专利名称：发光器件封装及照明系统的制作方法
技术领域：
本发明的实施例涉及一种发光器件封装，尤其涉及这样的一种发光器件封装，在该封装中，发光器件设置在引线框架之间以省去打线接合(引线接合，Wire bonding)。
背景技术：
发光二极管(LED)是利用化合物半导体的特征将电信号转化为光的器件，并在家用电器、遥控器、电子布告板、显示器、各种自动化机械等之中使用，而且LED的使用领域还 在逐渐增多。通常，将小型LED制作在表面安装的器件类型中，以便将其直接安装到印刷电路板(PCB)上，因此，用作显示器件的LED灯被发展成为表面安装的器件类型。这种表面安装器件可替代传统的灯，并且可以在产生多种颜色的开/关灯显示、字符表示器、图像显示等之中使用。为使这种LED工作，需将LED电连接到引线框架。如果LED通过打线接合而电连接到引线框架，则打线接合的可靠性就成为一个问题。
发明内容
本发明提出了一种发光器件封装，其包括设有凹部的本体；第一引线框架，安装在该本体上；第二引线框架，安装在该本体上并与该第一引线框架相分离；以及发光器件，安装在该凹部中并且设置在该第一引线框架与该第二引线框架之间，该发光器件包括依序堆叠的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，该第一导电型半导体层、该有源层和该第二导电型半导体层的依序堆叠的方向平行于该凹部的底面，该第一引线框架包括第一连接部，该第一连接部与该第一导电型半导体层电连接，该第二引线框架包括第二连接部，该第二连接部与该第二导电型半导体层电连接。该第一连接部和该第二连接部中的至少一者可包括透光电极。该发光器件封装还可包括粘合层，该粘合层设置在下列位置中的至少一者处该发光器件与该本体之间；该第一连接部与该本体之间；以及该第二连接部与该本体之间。在该第一导电型半导体层或该第二导电型半导体层的一个表面上可形成有电极图案(电极图形)，该电极图案与该第一连接部或该第二连接部接触。该电极图案可包含与该第一连接部或该第二连接部的材料相同的材料。该凹部沿向上的方向可具有固定的宽度，并且在该凹部的内表面上可设有反射层。该反射层可包含银(Ag)或者铝(Al)。该发光器件封装还可包括填充该凹部的树脂材料。该树脂材料可包含荧光粉和/或光扩散剂。该凹部可包括具有第一深度的第一凹部和具有第二深度的第二凹部，该第二深度大于该第一深度，该发光器件可安装在该第二凹部中。该第一凹部中可设有第一树脂层，而该第二凹部中可设有第二树脂层。该第一树脂层和该第二树脂层可包含荧光粉和/或光扩散剂。本发明还提出了一种照明装置，该照明装置包括上述的发光器件封装。根据本发明，发光器件为直立安装，由此在无需打线接合的情况下电连接到引线框架。因此，可以避免由引线所导致的从发光器件封装发出的光的亮度降低，根 据打线接合的制造成本可以降低，并且可以简化加工步骤。此外，使得沿与传统的发光器件封装不同的方向发光(照明)成为可能。
从以下结合附图的详细描述中，将会更清楚地理解本发明的多个实施例的细节，在附图中图I是根据一个实施例的发光器件封装的剖视图；图2是图I所示的发光器件的放大的立体图；图3是根据另一个实施例的发光器件封装的剖视图；图4是根据再一个实施例的发光器件封装的剖视图；图5A是示出根据一个实施例的照明装置的立体图；图5B是图5A的照明装置沿线C_C’截取的剖视图；图6是示出根据一个实施例的背光单元的分解立体图；以及图7是示出根据另一个实施例的背光单元的分解立体图。
具体实施例方式现在将详细介绍多个实施例，在附图中阐示了这些实施例的示例。然而，本发明可以具体化为不同的形式，并且不应被解释为仅限于这里所提出的实施例。恰恰相反，这些实施例的提出旨在使本发明更为透彻和完整，并且完全地将本发明的范围传达给本领域技术人员。本发明仅由权利要求书的范畴所限定。在某些实施例中，可能省略对本领域中广泛公知的装置/器件结构或者工艺的详细描述，以免干扰本领域普通技术人员对本发明的理解。在整个附图中将尽可能地使用相同的附图标记来表示相同或相似的部分。与空间相关的术语如“下方”、“下面”、“下部”、“上方”或“上部”在这里可用于描述如附图中所示的一个元件与另一个元件的相对关系。