电子射出元件、电子射出装置显示器及光源的制作方法

专利名称：电子射出元件、电子射出装置显示器及光源的制作方法
技术领域：
本发明涉及在玻璃基板上形成的电子射出元件、具有多个该电子射出元件的电子射出装置、使用该电子射出装置的显示器、和使用所述电子射出装置的光源。
背景技术：
近来，电子射出装置，具有阴极电极以及阳极电极，应用于场致发射显示器(FED)或者后照光那样的各种应用中。在适用FED的场合，以二维方式排列多个电子射出元件，以规定间隔分别配置面对这些电子射出元件的多个荧光体。
作为该电子射出元件的现有例子，例如有专利文献1～5，不过因为它们在发射极部都不使用电介质，所以存在在相对的电极之间需要成型加工或者微细加工，为射出电子必须施加高电压，另外，存在这样的问题面板制作工序复杂，制造成本高。
因此，考虑用电介质构成发射极，关于从电介质进行的电子射出，在下面的非专利文献1～3中叙述了各种论点。
专利文献1特开平1-311533号公报专利文献2特开平7-147131号公报专利文献3特开2000-285801号公报专利文献4特公昭46-20944号公报专利文献5特公昭44-26125号公报非专利文献1安岗、石井著“使用强电介质阴极的脉冲电子源”应用物理第68卷第5号，p546～550(1999)非专利文献2V.F.Puchkarev，G.A.Mesyats，On the mechanism ofemission from the ferroelectric ceramic cathode，J.Appl.Phys.，vol.78，No.9，1November，1995，p.5633-5637
非专利文献3H.Riege，Electron emission ferroelectrics-a view，Nucl.Instr.and Meth.A340，p.80-89(1994)发明内容但是在现有的电子射出元件200中，如图40所示，在发射极部202上形成上部电极204以及下部电极206的场合，特别是，上部电极204被贴紧形成在发射极部202上。电场集中点，是上部电极204/发射极部202/真空的三重点，但是在这一场合，相应于上部电极204的边缘部分。
但是，因为上部电极204的边缘部分被贴紧在发射极部202上，所以存在电场集中的程度小，射出电子所需要的能量小这样的问题。另外，因为射出电子部分也仅限于上部电极204的边缘部分，所以存在这样的问题，即在全部电子射出特性中产生散差，电子射出的控制困难，同时，电子射出效率低。
本发明是考虑这样的问题后而提出的，其目的是，提供一种电子射出元件以及电子射出装置，它们能够容易地发生高电场集中，而且能够做成多个电子射出位置，能够实现电子射出的大输出、高效率，也能用低电压驱动，而且有利于实现大面积板、降低产品成本。
本发明另外的目的是，提供一种高亮度以及低成本的显示器以及光源，它们使用了能够实现电子射出的大输出、高效率、也能用低电压驱动、而且有利于实现大面积板、降低产品成本的电子射出位置。
本发明的电子射出元件，其特征在于，具有在玻璃基板上形成的第一电极；在所述第一电极上形成的由电介质膜组成的发射极部；和在所述发射极部上形成的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间施加为射出电子的驱动电压，至少所述第二电极，具有露出所述发射极部的多个贯通部，在所述第二电极中，所述贯通部的边缘部中和所述发射极部相对的面，从所述发射极部离开。
另外，本发明的电子射出装置，具有在玻璃基板上形成的多个电子射出元件，其特征在于，所述电子射出元件，具有在所述玻璃基板上形成的第一电极、在所述第一电极上形成的由电介质膜组成的发射极部、和在所述发射极部上形成的第二电极，在所述第一电极和所述第二电极之间施加为射出电子的驱动电压，至少所述第二电极具有露出所述发射极部的多个贯通部，在所述第二电极中，所述贯通部的边缘部中和所述发射极部相对的面，从所述发射极部离开。
另外，本发明的显示器，具有上述电子射出装置；在玻璃基板中、和形成在所述电子射出装置中的发射极部的面相对配置的透明板；在所述透明板中、和所述发射极部相对的面上，具有用于在和所述电子射出装置中的电子射出元件间形成电场的电极、和在所述电极上形成的荧光体，使从所述电子射出元件射出的电子冲击所述荧光体来激励所述荧光体，使之发光。
另外，本发明的光源，具有上述电子射出装置；在玻璃基板中、和在所述电子射出装置中的形成发射极部的面相对配置的透明板；在所述透明板中、在和所述发射极部相对的面上，具有用于在所述电子射出装置中在和电子射出元件间形成电场的电极、和在所述电极上形成的荧光体，使从所述电子射出元件射出的电子冲击所述荧光体来激励所述荧光体，使发之光。
首先，在第一电极和第二电极之间施加驱动电压。该驱动电压，例如如脉冲电压或者交流电压那样，定义为伴随时间的经过，从比基准电压(例如0V)高或低的电压电平急剧地变化为比基准电压低或高的电压电平的电压。
另外，形成发射极部的第二电极的面和第二电极和该电子射出元件的周围的介质(例如真空)的接触位置形成三重结。这里，所谓三重结定义为通过第二电极和发射极部和真空的接触形成的电场集中部。此外，在所述三重结中也包含第二电极和发射极部和真空作为一个点存在的三重点。在本发明中，三重结，被形成在多个贯通部的边缘部或者第二电极的边缘部。因此，在第一电极和第二电极之间施加上述那样的驱动电压的话，就在上述三重结中发生电场集中。
然后，在第一阶段，在第一电极和第二电极之间施加比基准电压高或低的电压，在上述三重结例如发生向一方向的电场集中，从第二电极向发射极部进行电子射出，例如在发射极部中、在与第二电极的贯通部对应的部分或者在第二电极的边缘部附近的部分积蓄电子。亦即，发射极部变得带电。此时，第二电极作为电子供给源工作。
在下面的第二阶段，如驱动电压的电平急剧变化，而在第一电极和第二电极之间施加比基准电压低或高的电压的话，则此次在与第二电极的贯通部对应的部分或者在第二电极的边缘部附近的带电的电子，通过向反方向反转极化的发射极部的偶极子(在发射极部的表面上显现负极性)，从发射极部被驱出，在发射极部中、从所述电子积蓄的部分，通过贯通部射出电子。当然，从第二电极的边缘部附近也射出电子。此时，对应所述第一阶段中的所述发射极部的带电量的电子，在第二阶段从所述发射极部被射出。另外，所述第一阶段中的所述发射极部的带电量，被维持到进行在所述第二阶段的电子射出。
另外，在别的电子射出方式中，首先，在第一输出期间，进行为电子射出的准备(例如作为发射极的物质的向一方向的极化等)。在下面的第二输出期间，如果驱动电压的电平急剧减小，则此次在上述三重结中发生电场集中，通过该电场集中从第二电极射出一次电子，冲击作为发射极的物质中、从贯通部露出的部分以及第二电极的边缘部附近。由此，从一次电子冲击的部分射出二次电子(含一次电子的反射电子)。亦即，在第二输出期间的初始阶段，从所述贯通部以及第二电极的边缘部附近射出二次电子。
然后，在该电子射出元件中，首先，在第二电极上形成了多个贯通部，所以，从各贯通部以及第二电极的边缘部附近均匀地射出电子，在减低整体电子射出特性的分散性、变得容易地进行电子射出的控制的同时，提高电子射出效率。
另外，本发明，在与所述第二电极中、所述贯通部的边缘部的所述发射极部对向的面和所述发射极部之间形成间隙的形状，所以在施加了驱动电压时，在该间隙的部分中容易发生电场集中。这与电子射出的高效率化有关系，可以实现驱动电压的低电压化(在低的电压电平下的电子射出)。
如上所述，本发明，在与所述第二电极中、在所述贯通部的边缘部的所述发射极部对向的面和所述发射极部之间形成间隙，在第二电极中的贯通部的边缘部形成檐状(突缘状)，所以辅以在间隙的部分的电场集中变大，从所述檐状的部分(贯通部的边缘部)变得容易射出电子。这与电子射出的大输出、高效率有关联，可以实现驱动电压的低电压化。由此，例如可以实现排列多个电子射出元件构成的、例如显示器或光源的高亮度化。另外，无论是做成射出作为发射极的物质中积蓄的电子的方式、或者使来自第二电极的一次电子冲击作为发射极的物质使其射出二次电子的方式的哪一种，第二电极中的贯通部的边缘部都作为栅极电极(控制电极，聚焦电子透镜等)起作用，所以能够提高射出电子的直进性。这点，在作为显示器的电子源构成的场合，在减低串扰方面是有利的。
这样，在本发明中，能够容易地发生高的电场集中，而且，能够做成多个电子射出位置，可以实现电子射出的高输出、高效率，也能够低电压驱动(低消费电力)。特别，因为使用玻璃基板，所以可以降低产品成本。另外，能够促进电子射出元件的制造的处理温度的低温化，能够实现设备的低成本化。作为玻璃基板也可以使用结晶化玻璃。在这种场合，作为处理温度，与一般的玻璃不同，可以使用600～800℃的范围，可以扩宽材料选择的自由度。通过使用玻璃基板，能够廉价地得到对应大画面显示器或者与大画面的液晶显示器的后照光的大板。另外，在制作真空密封电子射出元件的管的场合，用玻璃制造管壁以及基座或者形成荧光体的透明板，能够把它们和形成电子射出元件的玻璃基板进行玻璃料粘结。反过来说，如果在玻璃以外的基板上进行电子射出元件的形成的话，则因为和其他的玻璃制部件以及玻璃料的热膨胀系数不相吻合，管制作变难。
