专利名称：一种大功率led灯的制作工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及LED灯的制作工艺技术领域，特指一种大功率LED灯的制作工艺。
背景技术：
LED灯由于具有优越的节能性收到越来越广泛的应用，大功率LED灯作为路灯等 大型公共场合照明用灯已经有取代现有卤素类路灯的趋势。一般而言，大型公共场合照明 用灯要求使用穿透性较好的黄光，而现有的黄光LED灯主要是利用蓝光LED芯片加荧光粉 激发而产生黄光，因此荧光粉的涂敷是大功率LED灯制作工艺中的关键之一。目前普遍采 用的涂敷方式是在LED芯片焊接好导线后，在芯片表面直接涂敷荧光粉，这种方式荧光粉 层很难涂敷均勻，而且厚度难以控制，导致LED灯发光效率低，光色不好；而中国申请号为 200710124607.0的专利申请公开了一种大功率LED芯片的荧光粉涂布工艺方法，该方法是 先利用LED芯片模型在周围形成一道透明硅胶围坝，再将荧光粉胶点在LED芯片表面上， 利用围坝和荧光粉胶的流动性使其涂敷均勻，这种方法虽然可以解决荧光粉涂敷均勻的问 题，但其操作起来十分复杂，效率低，而且容易碰坏其导线；此外，荧光粉直接与LED芯片直 接接触，不但影响LED芯片的散热和照明亮度，而且LED芯片的热量易使荧光粉加速老化， 减化荧光粉的作用，从而使大功率LED灯的使用寿命缩短。
发明内容
本发明的目的在于克服现有工艺的上述不足之处，提供一种操作简单、荧光粉涂 敷均勻、衰减小的大功率LED灯的制作工艺。本发明实现其目的采用的技术方案是一种大功率LED灯的制作工艺，所述大功 率LED灯包括LED支架、固定于所述LED支架上的多个LED芯片、导线、设置于所述LED支 架上并位于LED芯片外围的绝缘胶框，其中所述大功率LED灯的制作工艺包括如下步骤a.在LED支架表面点银胶衬底，将LED芯片置于银胶上，并烘干使LED芯片固定；b.在固定好的LED芯片之间焊接导线；c.在LED支架表面封一层底胶，使底胶覆盖所述LED芯片，并烘干；d.在所述底胶的表面均勻附着一层荧光粉胶层并烘干；e.最后在荧光粉胶层表面封装一层面胶并烘干。其中，所述步骤a中银胶的烘烤温度为140°C 160°C，烘烤时间为50 70分钟。所述步骤c中底胶的烘烤过程为在温度50°C 70°C之间烘烤10 20分钟；然 后在140°C 160°C之间烘烤25 35分钟。所述步骤d中荧光粉胶层的烘烤过程为分别在温度75°C 85°C、95°C 105°C、 115°C 125°C、145°C 155°C之间，各烘烤8 12分钟。所述步骤e中面胶的烘烤过程为先分别在温度45°C 55°C、55°C 65°C、 65°C 75°C之间各烘烤8 12分钟；然后在温度140°C 160°C之间烘烤20 40分钟。在完成所述步骤b、c、d、e后分别进行电路测试。
所述的底胶、荧光粉胶层、面胶所用的胶材为透明硅胶或者环氧树脂。本发明采用上述技术方案后，利用银胶来固定LED芯片，有利于LED芯片散热；而 在涂敷荧光粉胶层之前，先封一层底胶，使其平铺并覆盖LED芯片，既可避免点荧光粉时碰 坏导线，又使荧光粉层与LED芯片之间隔离，避免直接接触，有利于减慢荧光粉的衰老；此 外，本发明在封底胶、荧光粉胶层、面胶时采用分段式烘烤，既有利于各层次的均勻，也有利 于各层次之间结合得更好。
图1是本发明大功率LED灯的平面结构示意图；图2是本发明大功率LED灯的剖视图。
具体实施例方式下面结合具体实施例和附图对本发明进一步说明。如图1、2所示，本发明所述的大功率LED灯包括LED支架1，该LED支架1具有一 凹平面10，凹平面10用来布设若干LED芯片2，LED芯片2之间导线3，最外端导线3分别 连接正负极接脚31、32 ；在LED支架1的凹平面10外围设有一绝缘胶框4，该绝缘胶框4用 于封装过程中围住胶体，避免外溢。结合图2所示，本发明所述的大功率LED灯通过以下步骤制作a.在LED支架1表面点银胶5衬底，将LED芯片2置于银胶5上，排列时可根据 电路设计，将LED芯片2的正负极顺序排列好，以利于后续焊线操作；然后烘干使LED芯片 2固定；银胶5的烘烤温度为140°C 160°C，烘烤时间为50 70分钟。银胶主要起固定 LED芯片以及辅助LED芯片散热的作用；b.在固定好的LED芯片2之间焊接导线3 ；焊接导线3后进行电路测试，确定是否 有漏电，并及时修复，避免封装后出现不良品；c.