应理解的是，与空间相关的术语旨在包含除了附图中所描述的取向之外的该器件的不同取向。例如，如果在其中一幅附图中该器件位置被颠倒，则被描述成位于其它元件“下方”或“下面”的元件将被定向于这些其它元件“上方”。因此，示例性的术语“下方”或者“下面”可以包含上、下两个取向。由于该器件可沿另一方向被定向，因此可根据该器件的取向来解释这些与空间相关的术语。本发明中的术语是仅为了描述特定的实施例而采用，而并非是要限制本发明。当在说明书和随附的权利要求书中使用单数形式的“一”、“一个”和“该”时，它们同样包含了复数形式，除非在上下文中清晰地表明并非如此。还应理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，指明了所描述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是并不排除一个或者多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或增添。若非另有限定，所有在此使用的术语(包括技术术语和科学术语)具有相同的含义，这种含义是一个本领域的普通技术人员通常所理解的含义。还应理解的是，诸如那些在常用的词典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的背景及本发明中的含义相一致的含义，并且这些术语不应被解释为理想化的或者过于正式的意义，除非在此明确地做了这样的定义。在附图中，为描述方便以及清楚起见，每一个层的厚度和尺寸被放大、省略或者示意性地示出。并且，每个构成元件的尺寸和面积并不完全反映其实际的尺寸。用于描述根据本发明的实施例的发光器件的结构的角度和 取向是基于附图中所示出的角度和取向。在说明书中，若非没有限定发光器件的结构中的描述角度位置关系的参考点的情况，则相关的附图均可作参考。图I是根据一个实施例的发光器件封装的剖视图。参照图1，发光器件封装100可包括设置有凹部Cl的本体110 ;引线框架120，安装在本体110上；发光器件130，安装在凹部Cl中并且设置在这些引线框架120之间；以及填充凹部Cl的树脂材料150。本体110起到外壳的作用，凹部Cl形成在本体110的中心，以使发光器件130可以安装在凹部Cl中。此外，本体110围绕并支撑引线框架120，并且本体110可以由从以下一组物质中选取的至少一种物质构成的树脂所形成，这组物质例如包括聚邻苯二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、铝(Al)、氮化铝(AlN)、感光玻璃(PSG)、聚酰胺9T(PA9T)、间同立构聚苯乙烯(SPS)、金属、蓝宝石(Al2O3)、氧化铍(BeO)和印刷电路板(PCB)。特别地，本体110可由诸如具有透光特性的环氧树脂、丙烯酸树脂或者硅树脂等透光材料而形成，但是并不以此为限。如果本体110由透光材料形成，发光器件封装100可以沿侧向发光，并因此使侧面能够发光。本体110可通过注射成型、蚀刻成型等方法而形成，但并不以此为限。凹部Cl的上部敞开，该凹部Cl可以在本体110上形成，并且凹部Cl的内表面可以是倾斜的。从发光器件130发射的光的反射角可以根据凹部Cl的表面的倾斜角度的不同而变化，由此，可以调整发射到外面的光的定向角(orientation angle)。当光的定向角减小时，从发光器件130向外发出的光的会聚度增大，而另一方面，当光的定向角增大时，从发光器件130向外发出的光的会聚度减小。从顶部观看，本体110上形成的凹部Cl的形状可以是圆形、矩形、多边形或者椭圆形，特别地可以是具有弯曲角部的形状，但并不以此为限。引线框架120可以由金属形成，例如可以由从以下一组金属中选取的至少一种金属或者它们的合金所形成，这组金属包括钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、钼(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)、磷(P)、铝(Al)、铟(In)、钯(Pd)、钴(Co)、硅(Si)、锗(Ge)、铪(Hf)、钌(Ru)、铁(Fe)。此外，引线框架120可形成为具有单层结构或者多层结构，但并不以此为限。