另外，在本发明中，在所述发射极部中，至少在形成所述第二电极的面上，形成由电介质的粒子边界引起的凹凸，所述第一电极，也可以在与由所述电介质的粒子边界引起的凹部对应的部分上形成所述贯通部。此外，所述第一电极，也可以是包含具有鳞片状的形状的物质的导电性物质，或者，具有多个鳞片状形状的物质的集合体。
由此，在所述第一电极中，所述贯通部的边缘部中的与所述发射极部相对的面，可以简单地实现从所述发射极部离开的结构，亦即在所述贯通部的边缘部的与所述发射极部相对的面和所述发射极部之间形成间隙的结构。
如上所述，根据本发明的电子射出元件以及电子射出装置，可以容易地发生高的电场集中，而且能够做成多个电子射出位置，能够实现电子射出的高输出、高效率，也能够低电压驱动(低消费电力)，而且在制作大面积板、降低产品成本方面有利。
另外，根据本发明的显示器以及光源，可以用大画面或者大面积实现高亮度以及低成本。


图1是部分省略地表示第一实施形态的电子射出元件的截面图；图2是部分省略地表示第一实施形态的电子射出元件的放大截面图；图3是放大表示第一实施形态的电子射出元件的重要部分的截面图；图4是表示在上部电极上形成的贯通部的形状的一例的平面图；图5A是表示上部电极其他例子的截面图，图5B是放大表示重要部分的截面图；图6A是表示上部电极另一其他例子的截面图，图6B是放大表示重要部分的截面图；图7是表示第一电子射出方式中的驱动电压的电压波形的图；图8是表示第一电子射出方式的第二输出期间(第二阶段)的电子射出的情况的说明图；图9是表示第二电子射出方式中的驱动电压的电压波形的图；图10是表示第二电子射出方式的第二输出期间(第二阶段)的电子射出的情况的说明图；图11是表示上部电极的檐部的截面形状的一例的图；图12是表示上部电极的檐部的截面形状的其他例的图；图13是表示上部电极的檐部的截面形状的另一其他例的图；图14是表示在上部电极和下部电极间连接的各种电容器的连接状态的等价电路图；图15是用于说明在上部电极和下部电极间连接的各种电容器的电容量计算的图；图16是部分省略地表示第一实施形态的电子射出元件的第一变形例的平面图；图17是部分省略地表示第一实施形态的电子射出元件的第二变形例的平面图；图18是部分省略地表示第一实施形态的电子射出元件的第三变形例的平面图；图19是表示第一实施形态的电子射出元件的电压—电荷量特性(电压—极化量特性)的图；图20A是表示在图19的点p1的状态的说明图，图20B是表示在图19的点p2的状态的说明图，图20C是表示在从图19的点p2到点p3的状态的说明图；图21A是表示在从图19的点p3到点p4的状态的说明图，图21B是表示在就要到图19的点p4前的状态的说明图，图21C是表示在从图19的点p4到点p6的状态的说明图；图22是表示使用第一实施形态的电子射出元件构成的显示器等发光显示部和驱动电路的框图；图23A～23C是表示使用振幅调制电路进行的脉冲信号的振幅调制的图；图24是表示涉及变形例的信号供给电路的图；图25A～25C是表示使用脉冲宽度调制电路进行的脉冲信号的脉冲宽度调制的图；图26A是表示图23A或图25A中的施加了电压Vsl时的磁滞曲线的图，图26B是表示图23B或图25B中的施加了电压Vsm时的磁滞曲线的图，图26C是表示图23C或图25C中的施加了电压Vsh时的磁滞曲线的图；图27是表示在上部电极上配置集电极电极、荧光体以及透明板的一例的构成图；图28是表示在上部电极上配置集电极电极、荧光体以及透明板的另一例的构成图；图29A是表示在第一实验例(观察电子射出元件的电子的射出状态的实验)中使用的写入脉冲和点亮脉冲的波形的图，图29B是在第一实验例中用光接收元件的检测电压波形表示从电子射出元件射出电子的状态的图；图30是表示在第二到第四实验例中使用的写入脉冲和点亮脉冲的波形的图；图31是表示第二实验例(观察电子射出元件的电子的射出量随写入脉冲的振幅怎样变化的实验)的结果的特性图；
图32是表示第三实验例(观察电子射出元件的电子的射出量随点亮脉冲的振幅怎样变化的实验)的结果的特性图；图33是表示第四实验例(观察电子射出元件的电子的射出量随集电极电压的电平怎样变化的实验)的结果的特性图；图34是表示显示器等驱动方法的一例的定时图；图35是表示在图34所示的驱动方法中的外加电压关系的图表；图36是部分省略表示第二实施形态的电子射出元件的截面图；图37是部分省略地表示第二实施形态的电子射出元件的第一变形例的截面图；图38是部分省略地表示第二实施形态的电子射出元件的第二变形例的截面图；图39是部分省略地表示第二实施形态的电子射出元件的第三变形例的截面图；图40是部分省略地表示现有例子的电子射出元件的截面图。
符号说明10A、10Aa～10Ac、10B、10Ba～10Bc电子射出元件，12发射极部，14上部电极，16下部电极，20贯通部，22凹凸，24凹部，26檐部，28间隙，30凸部，32孔，44、46切口，48狭缝，50浮动电极，100显示器等具体实施方式
下面参照图1～图40说明本发明的电子射出元件的实施形态例。
首先，本实施形态的电子射出装置，除作为显示器的用途外，可适用于电子射线照射装置、光源、代替LED使用、电子部件制造装置、电子电路部件。
电子射线照射装置中的电子射线，比之现在普及的紫外线照射装置中的紫外线，在高能量下吸收性能优良。作为使用例，在半导体装置中，有在重合晶圆时固化绝缘膜的用途，在印刷干燥中有均匀硬化印刷墨水的用途，有把医疗器械装入在包装箱内杀菌的用途等。
作为光源的用途，有液晶显示器用后照光那样的平面光源、和作为面向高亮度、高效率技术规格的、例如使用超高压水银灯等的投影器的光源用途等。在把本实施形态的电子射出装置用于光源的场合，具有诸如小型化、长寿命、高速点亮、由于无水银而降低环境负荷这样的特征。
作为代替LED的用途，有屋内照明、汽车用灯、信号机等面光源用途或者面向芯片光源、信号机、便携电话的小型液晶显示器的后照光等。
作为电子部件制造装置的用途，有电子束蒸镀装置等成膜装置的电子束源、等离子体的CVD装置中的等离子体生成用(气体等活性化用)电子源、气体分解用途的电子源等。另外，也有T(兆兆)Hz驱动的高速开关元件、大电流输出元件这样的真空微型器件用途。此外，作为打印机用部件，亦即通过和荧光体的组合使感光鼓感光的发光器件、或用于使电介质带电的电子源也十分理想。
作为电子电路部件，因为能够实现大电流输出、高放大率，所以有对于开关、继电器、二极管等数字元件、运算放大器等模拟元件的用途。
首先，第一实施形态的电子射出元件10A，如图1所示，被形成在玻璃基板11上，而且，具有用电介质构成的板状的发射极部12、在该发射极部12的第一面(例如下面)形成的第一电极(例如下部电极)16、在发射极部12的第二面(例如上面)形成的第二电极(例如上部电极)14、和在上部电极14和下部电极16之间施加驱动电压Va的脉冲发生源18。
上部电极14，如图2所示，具有露出发射极部12的多个贯通部20。特别，发射极部12的表面，形成由电介质的粒子边界引起的凹凸22，上部电极14的贯通部20，在对应在所述电介质的粒子边界中的凹部24的部分上形成。在图2的例子中，表示出对应一个凹部24形成一个贯通部20的情况，但是也有对应多个凹部24形成一个贯通部20的情况。构成发射极部12的电介质的粒子直径，希望是0.1μm～10μm，最好是2μm～7μm。在图2的例子中，取电介质的粒子直径为3μm。
再有，在该第一实施形态中，如图3所示，在上部电极14中，贯通部20的边缘部26中的面对发射极部12的面26a，从发射极部12离开。亦即在上部电极14中，在贯通部20的边缘部26中的面对发射极部12的面26a和发射极部12之间形成间隙28，上部电极14中的贯通部20的边缘部26被形成为檐状(突缘状)的形状。因此，在以下的说明中，把“上部电极14的贯通部20的边缘部26”记述为“上部电极14的檐部26”。此外，在图1、图2、图3、图5A、图5B、图6A、图6B、图8、图10、图11～图13、图18的例子中，把电介质的粒子边界的凹凸22的凸部30的截面代表性地以半圆状表示，但是不限于该形状。
另外，在该第一实施形态中，上部电极14的厚度t取0.01μm≤t≤10μm，发射极部12的上面，亦即在电介质的粒子边界上的凸部30的表面(也是凹部24的内壁面)，和上部电极14的檐部26的下表面26a成的角的最大角度θ取1°≤θ≤60°。另外，沿发射极部12的电介质的粒子边界上的凸部30的表面(凹部24的内壁面)和上部电极14的檐部26的下表面26a之间的竖直方向的最大间隔d取0μm＜t≤10μm.