在LED支架1表面封一层底胶6，使底胶6覆盖所述LED芯片2，并烘干；底胶6 的厚度以恰好覆盖LED芯片2的上表面为宜；底胶6的烘烤过程为在温度50°C 70°C之 间烘烤10 20分钟；然后在140°C 160°C之间烘烤25 35分钟，其目的是在温度不高 时使底胶慢慢扩散均勻并保持底胶6表面平整，再高温固化，避免一开始温度过高底胶未 扩散均勻就固化；d.在所述底胶6的表面均勻附着一层荧光粉胶层7并烘干；荧光粉胶是利用荧光 粉与胶体充分混合均勻，再涂敷到底胶6的表面形成荧光粉胶层7 ；荧光粉胶层7的烘烤 过程为分别在温度75°C 85°C、95°C 105°C、115°C 125°C、145°C 155°C之间，各烘烤 8 12分钟，其目的也是在温度较低时使荧光粉胶层扩散均勻以及与底胶结合好，并使荧 光粉均勻沉降至底胶6的表面，然后慢慢高温固化；e.最后在荧光粉胶层7表面封装一层面胶8并烘干，面胶8的烘烤过程为先 分别在温度45°C 55°C、55°C 65°C、65°C 75°C之间各烘烤8 12分钟；然后在温度 140°C 160°C之间烘烤20 40分钟，其目的是在低温时使面胶扩散均勻并与荧光粉胶层 结合更好，然后高温固化；本发明中所述的底胶6、荧光粉胶层7、面胶8中所用的胶材为透明硅胶或者环氧树脂，或者也可以为其他透明材料。 在完成所述步骤c、d、e后也可以分别进行电路测试，以进一步确保产品合格，避 免返工或产生不合格品。
权利要求
一种大功率LED灯的制作工艺，所述大功率LED灯包括LED支架(1)、固定于所述LED支架(1)上的多个LED芯片(2)、导线(3)、设置于所述LED支架(1)上并位于LED芯片(2)外围的绝缘胶框(4)，其特征在于所述大功率LED灯的制作工艺包括如下步骤a.在LED支架(1)表面点银胶(5)衬底，将LED芯片(2)置于银胶(5)上，并烘干使LED芯片(2)固定；b.在固定好的LED芯片(2)之间焊接导线(3)；c.在LED支架(1)表面封一层底胶(6)，使底胶(6)覆盖所述LED芯片(2)，并烘干；d.在所述底胶(6)的表面均匀附着一层荧光粉胶层(7)并烘干；e.最后在荧光粉胶层(7)表面封装一层面胶(8)并烘干。
2.根据权利要求1所述的一种大功率LED灯的制作工艺，其特征在于所述步骤a中 银胶(5)的烘烤温度为140°C 160°C，烘烤时间为50 70分钟。
3.根据权利要求1所述的一种大功率LED灯的制作工艺，其特征在于所述步骤c中 底胶(6)的烘烤过程为在温度50°C 70°C之间烘烤10 20分钟；然后在140°C 160°C 之间烘烤25 35分钟。
4.根据权利要求1所述的一种大功率LED灯的制作工艺，其特征在于所述步骤d 中荧光粉胶层(7)的烘烤过程为分别在温度75°C 85°C、95°C 105°C、115°C 125°C、 145°C 155°C之间，各烘烤8 12分钟。
5.根据权利要求1所述的一种大功率LED灯的制作工艺，其特征在于所述步骤e中 面胶(8)的烘烤过程为先分别在温度45°C 55°C、55°C 65°C、65°C 75°C之间各烘烤 8 12分钟；然后在温度140°C 160°C之间烘烤20 40分钟。
6.根据权利要求1所述的一种大功率LED灯的制作工艺，其特征在于在完成所述步 骤b、c、d、e后分别进行电路测试。
7.根据权利要求1所述的一种大功率LED灯的制作工艺，其特征在于所述的底胶 (6)、荧光粉胶层(7)、面胶(8)所用的胶材为透明硅胶或者环氧树脂。
全文摘要
本发明涉及LED灯的制作工艺技术领域，特指一种大功率LED灯的制作工艺。本发明制作工艺包括点银胶固晶、焊线、封底胶、涂附荧光粉胶层、封面胶等步骤，并分别采用分段式烘烤的方式烘干各步骤的胶体。本发明采用上述技术方案后，利用银胶来固定LED芯片，有利于LED芯片散热；而在涂附荧光粉胶层之前，先封一层底胶，使其平铺并覆盖LED芯片，既可避免点荧光粉时碰坏导线，又使荧光粉层与LED芯片之间隔离，避免直接接触，有利于减慢荧光粉的衰老；此外，本发明在封底胶、荧光粉胶层、面胶时采用分段式烘烤，既有利于各层次的均匀，也有利于各层次之间结合得更好。
文档编号F21V19/00GK101876406SQ20091025050
公开日2010年11月3日 申请日期2009年12月14日 优先权日2009年12月14日
发明者王骞 申请人:东莞市光宇新能源科技有限公司