此外，引线框架120可包括第一引线框架121和第二引线框架122，从而对其施加不同的电力。此处，第一引线框架121和第二引线框架122可彼此隔开指定的间距。发光器件130是一种半导体器件，其设置在第一引线框架121和第二引线框架122之间，并且通过从外部施加的电力而发出指定波长的光，发光器件130可基于(元素周期表中)第三族与第五族的化合物而形成，这些化合物例如为氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)、砷化镓(GaAs)等。例如，发光器件130可以是发光二极管。例如，这种发光二极管可以是发射红光、绿光、蓝光或者白光的发光二极管，或者发射紫外线的紫外线发光二极管，但并不以此为限。虽然本实施例示出了设置在发光器件封装100的中心位置的单个发光二极管，但是也可以在发光器件封装100上设置多个发光二极管。此外，发光器件130可以是上表面形成有电端子卧式发光器件，或者是上表面和下表面均形成有电端子立式发光器件。
参照图2，发光器件130可包括这样的结构在该结构中，第一导电型半导体层131、有源层(active layer) 132和第二导电型半导体层133依序地堆叠。第一导电型半导体层131可以由分子式为AlxInyGa(1_x_y)N(0
O彡x+y彡I)的半导体材料形成，例如从包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN的一组物质中选取的至少一种物质。此处，N可以被其它第五族的元素所替代。例如，第一导电型半导体层 131 可以由从包括 AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP和InP的一组物质中选取的至少一种物质所形成。例如，如果第一导电型半导体层131是N型半导体层，N掺杂剂可以包括Si、Ge、Sn、Se或者Te。有源层132可在第一导电型半导体层131的一个表面上形成。有源层132是这样一个区域，在该区域中电子和空穴再结合，并根据电子和空穴的再结合而转变为低能级，并产生具有相应波长的光。有源层132 可由具有分子式为 InxAlyGa(1_x_y)N(O ^ x ^ I, O ^ y ^ I, O ^ x+y ^ I)的半导体材料形成，并且可具有单量子势阱结构或多量子势阱(MQW)结构。因此，在量子势阱层的低能级下，较大数量的电子被聚集，因而电子与空穴再结合的可能性增加，从而提高发光效果。此外，有源层132可具有量子线结构或者量子点结构。第二导电型半导体层133可在有源层132的一个表面上形成。第二导电型半导体层133可以是P型半导体层，并且可以将空穴注入到有源层132中。例如，P型半导体层可以由分子式为InxAlyGa(1_x_y)N(0 ^ x ^ 1,0 ^ y ^ 1,0彡x+y ( I)的半导体材料形成，例如是从包括GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN和AlInN的一组物质中选取的至少一种物质，并且可以掺有Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba的P型掺杂剂。此外，可在第二导电型半导体层133的一个表面上形成第三导电型半导体层(图未示)。在此，第三导电型半导体层可以是与第二导电型半导体层133极性相反的半导体层。以上描述的第一导电型半导体层131、有源层132和第二导电型半导体层133可以通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)或者溅射法形成，但本发明并不以此为限。