再有，在该第一实施形态中，贯通部20的形状，特别如图4所示，从上面看的形状是孔32的形状，例如圆形、椭圆形、环带那样的，包含曲线部分的形状、或者如四边形或者三角形那样的多边形的形状。在图4的例子中，作为孔32的形状表示出圆形的场合。
在这一场合，孔32的平均直径为大于等于0.1μm，小于等于10μm。该平均直径，表示通过孔32的中心的分别不同的多条线的长度的平均。
这里说明各构成部件的材料。构成发射极部12的电介质，合适的可以采用电容率比较高、例如大于等于1000的电介质。作为这样的电介质，除钛酸钡以外，可以举出锆石酸铅、镁铌酸铅、镍铌酸铅、锌铌酸铅、锰铌酸铅、镁钽酸铅、镍钽酸铅、锑锡酸铅、钛酸铅、镁钨酸铅、钴铌酸铅等，或者包含它们的任意组合的陶瓷、主成分含有这些化合物大于等于50％重量的物质、或者对于所述陶瓷，进一步适当添加镧、钙、锶、钼、钨、钡、铌、锌、镍、锰等的氧化物或者它们的任意的组合，或者适当添加了其他的化合物的物质。
例如，在镁铌酸铅(PMN)和钛酸铅(PT)2成分系列nPMN-mPT(取n、m为克分子数比)中，如果使PMN的克分子数比变大，则居里点下降，可以使室温下的电容率变大。
特别，在n＝0.85～1.0、m＝1.0-n时希望电容率为3000以上。例如，n＝0.91、m＝0.09时可得到室温下的电容率15000，n＝0.95、m＝0.05时可得到室温下的电容率20000。
接着，在镁铌酸铅(PMN)、钛酸铅(PT)、锆石酸铅(PZ)3成分系列中，除增大PMN的克分子数比外，优选通过做成正方晶体和拟立方晶体或者正方晶体和菱面晶体的变形性相边界(MPBMorphotropic Phase Boundary)附近的组成增大电容率。例如PMN∶PT∶PZ＝0.37∶0.375∶0.25电容率为5500，PMN∶PT∶PZ＝0.5∶0.375∶0.125电容率为4500，特别理想。进而，希望在能够确保绝缘性的范围内在这些电介质中混入白金那样的金属，来提高电容率。在这一场合，例如，可以在电介质中以重量比20％混入白金。
另外，发射极部12，如上所述，可以使用压电/电致伸缩层或反强电介质层，但是在作为发射极部12使用压电/电致伸缩层的场合，作为该压电/电致伸缩层，例如可以举出锆石酸铅、镁铌酸铅、镍铌酸铅、锌铌酸铅、锰铌酸铅、镁钽酸铅、镍钽酸铅、锑锡酸铅、钛酸铅、钛酸钡、镁钨酸铅、钴铌酸铅等，或者包含它们的任意的组合的陶瓷。
不用说，主成分也可以是含有大于等于50％重量的这些化合物的物质。另外，在所述陶瓷中，含有锆石酸铅的陶瓷，作为构成发射极部12的压电/电致伸缩层的构成材料使用频度最高。
另外，在用陶瓷构成压电/电致伸缩层的场合，在所述陶瓷中，进而也可以使用适当添加了镧、钙、锶、钼、钨、钡、铌、锌、镍、锰等的氧化物，或者它们的任意组合，或其他的化合物的陶瓷。另外，也可以使用在所述陶瓷中添加SiO2、CeO2、Pb5Ce3O11或者它们的任何组合的陶瓷。具体说，希望在PT-PZ-PMN系列压电材料中添加0.2wt％的SiO2、或者0.1wt％的CeO2、或者1～2wt％的Pb5Ce3O11的材料。
例如，以由镁铌酸铅和锆石酸铅以及钛酸铅组成的成分为主成分、进而使用含有镧或锶的陶瓷是十分理想的。
压电/电致伸缩层可以是致密的，也可以是多孔质的，在多孔质的场合，希望其气孔率小于等于40％。
作为发射极部12在使用反强电介质层的场合，作为该反强电介质层，希望是以锆石酸铅为主成分的物质、以由锆石酸铅和锡酸铅组成的成分为主成分的物质、再有在锆石酸铅中添加氧化镧的物质、或对于由锆石酸铅和锡酸铅组成的成分添加锆石酸铅或铌酸铅的物质。
另外，该反强电介质层也可以是多孔质的，在多孔质的场合，希望其气孔率小于等于30％。
再有，在发射极部12中使用钽酸铋酸锶(SrBi2Ta2O9)的场合，希望极化反转疲劳小。这样的极化反转疲劳小的材料，在层状强电介质化合物中，用(BiO2)2+(Am-1BmO3m+1)21这样的一般式表示。这里，金属A的离子，是Ca2+、Sr2+、Ba2+、Pb2+、Bi3+、La3+等，金属B的离子，是Ti4+、Ta5+、Nb5+等。再有，也可以在钛酸钡系列、锆石酸铅、PTZ系列的压电陶瓷中加上添加剂使之半导体化。在这一场合，使发射极部12中具有不均匀的电场分布，能够进行有助于电子射出的在与上部电极14的界面附近进行电场集中。
另外，在压电/电致伸缩/反强电介质陶瓷中，例如通过混入铅硼珪(ホウケイ)酸玻璃等陶瓷成分、或者其他低熔点化合物(例如氧化铋等)，可以降低烧结温度。
另外，在用压电/电致伸缩/反强电介质陶瓷构成的场合，其形状也可以是在板状的成形体、板状的叠层体、或者在其他支持用基板上叠层或者粘接它们。
例外，通过在发射极部12中使用非铅系列的材料，通过把发射极部12做成熔点或者蒸发温度高的材料，对于电子或者离子的冲击难于受损。
然后，作为在玻璃基板11上形成发射极部12的方法，可以使用筛网印刷法、浸渍法、涂布法、电泳法、喷雾沉淀法等各种厚膜形成法，或者离子束法、溅射法、真空蒸镀法、离子喷镀法、化学气相成长法(CVD)、电镀等各种薄膜形成法。
其中，使用筛网印刷法或浸渍法、涂布法、电泳法等的厚膜形成法，可以使用平均粒子直径为0.01～5μm、最好能使用以0.05～3μm的压电陶瓷的粒子为主成分的糊剂或釉浆、或者悬浮液、乳状液、溶解胶形成，这样能够得到良好的压电动作特性。
特别是电泳法，主要是能够以高密度而且高形状精度形成膜，具有在“电化学及工业物理化学Vol.53，No.1(1985)，p63～68安斋和夫著”或者“基于第1次电泳法的陶瓷的高次成形法研究讨论会征求意见稿集(1998)，p5～6，p23～24”等技术文献中记载的那样的特征。这样，考虑要求精度或可靠性等，可以适宜地选择方法使用。
另外，采用把压电/电致伸缩材料粉末化的材料，作为发射极部12形成，而在其内含浸低熔点的玻璃或溶解胶粒子的方法，十分理想。通过这样的方法，因为能够在小于等于700℃或者600℃的低温下形成膜，所以如该第一实施形态，在玻璃基板11上形成发射极部12的场合很合适。另外，所述喷雾沉淀法也是能在低温下形成膜的方法。
上部电极14，使用在烧结后能得到薄膜的有机金属糊剂。例如，希望使用白金树脂糊剂等材料。另外，抑制极化反转疲劳的氧化物电极，例如氧化钌(RuO2)、氧化铱(IrO2)、钌酸锶(SrRuO3)、La1-xSrxCoO3(例如x＝0.3或0.5)、La1-xCaxMnO3(例如x＝0.2)、La1-xCaxMn1-yCoyO3(例如x＝0.2、y＝0.05)或者把它们例如混入白金树脂糊剂中的材料也十分理想。
另外，作为上部电极14，如图5A及5B所示，也希望使用具有多个鳞片状形状的物质15(例如石墨)的集合体17，或者如图6A及图6B所示包含具有鳞片状形状的物质15的导电性的物质19的集合体21。在这种场合，不是用所述集合体17或集合体21完全覆盖发射极部12的表面，而是设置多个发射极部12部分露出的贯通部20，在发射极部12中，把面邻贯通部20的部分作为电子射出区域。
上部电极14，使用上述材料，可以依照基于筛网印刷、喷射、涂敷、浸渍、涂布、电泳法等各种厚膜形成法，或者溅射法、离子束法、真空蒸镀法、离子喷镀法、化学气相成长法(CVD)、电镀等各种薄膜形成法来形成，合适的是可以通过前者的厚膜形成法形成。
另一方面，下部电极16，使用具有导电性的物质例如金属，通过白金、钼、钨等构成。另外，通过对于高温氧化环境气体有抵抗性的导体，例如金属单体、合金、绝缘性陶瓷和金属单体的化合物、绝缘性陶瓷和合金的化合物等构成，适合的是通过白金、铱、钯、铑等高熔点贵金属、或银-钯、银-白金、白金-粑等合金为主成分的物质、或白金和陶瓷材料的金属陶瓷材料构成。更适合的是，通过仅用白金或者白金系列的合金为主成分的材料构成。
另外，作为下部电极16，也可以使用碳、石墨系列材料。此外，在电极材料中添加的陶瓷材料的比例，5～30体积％的程度合适。当然，也可以使用和上述上部电极相同的材料。
下部电极16合适的是通过上述厚膜形成法生成。下部电极16的厚度要小于等于20μm，更合适的是小于等于5μm。
作为电子射出元件10A的烧结处理，可以在玻璃基板11上顺次叠层作为下部电极16的材料、作为发射极部12的材料以及作为上部电极14的材料，而后作为整体构造烧结，也可以在每当分别形成下部电极16、发射极部12、上部电极14时，进行热处理(烧结处理)后和玻璃基板11做成一体构造。此外，通过上部电极14以及下部电极16的形成方法，也有不需要为一体化的热处理的情况。
作为关于为使在玻璃基板上形成的发射极部12、上部电极14以及下部电极16一体化的烧结处理的温度，考虑到玻璃基板11的玻璃软化点，取500～1000℃℃，合适的是取600～800℃的范围。再有，在热处理膜状发射极部12的场合，为不使在高温时发射极部12的组成不稳定，最好和发射极部12的蒸发源一起一边进行环境气体控制，一边进行烧结处理。
