，在所述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构；和由多个永久磁体组成的磁体块排列构成，设在所述处理室外，在所述处理室内的所述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构，其特征在于，构成为所述磁体块中的至少一部分，可以在垂直方向的转动轴周围转动从而改变磁极方向。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述磁场形成机构构成为相邻的所述磁体块分别向相反方向转动。
5.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述磁场形成机构构成为所述磁体块全部以相同转动方向转动。
6.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述磁场形成机构构成为通过由相邻设置的多个所述磁体块组成的磁体块组，形成所述规定的多极磁场中的一个磁极，使构成所述一个磁体块组的多个所述磁体块，同方向同步转动。
7.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述磁体块中，构成为仅仅每隔一个磁体块以规定的转动方向转动。
8.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，通过转动所述磁体块，可以设定在所述处理室内的所述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的状态，和在所述处理室内的所述被处理基板的周围没有形成规定的多极磁场的状态。
9.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述磁体块被做成近似圆筒的形状。
10.一种等离子体处理装置，它包括容纳被处理基板的处理室；设在所述处理室内，在所述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构；和由多个永久磁体组成的磁体块排列构成，设在所述处理室外，在所述处理室内的所述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构，其特征在于，构成为所述磁场形成机构是由上下分离设置的上侧磁场形成机构和下侧磁场形成机构组成，该上侧磁场形成机构和下侧磁场形成机构相互接近、分离，可以在上下方向上移动。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述磁体块被做成近似圆筒的形状。
12.一种等离子体处理装置，它包括容纳被处理基板的处理室；设在所述处理室内，在所述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构；和由多个永久磁体组成的磁体块排列构成，设在所述处理室外，在所述处理室内的所述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构，其特征在于，构成为所述磁场形成机构是由上下分离设置的上侧磁场形成机构和下侧磁场形成机构组成，设在所述上侧磁场形成机构上的所述磁体块和设在所述下侧磁场形成机构上的所述磁体块可以在水平方向的转动轴的周围转动，可以设定成直立状态和倾斜状态。
13.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述磁体块被做成近似圆筒的形状。
14.一种等离子体处理装置，它包括容纳被处理基板的处理室；设在所述处理室内，在所述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构；和由多个永久磁体组成的磁体块排列构成，设在所述处理室外，在所述处理室内的所述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构，其特征在于，构成为所述磁体块可以以接近、离开所述处理室的方向上移动。
15.根据权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述磁体块被做成近似圆筒的形状。
全文摘要
磁场形成机构21的各个磁体块22，如图3(a)所示，从各个磁体块22的磁极朝向真空室1侧的状态开始，如图3(b)、图3(c)所示，相邻的磁体块22同步反向转动，所以相隔一个的磁体块22就变成同向转动，可以控制在真空室1内形成的半导体晶圆片W的周围的多极磁场的状态。由此，可以容易地根据等离子体处理工艺的种类适当地控制、设定多极磁场的状态，以便进行良好处理。
文档编号H01J37/32GK1557017SQ02818449
公开日2004年12月22日 申请日期2002年9月19日 优先权日2001年9月20日
发明者小野博夫, 达下弘一, 本田昌伸, 永关一也, 林大辅, 一, 也, 伸 申请人:东京毅力科创株式会社