此外，与以上的描述不同的是，第一导电型半导体层131可以是P型半导体层，而第二导电型半导体层133可以是N型半导体层，但本发明并不以此为限。发光器件130可安装在凹部Cl中，使得第一导电型半导体层131、有源层132和第二导电型半导体层133的堆叠方向与凹部Cl的底面平行。当以上述方式安装发光器件130时，由有源层132产生的光不沿发光器件封装100的向上的方向会聚，而是沿发光器件封装100的侧向传播，因此使发光器件封装100的配光图案(light distribution pattern)变宽。此外，如果本体110由如上文所述的透光材料形成，从发光器件130发出的光沿侧向传播，因此能够实现侧面发光。参照图2，在第一导电型半导体层131或第二导电型半导体层133的一个表面上可形成用以改善发光器件130的电流散布的电极图案135。电极图案135用于将发光器件
130电连接到第一连接部141或第二连接部142，并且可形成为多种形状。电极图案135可以由导电的材料形成，例如从包括铟(In)、钴(Co)、硅(Si)、锗(Ge)、金(Au)、钯(Pd)、钼(Pt)、钌(Ru)、铼(Re)、镁(Mg)、锌(Zn)、铪(Hf)、钽(Ta)、铑(Rh)、铱(Ir)、钨(W)、钛(Ti)、银(Ag)、铬(Cr)、钥(Mo)、铌(Nb)、铝(Al)、镍(Ni)和铜(Cu)中选取的一种，或者这一组中选取的至少两种的合金，并且可以由至少两种不同的材料堆叠而形成。如图2所示，电极图案135可包括若干弯曲部分，以使电流的散布最大化，但并不以此为限。参照图1，第一引线框架121可包括第一连接部141，电连接到第一导电型半导体层131 ;以及第二连接部142，电连接到第二导电型半导体层133。第一连接部141和第二连接部142可由导电材料形成，并且可选择性地采用透光的导电层和金属。例如，第一连接部141和第二连接部142可由选自以下一组物质中的至少一种物质所形成，这组物质包括氧化锡铟(ITO)、氧化锌铟(IZO)、氧化锡锌铟(IZTO)、氧化锌铝铟(IAZO)、氧化锌镓铟(IGZO)、氧化锡镓铟(IGTO)、氧化锌铝(AZO)、氧化锡锑(ATO)、氧化锌镓(GZO)、IZO 氮化物(IZON)、Al-Ga ZnO (AGZO)、Zn。、IrOx、RuOx、NiO, RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/Ir0x/Au/IT0、银(Ag)、镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铑(Rh)、钯(Pd)、铱(Ir)、锡(Sn)、铟(In)、钌(Ru)、镁(Mg)、锌(Zn)、钼(Pt)、金(Au)、铪(Hf)和铜(Cu)，但并不以此为限。此外，第一连接部141和第二连接部142可由与电极图案135相同的材料形成。凹部Cl可填充有树脂材料150以密封发光器件130。这里，树脂材料150可以是透光树脂材料，诸如硅或者环氧树脂等，并且可通过将这类材料填入凹部Cl之后，利用紫外线或者加热使该材料固化而成形。树脂材料150的表面可具有凹透镜形状、凸透镜形状、平直形状等，并且从发光器件130发出的光的定向角可以根据树脂材料150的形状来改变。此外，具有透镜形状的另一种树脂材料可以形成在树脂材料150的上表面或者附连到上表面，但本发明并不以此为限。树脂材料150可包括突光粉。在此,根据从发光器件130发出的光的波长来选择一种荧光粉，从而产生白光。
亦即，突光粉可由从发光器件130发出的第一波长范围的光激发，随之产生第二波长范围的光。例如，如果发光器件130是蓝色发光二极管而荧光粉是黄色荧光粉，该黄色荧光粉可由蓝色光激发并且发出黄色光，从蓝色发光二极管发出的蓝色光和从被蓝色光激发的荧光粉发出的黄色光混合，从而使发光器件封装100提供白光。类似地，如果发光器件130是绿色发光二极管，可以使用洋红色的荧光粉或者同时使用蓝色和红色的荧光粉，并且如果发光器件130是红色的发光二极管，可以使用蓝绿色的荧光粉或者同时使用蓝色和绿色的荧光粉。这些突光粉可以是已知的YAG基、TAG基、硫基、娃酸盐基、招基、氣基、碳基、氣化娃酸盐基(nitridosilicate base)、硼酸盐基、氟基以及磷酸盐基突光粉。