作为向玻璃基板11的膜形成方法，选定玻璃基板11的软化点以下的温度的处理、材料，在玻璃基板11上顺序形成下部电极16、发射极部12以及上部电极14。具体说，是下述方法，即，作为下部电极16，由筛网印刷形成可进行低温烧结的银糊，烧结后，使用上述喷雾沉淀法或者用在低熔点的玻璃或者溶解胶粒子中浸渍压电/电致伸缩材料的粉末化了的物质的方法等形成发射极部12，在其上，在可低温烧结的材料上使用筛网印刷等形成上部电极14，进行烧结。
另外，作为别的方法，也可以把在玻璃基板11的软化点以上的温度下形成发射极部12的板粘结在玻璃基板11上。在这种方法中，因为不限制发射极部12的烧结温度，所以具有容易得到电子射出所需要的特性的优点。
通过进行烧结处理，特别是，当成为上部电极14的膜例如在从厚度10μm收缩到厚度0.1μm时同时形成多个孔等，如图2所示，在上部电极14上形成多个贯通部20，成为将贯通部20的边缘部26形成檐状的结构。当然，对于成为上部电极14的膜，也可以在事前(烧结前)通过腐蚀(湿腐蚀，干腐蚀)或剥离(リフトオフ)等形成图案后，进行烧结。在这种场合，如后述，作为贯通部20，可以容易地形成切口形状或狭缝状。
此外，也可以采用通过适当的构件覆盖发射极部12，而不使该发射极部12的表面直接露出在烧结环境气体中来进行烧结的方法。
下面说明电子射出元件10A的电子射出原理。首先，在上部电极14和下部电极16之间施加驱动电压Va。该驱动电压Va，例如如脉冲电压或者交流电压那样，定义为伴随时间的经过，从比基准电压(例如0V)高或低的电压电平急剧地变化为比基准电压低或高的电压电平的电压。
另外，在发射极部12的上表面和上部电极14和该电子射出元件10A的周围的介质(例如真空)的接触位置形成三重结。这里，所谓三重结定义为通过上部电极14和发射极部12和真空接触形成的电场集中部。此外，在所述三重结处也包含上部电极14和发射极部12和真空作为一个点存在的三重点。环境气体中的真空度理想的是102～10-6Pa，更理想的是10-3～10-5Pa。
在第一实施形态中，三重结，被形成在上部电极14的檐部26或上部电极14的周围部。因此，在上部电极14和下部电极16之间施加上述那样的驱动电压Va的话，在上述三重结处发生电场集中。
首先，参照图7以及图8说明第一电子射出方式。在图7的第一输出期间T1(第一阶段)，在上部电极14上施加比基准电压(在该场合为0V)低的电压V2，在下部电极16上施加比基准电压高的电压V1。在该第一输出期间T1，在上述的三重结处发生电场集中，从上部电极14向发射极部12射出电子，例如在发射极部12中，在从上部电极14的贯通部20露出的部分或者上部电极14的边缘部附近的部分积蓄电子。亦即，发射极部12变得带电。此时，上部电极14作为电子供给源工作。
接着在第二输出期间T2(第二阶段)，驱动电压Va的电压电平锐减地变化，亦即，如在上部电极14上施加比基准电压高的电压V1，在下部电极16上施加比基准电压低的电压V2的话，此次，在对应上部电极14的贯通部20的部分或者上部电极14的边缘部附近带电的电子，由向反方向反转极化的发射极部12的偶极子(发射极部12的表面上显现负极性)从发射极部12被驱出。如图8所示，在发射极部12中，从上述积蓄电子的部分，通过贯通部20射出电子。当然，从上部电极14的边缘部附近也射出电子。
接着说明第二电子射出方式。首先，在图9的第一输出期间T1(第一阶段)，在上部电极14上施加比基准电压高的电压V3，在下部电极16上施加比基准电压低的电压V4。在该第一输出期间T1，进行为射出电子的准备(例如向发射极部12的一个方向的极化等)。接着在第二输出期间T2(第二阶段)，驱动电压Va的电压电平锐减地变化，亦即在上部电极14上施加比基准电压低的电压V4，在下部电极16上施加比基准电压高的电压V3，此次，在上述的三重结处发生电场集中，由于该电场集中，从上部电极14射出一次电子，在发射极部12中，冲击从贯通部20露出的部分以及上部电极14的边缘部附近。由此，如图10所示，从一次电子冲击的部分射出二次电子(含一次电子的反射电子)。亦即，在第二输出期间T2的初期阶段，从所述贯通部20以及上部电极14的外边缘部附近射出二次电子。
然后，在该第一实施形态的电子射出元件10A中，因为在上部电极14上形成多个贯通部20，所以从各贯通部20以及上部电极14的外边缘部附近均匀地射出电子，降低全体电子射出特性的分散性，电子射出控制变得容易，同时，电子射出效率提高。
另外，在第一实施形态中，因为在上部电极14的檐部26和发射极部12间形成间隙28，所以在施加驱动Va电压时，在该间隙28的部分变得容易发生电场集中。这点，关系到电子射出的高效率化，能够实现驱动电压的低电压化(在低的电压电平下射出电子)。
如上所述，在第一实施形态中，因为上部电极14，在贯通部20的边缘部形成檐部26，所以辅以在上述间隙28的部分电场集中变大，从上部电极14的檐部26电子射出变得容易。这点，关系到电子射出的大输出、高效率，能够实现驱动电压Va的低电压化。由此，例如可以谋求并列多个电子射出元件构成的、例如显示器或光源的高亮度化。另外，无论做成上述的第一电子射出方式(使发射极部12中积蓄的电子射出的方式)或者第二电子射出方式(让从上部电极14来的一次电子冲击贯通部12射出二次电子的方式)的哪一种，因为上部电极14的檐部26都作为栅极电极(控制电极，聚焦电子透镜等)作用，所以能够提高射出电子的直进性。这点，在作为显示器的电子源构成的场合，在降低串扰方面十分有利。
这样，在第一实施形态的电子射出元件10A中，可以容易地使发生高的电场集中，而且，可以做成多个电子射出位置，对于电子射出既能够实现大输出、高效率，也能实现低电压驱动(低消耗电力)。
特别，在第一实施形态中，至少发射极部12的上面，形成由电介质的粒子边界形成的凹凸22，上部电极14在对应电介质的粒子边界处的凹部24的部分形成贯通部20，所以能够简单地实现上部电极14的檐部26。
另外，因为取发射极部12的上面，亦即在电介质的粒子边界处的凸部30的表面(凹部24的内壁面)和上部电极14的檐部26的下面26a成的角的最大角度θ为1°≤θ≤60°，沿发射极部12的电介质的粒子边界处的凸部30的表面(凹部24的内壁面)和上部电极14的檐部26的下面26a间的竖直方向的最大间隔d为0μm＜d≤10μm，通过这样的结构，能够使在间隙28的部分的电场集中的程度变得更大，能够实现电子射出的大输出、高效率以及驱动电压的低电压化。
另外，在该第一实施形态中，把贯通部20做成孔32的形状。如图3所示，在发射极部12中，根据在上部电极14和下部电极16(参照图2)之间施加的驱动电压Va极化反转或者变化的部分，是在形成上部电极14的正下方的部分(第一部分)40、和对应从贯通部20的内周朝向贯通部20的内方的区域的部分(第二部分)42，特别是，第二部分42，根据驱动电压Va的电平或者电场集中的程度而变化。因此，在该第一实施形态中，取孔32的平均直径为大于等于0.1μm、小于等于10μm。如在该范围内，通过贯通部20射出的电子的射出分布中几乎没有分散，能够更加高效地射出电子。
此外，在孔32的平均直径不到0.1μm的场合，蓄积电子的区域变窄，射出的电子量变少。当然，也可考虑设置多个孔32，但是伴随着困难性，存在制造成本变高的可能。如果孔32的平均直径超过10μm的话，则在从发射极部12的所述贯通部20露出的部分中，有助于电子射出的部分(第二部分)42的比例(占有率)变小，电子的射出效率降低。
作为上部电极14的檐部26的截面形状，可以如图3所示，取上面以及下面都水平延伸的形状，也可以如图11所示，檐部26的下面26a几乎水平、檐部26的上端部向上方突起。另外，可以如图12所示，檐部26的下面26a，随朝向贯通部20的中心向上方倾斜，也可以如图13所示，檐部26的下面26a，随朝向贯通部20的中心向下方倾斜。图11的例子，可以使作为栅极电极的功能提高，在图13的例子中，因为间隙28的部分变窄，所以可以使电场集中变得更加容易，提高电子射出的大输出、高效率。
另外，在该第一实施形态中，如图14所示，在电气动作中，在上部电极14和下部电极16之间，成为形成由发射极部12引起的电容器C1和由各间隙28引起的多个电容器Ca的集合体的形状。亦即，由各间隙28引起的多个电容器Ca作为互相并联的一个电容器C2而构成，在等价电路中，成为在由集合体引起的电容器C2上串联由发射极部12引起的电容器C1的形状。
实际上，不是在由集合体引起的电容器C2上原样不变地串联由发射极部12引起的电容器C1，而是根据向上部电极14的贯通部20的形成个数或者全体的形成面积等，串联的电容器成分变化。
这里，如图15所示，例如在由发射极部12引起的电容器C1中，设想为其25％是和由集合体引起的电容器C2串联的场合，进行容量计算。首先，间隙28的部分因为是真空所以电容率为1。然后，把间隙28的最大间隔d取为0.1μm、一个间隙28的部分的面积取为S＝1μm×1μm，取间隙28的数目为10000个。另外，设发射极部12的电容率为2000、发射极部12的厚度为20μm、上部电极14和下部电极16的对向面积为200μm×200μm的话，则由集合体引起的电容器C2的容量值为0.885pF、由发射极部12引起的电容器C1的容量值为35.4pF。然后，在由发射极部12引起的电容器C1中，在和由集合体引起的电容器C2串联的部分取为全体的25％时，该串联的部分中电容值(包含由集合体引起的电容器C2的电容值的电容值)为0.805pF、剩余的电容值为26.6pF。
因为这些串联的部分和剩余的部分并联，所以全体电容值为27.5pF。该电容值，是由发射极部12引起的电容器C1的电容值35.4pF的78％。亦即全体电容值比由发射极部12引起的电容器C1的电容值小。
这样，关于由多个间隙28引起的电容器Ca的集合体，由间隙28引起的电容器Ca的电容值相对变小，从和由发射极部12引起的电容器C1的分压，外加电压Va几乎全部施加在间隙28上，在各间隙28中，可以实现电子射出的大输出化。
另外，因为由集合体引起的电容器C2，成为与由发射极部12引起的电容器C1串联的结构，所以全体电容值变得比由发射极部12引起的电容器C1的电容值小。因此，可以得到电子射出大输出、整体消费电力变小这样理想的特性。
再有，在该第一实施形态的电子射出元件10A中，因为使用玻璃基板11，所以容易作为大面积的板，而且，能够降低产品成本。另外，能够促进电子射出元件10A的制造的处理温度的低温化，能够实现设备的低成本化。作为玻璃基板11也可以使用结晶化玻璃。在这种场合，作为处理温度，和一般的玻璃不同，可以使用600～800℃的范围，扩展了材料选择的自由度。
下面参照图16～图18说明上述第一实施形态的电子射出元件10A的三个变形例。
首先，第一变形例的电子射出元件10Aa，如图16所示，贯通部20的形状，特别是从上面看的形状是切口44的形状，这点不同。作为切口44的形状，如图16所示，最好是连续形成多个切口44的梳齿状的切口46。在这种场合，在降低通过贯通部20射出的电子的射出分布的分散性、高效射出电子方面十分有利。特别是，理想的是切口44的平均宽度取大于等于0.1μm、小于等于10μm。该平均宽度，表示正交切口44的中心线的各个不同的多个线段的长度的平均。
第二变形例的电子射出元件10Ab，如图17所示，贯通部20的形状，特别是从上面看的形状是狭缝48，这点不同。这里，所谓狭缝48指长轴方向(纵向)的长度是短轴方向(横向)的长度的10倍以上。因此，可以把长轴方向(纵向)的长度不到短轴方向(横向)的长度的10倍的定义为孔32(参照图4)的形状。另外，作为狭缝也包含多个孔32连通联系在一起。在这种场合，理想的是，狭缝48的宽度大于等于0.1μm、小于等于10μm。这是因为在降低通过贯通部20射出的电子的射出分布的分散性、高效射出电子方面十分有利。该平均宽度，表示正交狭缝48的中心线的各个不同的多个线段的长度的平均。
第三变形例的电子射出元件10Ac，如图18所示，在发射极部12的上表面中，在对应贯通部20的部分、例如电介质的粒子边界的凹部24中存在浮动电极50，这点不同。在该种场合，因为浮动电极50也成为电子供给源，所以在电子的射出阶段(第二阶段)中，能够使多数电子通过贯通部20向外部射出。在这种场合，从浮动电极50射出电子可以认为是由浮动电极50/电介质/真空的三重结处电场集中引起的。
这里，说明第一实施形态的电子射出元件10A的特性，特别是电压—电荷量特性(电压—极化量特性)。
该第一实施形态的电子射出元件10A，在真空中，如图19所示，描绘出以基准电压＝0(V)为基准的非对称的磁滞曲线。
现在说明该特性，首先，在发射极部12中，在把射出电子的部分定义为电子射出部时，在施加基准电压的点p1(初始状态)，在所述电子射出部成为几乎没有积蓄电子的状态。其后，如施加负电压，则在所述电子射出部中，发射极部12反转极化的偶极子的正电荷量增加，伴随此，发生从第一阶段中的上部电极14朝向电子射出部的电子射出，就开始积蓄电子。当使负电压的电平在负方向上增大下去时，伴随向所述电子射出部的电子积蓄，在某负电压的点p2正电荷量和负电荷量成为平衡状态，若使负电压的电平在负方向上变大下去，电子的积蓄量进一步增加，伴随此，成为负电荷量比正电荷量多的状态。在点p3成为电子的积蓄饱和状态。这里的负电荷的量，是原样积蓄的剩余的电子的量和发射极部12反转极化的偶极子的负电荷量的合计。
其后，使负电压的电平开始变小，进而，超过基准电压施加正电压的话，在点p4，开始第二阶段中的电子的射出。如使该正电压在正方向变大，则电子的射出量增加，在点p5，正电荷量和负电荷量成为平衡状态。然后，在点p6，积蓄的电子几乎全部射出，正电荷的量和负电荷的量的差变得大体和初始状态相同。亦即，电子的积蓄几乎消失，是只有发射极部12极化的偶极子的负电荷在电子射出部呈现的状态。
于是，作为该特性的特征的部分，为以下几点。
(1)在取正电荷量和负电荷量是平衡状态的点p2处的负电压为V1、点p5处的正电压为V2时，|V1|＜|V2|。
(2)更详细说，是1.5×|V1|＜|V2|。
(3)在取点p2处的正电荷量和负电荷量的变化的比例为ΔQ1/ΔV1、点p5处的正电荷量和负电荷量的变化的比例为ΔQ2/ΔV2时，是(ΔQ1/ΔV1)＞(ΔQ2/ΔV2)。
(4)在取电子积蓄成为饱和状态的电压为V3、电子开始射出的电压为V4时，是1≤|V4|/|V3|≤1.5。
下面以电压—极化量特性的立场说明图19的特性。设想在初始状态，发射极部12在一个方向被极化，例如偶极子的负极成为朝向发射极部12的上面的状态(参照图20A)的场合来进行说明。
首先，如图19所示，在施加基准电压(例如0V)的点p1(初始状态)，如图20A所示，因为成为偶极子的负极朝向发射极部12的上面的状态，所以在发射极部12的上面上成为电子几乎不积蓄的状态。
其后，如施加负电压、并使该负电压的电平在负方向变大，则从超过负的矫顽电压的附近(参照图19的点p2)极化开始反转，在图19的点p3成为全部极化反转(参照图20B)。通过该极化反转，在上述三重结处发生电场集中，发生从在第一阶段中的上部电极14朝向发射极部12的电子射出，例如在发射极部12中，在从上部电极14的贯通部20露出的部分或上部电极14的边缘部附近的部分积蓄电子(参照图20C)。特别是，成为从上部电极14，朝向发射极部12中、从上部电极14的贯通部20露出的部分射出电子(内部射出)。然后，在图19的点p3成为电子积蓄的饱和状态。
其后，使负电压的电平继续变小，进而，如超过基准电压施加正电压的话，则到某电压电平之前，一直维持发射极部12的上面的带电状态(参照图21A)。若使正电压的电平进一步变大，在图19的点p4跟前，发生偶极子的负极开始朝向发射极部12的上面的区域(参照图21B)，进而，电平上升在图19的点p4以后，通过由偶极子的负极引起的库仑排斥力，开始射出电子(参照图21C)。如使该正电压在正方向上变大，则电子的射出量增加，从超过正的矫顽电压的附近(点p5)极化再次反转的区域扩大，在点p6，积蓄的电子几乎全部被射出，此时的极化量几乎和初始状态的极化量相同。
于是，作为该电子射出元件10A的特性的特征的部分，为以下几点。
(A)取负的矫顽电压为v1、正的矫顽电压为v2时，是|v1|＜|v2|。
(B)更详细说，是1.5×|v1|＜|v2|。
(C)在取施加负的矫顽电压v1时的极化的变化的比例为Δq1/Δv1、施加正的矫顽电压v2时的极化的变化的比例为Δq2/Δv2时，是(Δq1/Δv1)＞(Δq2/Δv2)。
(D)在取电子积蓄成为饱和状态的电压为v3、电子开始射出的电压为v4时，1≤|v4|/|v3|≤1.5。
第一实施形态的电子射出元件10A，因为具有上述那样的特性，所以可以简单地应用于具有对应多个像素排列的多个电子射出元件10A、通过由各电子射出元件10A的电子的射出使荧光体发光的光源或者进行像素显示的显示器。
下面，说明使用第一实施形态的电子射出元件10A构成的显示器或光源(以下记为显示器等100)。另外，在以下的说明中，关于显示器的单位元件记为“像素”，关于光源的单位元件记为“发光元件”。
该显示器等100，如图22所示，具有把多个电子射出元件10A对应像素排列成矩阵状或者Z字形状的本实施形态的电子射出装置(发光显示部)102、和用于驱动该发光显示部102的驱动电路104。在这一场合，可以给每一像素(发光元件)分配一个电子射出元件10A，也可以给每一像素(发光元件)分配多个电子射出元件10A。在该实施形态中，为说明简单，设想给每一像素(发光元件)分配一个电子射出元件10A的情况来进行说明。
该驱动电路104，对于发光显示部102布设为选择行的多个行选择线106，同样对于发光显示部102布设为供给数据信号Sd的多条信号线108。