图3是根据另一个实施例的发光器件封装的剖视图。参照图3，在本体210上形成的凹部C2的宽度D沿向上的方向可以是固定的。如果凹部C2的宽度D是固定的，则发光器件封装200的整体宽度可减小，这不同于如图I所·示的沿向上的方向宽度逐渐增大的凹部Cl，因此这可以使发光器件封装200变得轻薄。此夕卜，单位发光面积的发光量增大，因而提高了亮度。此外，在凹部C2的内表面上可形成反射层(图未示)。当形成了反射层(图未示)时，该反射层(图未示)将从发光器件230射向凹部C2的内表面的光沿发光器件封装200的向上的方向反射，从而提高了发光器件封装200的光提取效率。例如，反射层(图未示)可包括诸如银(Ag)或铝(Al)等金属，或者可以通过将具有不同折射率的若干层堆叠而形成，但并不以此为限。此外，粘合层250可以设置在以下位置中的至少一者处，这些位置为发光器件230和本体210之间、第一连接部241和本体210之间、以及第二连接部242和本体210之间。粘合层250可以具有粘性以便将发光器件230稳固地安装在凹部C2中，并且可以具有绝缘性以防止第一导电型半导体层231、有源层232和第二导电型半导体层233之间出现短路。图4是根据再一个实施例的发光器件封装的剖视图。参照图4，发光器件封装300可包括第一凹部C3和第二凹部C4。第一凹部C3可具有第一深度hi而第二凹部C4可具有大于第一深度hi的第二深度h2。第二凹部C4可在第一凹部C3的底面上形成，但并不以此为限。此外，如图4所示，每个引线框架320的至少一个区域可根据第一凹部C3和第二凹部C4的形状而被弯曲，但本发明并不以此为限。这里，在引线框架320的倾斜平面上可以形成反射层(图未示)。当形成了反射层(图未示)时，该反射层(图未示)将从发光器件330射向引线框架320的倾斜平面的光沿发光器件封装300的向上的方向反射。发光器件330可安装在第二凹部C4中，并且可设置在第一引线框架321和第二引线框架322之间。因此，发光器件330可被安装得比第一凹部C3的底面更深。第二树脂层352可通过向设有发光器件330的第二凹部C4的至少一个区域中填充树脂材料而形成。当第二凹部C4中填充有树脂材料时，发光器件330能够被更可靠地安装。此外，该树脂材料可以是具有透光性的环氧树脂、丙烯酸树脂或硅树脂，但并不以此为限。此外，可通过向第一凹部C3的至少一个区域填充树脂材料而形成第一树脂层351。
在图I至图4中示出的根据上述实施例的发光器件封装可构成照明系统(灯光系统)，并且该照明系统可包括照明装置或者背光源单元。以下描述照明装置和背光源单元。图5A示出了根据一个实施例的照明装置的立体图，而图5B是图5A的照明装置沿线C-C’的剖视图。以下，为了详细解释根据本实施例照明装置400的形状，将描述照明装置400的长度方向Z，垂直于长度方向Z的水平方向Y以及垂直于长度方向Z和水平方向Y的高度方向Xo也就是说，图5B是沿长度方向Z和高度方向X的平面切割图5A的照明装置400，并沿水平方向Y观看而产生的剖视图。参考图5A和图5B，照明装置400包括本体410、与本体410联接的罩430以及设置在本体410的两端的端盖450。
发光器件模块440联接到本体410的下表面，并且本体410可由具有卓越的传导性和散热效果的金属形成，以通过本体410的上表面将发光器件封装444产生的热量排出到外部。发出多种颜色的光的发光器件封装444可以多排地安装在PCB 442上以形成阵列。根据需要，发光器件封装444可以按相同的间距或者按多个不同的间隔距离安装在PCB442上，从而能够调节亮度。这种PCB 442可使用金属芯PCB(MCPCB)或者由FR4形成的PCB。发光器件封装444可包括设有多个孔并且由导电材料形成的膜。由于光波的相互作用，诸如由金属等导电材料制成的该膜可引起光的干涉，并从而使光波的强度增大，以有效地提取和扩散光，并且在该膜上形成的多个孔可通过从光源单元产生的光的干涉和衍射而促进光的有效的提取。因此，提高了照明装置400的效率。这里，在该膜上形成的多个孔的尺寸可以小于光源单元产生的光的波长。