再有，该驱动电路104，具有给行选择线选择性地供给选择信号Ss、在一个行单位中顺序选择电子射出元件10A的行选择电路110；向信号线108并行输出数据信号Sd、对于由行选择电路选择的行(选择行)分别供给数据信号Sd的信号供给电路112；和根据输入的影像信号Sv以及同步信号Sc控制行选择电路110以及信号供给电路112的信号控制电路114。
在行选择电路110以及信号供给电路112上连接电源电路116(例如50V以及0V)，特别是，在行选择电路110和电源电路116之间的负极线与GND(接地)间连接脉冲电源118。脉冲电源118输出在后述的电荷积蓄期间Td取为基准电压(例如0V)、在发光期间Th取为电压(例如-400V)的脉冲状的电压波形。
行选择电路110，在电荷积蓄期间Td对于选择行输出选择信号Ss，对于非选择行输出非选择信号Sn。另外，行选择电路110，在发光期间Th输出来自电源电路116的电源电压(例如50V)和来自脉冲电源118的电压(例如-400V)相加的恒定电压(例如-350V)。
信号供给电路112，具有脉冲生成电路120和振幅调制电路122。脉冲生成电路120，在电荷积蓄期间Td，生成并输出以一定的脉冲周期具有一定的振幅(例如50V)的脉冲信号Sp，，在发光期间Th，输出基准电压(例如0V)。
振幅调制电路122，在电荷积蓄期间Td，对应关于各选择行的像素(发光元件)的亮度级振幅调制来自脉冲生成电路120的脉冲信号Sp，作为关于各选择行的像素(发光元件)的数据信号Sd输出，在发光期间Th，原样不变输出来自脉冲生成电路120的基准电压。它们的定时控制以及向选择的多个像素(发光元件)的亮度级的振幅调制电路122的供给，通过信号控制电路114进行。
例如如在图23A～图23C中表示的三个例子，在亮度级低的场合，使脉冲信号Sp的振幅成为低电平Vsl(参照图23A)，在亮度级为中间的场合，使脉冲信号Sp的振幅成为中间电平Vsm(参照图23B)，亮度级高的场合，使脉冲信号Sp的振幅成为高电平Vsh(参照图23C)。在该例中，示出了分成为3个级别的例子，但是在应用于显示器等100的场合，对应像素(发光元件)的亮度级，把脉冲信号Sp振幅调制为例如128等级或256等级。
这里，参照图24～25C说明信号供给电路112的变形例。
该变形例的信号供给电路112，如图24所示，具有脉冲生成电路124和脉冲宽度调制电路126。脉冲生成电路124，在电荷积蓄期间Td，在电子射出元件10A上施加的电压波形(在图25A～图25C中用实线表示)中，上升部分的波形生成、输出电平连续地变化的脉冲信号Spa(在图25A～图25C中用虚线表示)，在发光期间Th，输出基准电压。然后，脉冲宽度调制电路126，在电荷积蓄期间Td中，对应关于各选择行的像素(发光元件)的亮度级调制来自脉冲生成电路124的脉冲信号Spa的脉冲宽度Wp(参照图25A～图25C)，作为关于各选择行的像素(发光元件)的数据信号Sd输出。在发光期间Th原样不变输出来自脉冲生成电路124的基准电压。在该场合，它们的定时控制以及对于选择的多个像素(发光元件)的亮度级的脉冲宽度调制电路126的供给，也通过信号控制电路114进行。
例如，如在图25A～图25C中表示的三个例子，在亮度级低的场合，使脉冲信号Spa脉冲宽度Wp缩短，使实质上的振幅为低电平Vsl(参照图25A)，在亮度级为中间的场合，使脉冲信号Spa的脉冲宽度Wp成为中间的长度，使实质上的振幅成为中间电平Vsm(参照图25B)，在亮度级高的场合，使脉冲信号Spa的脉冲宽度Wp变长，使实质上的振幅成为高电平Vsh(参照图25C)。这里，表示出3个例子，但是在应用于显示器等100的场合，对应像素(发光元件)的亮度级，把脉冲信号Spa脉冲宽度调制为例如128级或256级。
这里，如以对于图23A～图23C所示的脉冲信号Sp的3个振幅调制的例子、和对于图25A～图25C所示的脉冲信号Spa的3个脉冲宽度调制的例子之间的关联来观察上述使涉及电子的积蓄的负电压的电平变化的场合的特性图的变化，则在图23A以及图25A中所示的负电压的电平Vsl中，如图26A所示，在电子射出元件10A中积蓄的电子的量少。在图23B以及图25B中所示的负电压的电平Vsm中，如图26B所示，积蓄的电子的量处于中间，在图23C以及图25C中所示的负电压的电平Vsh中，如图26C所示，积蓄的电子的量多，成为几乎饱和的状态。
但是，如这些图26A～26C所示，开始射出电子的点p4的电压电平几乎相同。亦即，显然，在积蓄电子后，在到点p4所示的电压电平前施加电压即使变化，电子的积蓄量也几乎没有变化，发挥存储的效果。
另外，在把第一实施形态的电子射出元件10A作为显示器等100的像素(发光元件)使用的场合，如图27所示，在上部电极14的上方，例如，配置玻璃或丙烯酸玻璃制的透明板130，在该透明板130的里面(和上部电极14相对的面)配置例如由透明电极构成的集电极电极132，在该集电极电极132上涂布荧光体134。此外，在集电极电极132上通过电阻连接偏置电压源136(集电极电压Vc)。另外，电子射出元件10A当然，被配置在真空空间内。环境气体中的真空度，理想的是102～10-6Pa，更理想的是10-3～10-5Pa。
选择这样的范围的理由，是因为在低真空中，(1)因为空间内的气体分子多，所以容易生成等离子体，如过量发生等离子体的话，则其正离子大量地冲击上部电极14，有促进损伤的危险，或者(2)在射出电子到达集电极电极132之前冲击了气体分子，由用集电极电压Vc加速的电子引起的荧光体134的激励不能充分地被进行的危险。
另一方面，是因为在高真空中，虽然从电场集中的点容易射出电子，但却存在构造体的支持、以及真空的密封部分变大而不利于小型化的问题。
在图27的例子中，在透明板130的里面形成集电极电极132，在该集电极电极132的表面(与上部电极14相对的面)上形成荧光体134，但是，此外，也可以如图28所示，在透明板130的里面形成荧光体134，使覆盖该荧光体134那样形成集电极电极132。
这是在CRT等中使用的结构，集电极电极132作为金属敷层作用。从发射极部12射出的电子贯通集电极电极132进入荧光体134，激励该荧光体134。因此，集电极电极132是电子能够贯通程度的厚度，希望小于等于100nm。电子动能越大，可以把集电极电极132做得越厚。
通过做成这样的结构，可以起到以下的效果。
(a)在荧光体134不是导电性的场合，能够防止荧光体134的带电，维持电子的加速电场。
(b)集电极电极132反射荧光体134的发光，能够高效率地向透明板130侧(发光面侧)射出荧光体134的发光。
(c)能够防止向荧光体134的过度的电子冲击，能够防止荧光体134的恶化或者从荧光体134发生气体。
下面表示关于该第一实施形态的电子射出元件10A的4个实验例(第一到第四实验例)。
第一实验例，是观察电子射出元件10A的电子的射出状态的实验例。亦即，如图29所示，对于电子射出元件10A施加具有-70V的电压的写入脉冲Pw，使电子射出元件10A积蓄电子，其后，施加具有280V的电压的点亮脉冲Ph，使射出电子。电子的射出状态，用光接收元件(光二极管)检测荧光体134的发光来进行测定。检测波形在图29B中表示。此外，取写入脉冲Pw和点亮脉冲Ph的占空比为50％。
从该第一实验例可知，从点亮脉冲Ph上升途中开始发光，在该点亮脉冲Ph的初始阶段发光结束。因此，可以认为点亮脉冲Ph的期间即使更短也对发光没有影响。这点，关系到缩短高电压的施加期间，对于实现消费电力的降低十分有利。
第二实验例，是观察电子射出元件10A的电子的射出量，随图30所示的写入脉冲Pw的振幅如何变化的实验例。电子的射出量的变化，和第一实验例相同，用光接收元件(光二极管)检测荧光体134的发光来进行测定。实验结果在图31中表示。
在图31中，实线A表示取点亮脉冲Ph的振幅为200V、使写入脉冲Pw的振幅从-10V变化为-80V的场合的特性，实线B表示取点亮脉冲Ph的振幅为350V、使写入脉冲Pw的振幅从-10V变化为-80V的场合的特性。
如该图31所示，可知在使写入脉冲Pw从-20V变化为-40V的场合，发光亮度，几乎成直线变化。特别是，若在点亮脉冲Ph的振幅为350V的场合和200V的场合下进行比较的话，可知在350V的场合对于写入脉冲Pw的发光亮度变化的动态范围变宽，在实现图像显示中的亮度提高、对比度提高方面有利。这一倾向，可以认为是对于点亮脉冲Ph的振幅设定在到发光亮度饱和之前的范围内，越提高点亮脉冲Ph的振幅越有利，但是由于和信号传送系统的耐压或者消费电力的关系，希望设定为最合适的值。
第三实验例，是观察电子射出元件10A的电子的射出量，随图30所示的点亮脉冲Ph的振幅如何变化的实验例。电子的射出量的变化和第一实验例相同，用光接收元件(光二极管)检测荧光体134的发光来进行测定。实验结果在图32中表示。