罩430可形成为圆柱形以包围本体410的下表面，但并不以此为限。罩430保护安装在其中的发光器件模块440免受外界异物的影响。此外，罩430可包括光扩散颗粒以避免由发光器件封装444产生的光刺激眼睛，并使光均匀地向外部发出，并且在罩430的内表面或者外表面的至少其一上面可形成棱镜图案。此外，可在罩430的内表面或者外表面的至少其一上面涂覆荧光粉。罩430具有卓越的透光性，以通过罩430将由发光器件封装444产生的光发出到外部，并且具有足够的耐热性以承受由发光器件封装444产生的热量。因此，罩430可由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等材料形成。端盖450可设置在本体410的两端，用于密封供电装置(图未示)。此外，在端盖450上形成多个供电引脚452，因而根据本实施例的照明装置400无需使用单独的装置便可附连到端子(传统的荧光灯可以从这种端子上拆下)上。图6示出了根据一个实施例的背光单元的分解立体图。图6示出了侧光型背光单元570和液晶显示装置500,该液晶显示装置500包括液晶显不面板510和为该液晶显不面板510提供光的背光单兀570。液晶显示面板510可利用从背光单元570提供的光来显示图像。液晶显示面板510可包括在液晶置入其间的情况下彼此相对设置的颜色过滤器基板512和薄膜晶体管基板 514。颜色过滤器基板512可产生通过液晶显示面板510显示的图像的颜色。薄膜晶体管基板514电连接到印刷电路板518，多个电路部分通过驱动膜517安装到印刷电路板518上。薄膜晶体管基板514可响应于从印刷电路板518提供的驱动信号而应用从印刷电路板518提供的驱动电压。薄膜晶体管基板514可包括薄膜晶体管以及在由诸如玻璃或者塑料等透明材料形成的基板上所形成的像素电极。背光单兀570包括输出光的发光器件模块520 ;导光板530,其将从发光器件模块520提供的光转变为表面光并随后将该表面光提供到液晶显示面板510 ;多个膜550、566和564，其使从导光板530提供的光的亮度均匀分配并且提高垂直入射的性能；以及反射板547,其将从导光板530的后表面发出的光朝向导光板530反射。
发光器件模块520可包括多个发光器件封装524以及PCB 522,上述多个发光器件封装524安装在该PCB 522上以形成阵列。特别地，发光器件封装524包括一膜，该膜的发光表面上设有多个孔，并可因此省略透镜，由此具有更轻薄的结构并提高光提取效率。因此，可以实现更薄的背光单元570。背光单元570的多个膜550、566和564可包括扩散膜566，其向液晶显示面板510扩散从导光板530入射的光；棱镜膜550，其聚集扩散光以提高垂直入射性能；以及保护膜564，其保护棱镜膜550。图7示出了根据另一个实施例的背光单元的分解立体图。这里，在对图7的部件的描述中，将省略与图6中的部件基本上相同的部分的描述。图7示出了直下型背光单元670和液晶显示装置600，该液晶显示装置600包括液晶显示面板610以及为该液晶显示面板610提供光的背光单元670。液晶显示面板610与图6的液晶显示面板510相同，因此将省略其详细描述。背光单兀670可包括多个发光器件模块623 ;反射板624 ;底盘630,其中容置发光器件模块623和反射板624 ;扩散板640,设置在发光器件模块623的上方；以及多个光学膜 660。发光器件模块623可包括PCB 621，多个发光器件封装622安装到该PCB 621上以形成阵列。特别地，发光器件封装622包括一膜，该膜由导电材料形成的并且在其发光表面设置有多个孔，并因此可以省略透镜，由此具有轻薄的结构并且可以提高光提取效率。因此，可以实现更薄的背光单元670。反射板624将从发光器件封装622发出的光朝向液晶显示面板610反射，因此增加光效率。从发光器件模块623发出的光向上入射到扩散板640,并且光学膜660设置在扩散板640上方。光学膜660包括扩散膜666、棱镜膜650和保护膜664。在根据上述实施例的发光器件封装和包括照明装置以及背光单元的照明系统中，发光器件为直立安装，由此在无需打线接合的情况下电连接到引线框架。因此，可以避免由引线所导致的从发光器件封装发出的光的亮度降低，根据打线接合的制造成本可以降低，并且可以简化加工步骤。此外，使得沿与传统的发光器件封装不同的方向发光(照明)成为可能。虽然已经参考多个示例性实施例对本发明的实施例进行描述，但应理解的是，本领域技术人员可以构思出由这些实施例的本质方面所涵盖的多种其它更改和应用。更特别地，在这些实施例的具体构成元件中进 行多种变型和更改是可能的。另外，应理解的是，与变型和更改相关的那些不同方面均落入由随附的权利要求书所限定的本发明的精神和范围之内。
权利要求
1.一种发光器件封装，包括 具有凹部的本体； 第一引线框架，安装在该本体上； 第二引线框架，安装在该本体上并与该第一引线框架相分离；以及 发光器件，安装在该凹部中，并且设置在该第一引线框架与该第二引线框架之间， 其中，该发光器件包括依序堆叠的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，并且该第一导电型半导体层、该有源层和该第二导电型半导体层的依序堆叠的方向平行于该凹部的底面，该第一引线框架包括第一连接部，该第一连接部与该第一导电型半导体层电连接，该第二引线框架包括第二连接部，该第二连接部与该第二导电型半导体层电连接。
2.根据权利要求I所述的发光器件封装，其中，该第一连接部和该第二连接部中的至少一者包括透光电极。
3.根据权利要求I所述的发光器件封装，还包括粘合层，该粘合层设置在下列位置中的至少一者处该发光器件与该本体之间；该第一连接部与该本体之间；以及该第二连接部与该本体之间。
4.根据权利要求I所述的发光器件封装，其中，在该第一导电型半导体层或该第二导电型半导体层的一个表面上形成电极图案，该电极图案与该第一连接部或该第二连接部接触。
5.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中，该电极图案包含与该第一连接部或该第二连接部的材料相同的材料。
6.根据权利要求I所述的发光器件封装，其中，该凹部沿向上的方向具有固定的宽度。
7.根据权利要求I所述的发光器件封装，其中，在该凹部的内表面上设有反射层。
8.根据权利要求7所述的发光器件封装，其中，该反射层包含银(Ag)或者铝(Al)。
9.根据权利要求I所述的发光器件封装，还包括填充该凹部的树脂材料。
10.根据权利要求9所述的发光器件封装，其中，该树脂材料包含荧光粉和光扩散剂中的至少一者。
11.根据权利要求I所述的发光器件封装，其中，该凹部包括具有第一深度的第一凹部和具有第二深度的第二凹部，该第二深度大于该第一深度，该发光器件安装在该第二凹部中。
12.根据权利要求11所述的发光器件封装，其中，该第一凹部中设有第一树脂层，而该第二凹部中设有第二树脂层。
13.根据权利要求12所述的发光器件封装，其中，该第一树脂层和该第二树脂层包含荧光粉和光扩散剂中的至少一者。
14.一种照明装置，包括根据权利要求I到13中任一项所述的发光器件封装。
全文摘要
本发明公开了一种发光器件封装。该发光器件封装包括设有凹部的本体；第一引线框架，安装在该本体上；第二引线框架，安装在该本体上并与该第一引线框架相分离；以及发光器件，安装在该凹部中并且设置在该第一引线框架与该第二引线框架之间，该发光器件通过依序地堆叠第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层而形成，该第一导电型半导体层、该有源层和该第二导电型半导体层的依序堆叠的方向平行于该凹部的底面，该第一引线框架包括第一连接部，该第一连接部与该第一导电型半导体层电连接的，该第二引线框架包括第二连接部，该第二连接部与该第二导电型半导体层电连接。本发明还公开了一种包括上述发光器件封装的照明系统。
文档编号F21K99/00GK102903836SQ201210062830
公开日2013年1月30日 申请日期2012年3月7日 优先权日2011年7月29日
发明者孔知云, 徐日 申请人:Lg伊诺特有限公司