在图32中，实线C，表示取写入脉冲Pw的振幅为-40V、使点亮脉冲Ph的振幅从50V变化为400V的场合的特性，实线D，表示取写入脉冲Pw的振幅为-70V、使点亮脉冲Ph的振幅从50V变化为400V的场合的特性。
如该图32所示，可知在使点亮脉冲Ph从100V变化为300V的场合，发光亮度几乎成直线变化。特别是，若在写入脉冲Pw的振幅为-40V的场合和-70V的场合下进行比较，可知在-70V的场合对于点亮脉冲Ph的发光亮度变化的动态范围变宽，在实现图像显示中的亮度提高、对比度提高方面有利。这一倾向，可以认为是对于写入脉冲Pw的振幅设定在到发光亮度饱和之前的范围内，越提高写入脉冲Pw的振幅(在该场合指绝对值)越有利，但是在该场合，由于和信号传送系统的耐压或者消费电力的关系，也希望设定为最合适的值。
第四实验例，是观察电子射出元件10A的电子的射出量，随图27或者图28所示的集电极电压Vc的电平如何变化的实验例。电子的射出量的变化和第一实验例相同，用光接收元件(光二极管)检测荧光体134的发光进行测定。实验结果在图33中表示。
在图33中，实线E，表示取集电极电压Vc的电平为3kV、使点亮脉冲Ph的振幅从80V变化为500V的场合的特性，实线F，表示取集电极电压Vc的电平为7kV、使点亮脉冲Ph的振幅从80V变化为500V的场合的特性。
如该图33所示，可知集电极电压Vc取7kV的一方，要比3kV的场合对于点亮脉冲Ph的发光亮度变化的动态范围变宽，在实现图像显示中的亮度提高、对比度提高方面有利。该倾向，可认为是越提高集电极电压Vc的电平越有利，但是在该场合，由于和信号传送系统的耐压或者消费电力的关系，也希望设定为最合适的值。
这里，参照图34以及图35说明上述的显示器等100的一个驱动方法。图34代表性地表示一行一列、两行一列以及n行一列的像素(发光元件)的动作。此外，这里使用的电子射出元件10A，具有图19的点p2处的矫顽电压v1例如为-20V、点p5处的矫顽电压v2为+70V、点p3处的电压v3为-50V、点p4处的电压v4为+50V的特性。
另外，如图34所示，在取一张图像的显示期间为一帧时，在该一帧内，包含有一个电荷积蓄期间Td和一个发光期间Th，在一个电荷积蓄期间Td内，包含n个选择期间Ts。因为各选择期间Ts成为分别对应的行的选择期间，所以对于不对应的n-1个行则成为非选择期间Tn。
然后，该驱动方法，在电荷积蓄期间Td中，扫描全体的电子射出元件10A，通过施加与像素(发光元件)的亮度级对应的电压，而该像素(发光元件)的亮度级分别对应于与ON对象(发光对象)的像素(发光元件)对应的多个电子射出元件10A，积蓄与像素(发光元件)的亮度级对应的量的电荷(电子)，而该像素(发光元件)的亮度级分别对应于与ON对象(发光对象)的像素(发光元件)对应的多个电子射出元件10A，在下面的发光期间Th，给全部电子射出元件10A施加一定的电压，使从对应ON对象的像素(发光元件)的多个电子射出元件10A，分别射出与对应的像素(发光元件)的亮度级对应的量的电子，使ON对象的像素(发光元件)发光。
进行具体地说明，如图35所示，首先，在第一行的选择期间Ts中，在第一行的行选择线106上，例如供给50V的选择信号Ss，在其他行的行选择线106上，例如供给0V的非选择信号Sn。在第一列的像素(发光元件)中，给要置成ON(发光)的像素(发光元件)的信号线108供给的数据信号Sd的电压，是大于等于0V、小于等于30V的范围，而且成为与各自对应的像素(发光元件)的亮度级对应的电压。如亮度级最大的话则成为0V。对应该数据信号Sd的亮度级的调制，通过图22所示振幅调制电路122或者图24所示脉冲宽度调制电路126进行。
由此，在分别对应于第一行的要置成ON的各像素(发光元件)的电子射出元件10A的上部电极14和下部电极16间分别对应亮度级施加大于等于-50V、小于等于-20V的电压。其结果，在上述各电子射出元件10A上积蓄对应施加的电压的电子。例如与第一行第一列的像素(发光元件)对应的电子射出元件，例如是最大亮度级，所以成为图19的特性的点p3的状态，在发射极部12中，在从上部电极14的贯通部20露出的部分，积蓄最大量的电子。
此外，供给与表示OFF(熄灭)的像素(发光元件)对应的电子射出元件10A的数据信号Sd的电压，例如是50V，由此，在与OFF对象的像素(发光元件)对应的电子射出元件10A上，施加0V，这就成为图19的特性的点p1的状态，不进行电子的积蓄。
在向第一行的数据信号Sd的供给结束后，在第二行的选择期间Ts中，在第二行的行选择线106供给50V的选择信号Ss，在其他行的行选择线106上供给0V的非选择信号Sn。在这一场合，也在对应要置成ON(发光)的像素(发光元件)的电子射出元件10A的上部电极14和下部电极16间，分别对应亮度级施加大于等于-50V、小于等-20V的电压。此时，在处于非选择状态的、例如与第一行的像素(发光元件)对应的电子射出元件10A的上部电极14和下部电极16间施加大于等于0V、小于等于50V的电压，但是，因为该电压是达不到图19的特性的点p4的电平的电压，所以在第一行中，不会从对应要置成ON(发光)的像素(发光元件)的电子射出元件10A射出电子。亦即，非选择状态的第一行的像素(发光元件)，不会受给选择状态的第二行的像素(发光元件)供给的数据信号Sd的影响。
以下同样，在第n行的选择期间Ts中，给第n行的行选择线106供给50V的选择信号Ss，给其他行的行选择线106供给0V的非选择信号Sn。在该场合，也在对应要置成ON(发光)的像素(发光元件)的电子射出元件10A的上部电极14和下部电极16间分别对应亮度级施加大于等于-50V、小于等于-20V的电压。此时，在对应处于非选择状态的1行～(n-1)行的各像素(发光元件)的电子射出元件10A的上部电极14和下部电极16间施加大于等于0V、小于等于50V的电压，但是，在这些非选择状态的各像素(发光元件)中，不会从对应要置成ON(发光)的像素(发光元件)的电子射出元件10A射出电子。
在经过了第n行的选择期间Ts的阶段，进入发光期间Th。在该发光期间Th中，在全部电子射出元件10A的上部电极14上，通过信号供给电路112施加基准电压(例如0V)，在全部电子射出元件10A的下部电极16上，施加-350V的电压(脉冲电源118的-400V+行选择电路110的电源电压50V)。由此，在全部电子射出元件10A的上部电极14和下部电极16之间施加高电压(+350V)。全部电子射出元件10A，分别成为图19的特性的点p6的状态，如图21所示，在发射极部12中，从所述积蓄了电子的部分通过贯通部20射出电子。当然，从上部电极14的外边缘部附近也射出电子。
亦即，从对应要置成ON(发光)的像素(发光元件)的电子射出元件10A射出电子，射出的电子，被传导到对应这些电子射出元件10A的集电极电极132，激励对应的荧光体134，使之发光。由此，从透明板130的表面显示图像。
以后同样，在帧单位中，在电荷积蓄期间Td，在对应要置成ON(发光)的像素(发光元件)的电子射出元件10A上积蓄电子，在发光期间Th，通过射出积蓄的电子使荧光体发光，从透明板130的表面显示运动图像或者静止图像。
这样，在第一实施形态的电子射出元件中，具有对应多个像素(发光元件)排列的多个电子射出元件10A，容易地用于通过从各电子射出元件10A射出电子进行图像显示的显示器等100。
例如，如上所述，在一帧内的电荷积蓄期间Td，扫描全部电子射出元件，施加与像素(发光元件)的亮度级对应的电压，而该像素(发光元件)的亮度级分别对应于与ON对象(发光对象)的像素(发光元件)对应的多个电子射出元件10A，由此，来积蓄与像素(发光元件)的亮度级对应的量的电荷，而该像素(发光元件)的亮度级分别对应于与ON对象(发光对象)的像素(发光元件)对应的多个电子射出元件10A，在下面的发光期间Th中，在全部电子射出元件10A上施加一定的电压，从对应ON对象的像素(发光元件)的多个电子射出元件10A分别射出与对应的像素(发光元件)的亮度级对应的量的电子，能够使ON对象的像素(发光元件)发光。
另外，在该第一实施形态中，例如电子积蓄成为饱和状态的电压V3，和电子开始射出的电压V4的关系，是1≤|V4|/|V3|≤1.5。
通常，例如，把电子射出元件10A排列成矩阵形状，与水平扫描期间同步在一行单位中选择电子射出元件10A，对于处于选择状态的电子射出元件10A分别供给与像素(发光元件)的亮度级对应的数据信号Sd时，在非选择状态的像素(发光元件)中，也供给数据信号Sd。
非选择状态的电子射出元件10A受数据信号Sd的影响例如射出电子的话，则存在引起显示图像的图像质量恶化或者对比度降低的问题。
但是，在该第一实施形态中，因为具有上述特性，所以把供给选择状态的电子射出元件10A的数据信号Sd的电压电平，取为从基准电压到电压V3的任意的电压，对于非选择状态的电子射出元件10A，即使做成例如设定成供给数据信号Sd的反极性的信号这样的简单的电压关系，非选择状态的像素(发光元件)也不会受由对选择状态的像素(发光元件)的数据信号Sd引起的影响。亦即，在各像素(发光元件)的选择期间Ts中积蓄的各像素(发光元件)的电子积蓄量(各电子射出元件10A中的发射极部12的带电量)，被维持到在下一发光期间Th中执行射出电子。其结果，可以实现各像素(发光元件)中的存储效果，可以实现高亮度、高对比度化。
另一方面，在该显示器等100中，在电荷积蓄期间Td中，在全部电子射出元件10A中积蓄必要的电荷，在其后的发光期间Th中，对于全部电子射出元件10A施加射出电子所必要的电压，使电子从与ON对象的像素(发光元件)对应的多个电子射出元件10A中射出，使ON对象的像素(发光元件)发光。
通常，在用电子射出元件10A构成像素(发光元件)的场合，为使像素(发光元件)发光，需要在电子射出元件10A上施加高电压。因此，在向像素(发光元件)扫描时积蓄电荷后进而使发光的场合，在显示一个图像的期间(例如一帧)需要施加高电压，存在消费电力变大的问题。另外，选择各电子射出元件10A、供给数据信号Sd的电路也需要做成是对应高电压的电路。
但是，在该例中，是在全部电子射出元件10A上积蓄电荷后，在全部电子射出元件10A上施加电压，来使对应ON对象的电子射出元件10A像素(发光元件)发光的。
因此，在全部电子射出元件10A上施加为使电子射出的电压(射出电压)的期间Th，当然比一帧短，而且，如从图29A以及图29B所示的第一实验例所知那样，可以使射出电压的施加期间缩短，因此，与在对像素(发光元件)扫描时进行电荷的积蓄和发光的场合相比，可以大幅度减低消费电力。
另外，因为分离了电子射出元件10A上积蓄电荷期间Td、和从与ON对象的像素(发光元件)对应的多个电子射出元件10A中射出电子的期间Th，所以，可以实现为在各电子射出元件10A上分别施加对应亮度级的电压的电路的低电压驱动。
另外，对应图像的数据信号以及电荷积蓄期间Td的选择信号Ss/非选择信号Sn，需要按每行或每列驱动，但是如在上述实施形态中所看到的，因为驱动电压可以是数十伏特，所以可以使用荧光显示管等中使用的廉价的多输出驱动器。另一方面，在发光期间Th，使电子充分射出的电压，有可能比所述驱动电压还大，但是因为可以汇总全部ON对象的像素(发光元件)来驱动，所以不需要多输出的电路部件。例如，因为只要是用耐高压的分立部件构成的单输出的驱动电路就行，所以除在成本上能低廉地实现之外，还存在能用小规模电路实现的优点。上述的驱动电压以及放电电压，通过把发射极部12的膜厚做薄，可以实现低电压化。因此，通过膜厚的设定，例如也可以将驱动电压做成数伏特。
再有，根据本驱动方法，因为分离为进行行扫描的第一阶段后，不进行行扫描的第二阶段的电子射出全部像素(发光元件)一齐进行，所以容易与分辨率、画面尺寸无关地确保发光时间，能够增大亮度。另外，因为在画面上一齐显示影像，所以能够显示无伪轮廓或图像模糊的运动图像。
下面参照图36说明第二实施形态的电子射出元件10B。
该第二实施形态的电子射出元件10B，如图36所示，具有和上述第一实施形态的电子射出元件10A几乎同样的结构，但是具有下述几点特征上部电极14的构成材料和下部电极16相同；上部电极14的厚度t比10μm厚；和使用腐蚀(湿腐蚀，干腐蚀)或剥离、激光等人为地形成贯通部20。贯通部20的形状，和上述第一实施形态相同，可以采用孔32的形状、切口44的形状、狭缝48的形状。
再有，上部电极14中的贯通部20的边缘部26的下面26a，朝向贯通部20的中心缓慢向上方倾斜。该形状，例如通过使用剥离可以简单地形成。
在该第二实施形态的电子射出元件10B中，和上述第一实施形态的电子射出元件10A同样，能够容易地发生高电场集中，而且能够制做多个电子射出位置，能够实现电子射出的大输出、高效率，也可以低电压驱动(低消费电力)。在这种场合，因为使用玻璃基板11，所以也容易做成大面积板，而且能够实现产品的低成本化。
另外，如图37所示的第一变形例的电子射出元件10Ba那样，也可以在发射极部12的上面中，在对应贯通部20的部分存在浮动电极50。
另外，如图38所示的第二变形例的电子射出元件10Bb那样，作为上部电极14，也可以形成截面形状被做成接近T字状的电极。
另外，如图39所示的第三变形例的电子射出元件10Bc那样，上部电极14的形状，特别是，也可以做成上部电极14的贯通部20的边缘部26向上翘起的形状。这点，可以事先让作为上部电极14的膜材料中，在烧结工序中包含气化的材料即可。由此，在烧结工序中，所述材料气化，作为其痕迹，在上部电极14上形成多个贯通部20的同时，形成贯通部20的边缘部26向上翘起的形状。
此外，本发明的电子射出元件，不言而喻，不限于上述实施形态，可以在不脱离本发明的宗旨的情况下，采用各种结构。
权利要求
1.一种电子射出元件，其特征在于，具有在玻璃基板(11)上形成的第一电极(16)；在所述第一电极(16)上形成的由电介质膜组成的发射极部(12)；和在所述发射极部(12)上形成的第二电极(14)；在所述第一电极(16)和所述第二电极(14)之间施加为射出电子的驱动电压(Va)，至少所述第二电极(14)具有露出所述发射极部(12)的多个贯通部(20)，在所述第二电极(14)中、所述贯通部(20)的边缘部(26)中的和所述发射极部(12)相对的面(26a)从所述发射极部(12)离开。
2.根据权利要求1所述的电子射出元件，其特征在于，在所述发射极部(12)中、在至少形成所述第二电极(14)的面上，形成由电介质的粒子边界引起的凹凸(22)，所述第二电极(14)，在对应所述电介质的粒子边界中的凹部(24)的部分形成所述贯通部(20)。
3.根据权利要求1或2所述的电子射出元件，其特征在于，所述第二电极(14)，是具有多个鳞片状的形状的物质(15)的集合体(17)，或者是包含具有鳞片状的形状的物质(15)的导电性物质(19)的集合体(21)。
4.根据权利要求1～3中任何一项所述的电子射出元件，其特征在于，所述第一电极(16)、所述发射极部(12)和所述第二电极(14)，在所述玻璃基板(11)的软化点以下的温度，在所述玻璃基板(11)上直接进行膜形成。
5.根据权利要求1～3中任何一项所述的电子射出元件，其特征在于，所述发射极部(12)，通过把在所述玻璃基板(11)的软化点以上的温度形成的板粘结在所述玻璃基板(11)上构成。
6.一种电子射出装置，其具有在玻璃基板(11)上形成的多个电子射出元件(10A)，其特征在于，所述电子射出元件(10A)，具有在所述玻璃基板(11)上形成的第一电极(16)；在所述第一电极(16)上形成的由电介质膜组成的发射极部(12)；和在所述发射极部(12)上形成的第二电极(14)；在所述第一电极(16)和所述第二电极(14)之间施加为射出电子的驱动电压(Va)，至少所述第二电极(14)具有露出所述发射极部(12)的多个贯通部(20)，在所述第二电极(14)中、所述贯通部(20)的边缘部(26)中的和所述发射极部(12)相对的面(26a)从所述发射极部(12)离开。
7.一种显示器，其特征在于，具有权利要求6所述的电子射出装置；在玻璃基板(11)中、和在所述电子射出装置中的形成了发射极部(12)的面相对配置的透明板(130)；在所述透明板(130)中、在和所述发射极部(12)相对的面上，用于在和所述电子射出装置中的电子射出元件(10A)之间形成电场的电极(132)；和在所述电极(132)上形成的荧光体(134)；使从所述电子射出元件(10A)射出的电子冲击所述荧光体(134)激励所述荧光体(134)，使之发光。
8.一种光源，其特征在于，具有权利要求6所述的电子射出装置；在玻璃基板(11)中、和在所述电子射出装置中的形成发射极部(12)的面相对配置的透明板(130)；在所述透明板(130)中、在和所述发射极部(12)相对的面上，用于在和所述电子射出装置中的电子射出元件(10A)之间形成电场的电极(132)；和在所述电极(132)上形成的荧光体(134)；使从所述电子射出元件(10A)射出的电子冲击所述荧光体(134)激励所述荧光体(134)，使之发光。
全文摘要
电子射出元件(10A)，具有在玻璃基板(11)上形成的下部电极(16)；在该下部电极(16)上形成的由电介质膜组成的发射极部(12)；和在该发射极部(12)上形成的上部电极(14)。在上部电极(14)和下部电极(16)之间施加为射出电子的驱动电压(Va)。至少上部电极(14)，具有露出发射极部(12)的多个贯通部(20)，在上部电极(14)中，贯通部(20)的边缘部(26)中的和发射极部(12)相对的面(26a)从发射极部(12)离开。
文档编号H01J63/02GK1871683SQ200480023469
公开日2006年11月29日 申请日期2004年12月28日 优先权日2004年12月28日
发明者武内幸久, 七泷努, 大和田岩 申请人:日本碍子株式会社