基板处理装置以及基板处理方法

文档序号:3168016阅读:113来源:国知局
专利名称:基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法,对具有基板和设置在该基板上的膜面的被处理基板中的、膜面的边缘部照射激光来进行处理。
背景技术
以往,已知一种基板处理装置,对具有基板和设置在该基板上的膜面的被处理基板中的、膜面照射激光,该基板处理装置具备照射激光的激光照射装置;载台,在将膜面定位在下方的状态下仅支持被处理基板的周缘部;以及保持机构,从下方对被放置在该载台上的被处理基板的膜面进行支持,将被处理基板保持为平坦的状态;保持机构具有多个销形状的基板支持部(参照日本特开2001-111078号公报以及日本特开2002-280578号公报)。但是,在如现有技术那样通过销形状的基板支持部来支持膜面的情况下,基板支持部的按压力有可能对膜面产生不良影响。并且,很难将大型化的被处理基板保持为均勻的面,被处理基板会挠曲,膜面的处理精度变差。尤其是,在对膜面的边缘部进行加工时,仅通过内部的膜面来支撑被加工基板,对膜面产生的不良影响会进一步变大。

发明内容
本发明是考虑到这一点而做出的,其目的在于提供一种基板处理装置和使用了这种基板处理装置的基板处理方法,该基板处理装置不会对膜面产生不良影响而可靠地防止被处理基板挠曲,而且能够提高膜面的处理精度。本发明的基板处理装置对具有基板和设置在该基板上的膜面的被处理基板中的、 该膜面的边缘部进行处理,其中,该基板处理装置具备吸附保持部,在上述膜面位于上述基板另一侧的状态下,从一侧吸附保持上述被处理基板;激光照射装置,照射激光;以及激光移动部,使上述激光照射装置移动;在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置移动,由此对由上述吸附保持部保持的上述被处理基板中的上述膜面的边缘部进行处理。本发明的基板处理装置可以为,还具备一对定位部,对上述被处理基板进行夹持而进行定位;上述吸附保持部从一侧吸附保持由上述定位部夹持的上述被处理基板,在由上述吸附保持部保持了上述被处理基板之后,上述定位部释放该被处理基板。本发明的基板处理装置可以为,还具备旋转驱动部,通过使上述吸附保持部旋转而使上述被处理基板旋转;在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置沿着规定方向移动,由此对上述被处理基板的一个边缘部进行处理;之后,在通过上述旋转驱动部使上述被处理基板旋转之后,在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置沿着上述规定方向移动,由此对该被处理基板的其他边缘部进行处理。在这样的基板处理装置中可以为,上述激光照射装置的下端位于比上述吸附保持部的端部靠一侧的位置。本发明的基板处理装置可以为,上述吸附保持部具有与上述被处理基板抵接的抵接部和设置在该抵接部的面内的多个吸附部,上述抵接部具有金属板和设置在该金属板下表面的树脂片。本发明的基板处理方法对具有基板和设置在该基板上的膜面的被处理基板中的、 该膜面的边缘部进行处理,其中,该基板处理方法具备在上述膜面位于上述基板另一侧的状态下,通过吸附保持部从一侧吸附保持上述被处理基板的工序;从激光照射装置照射激光的工序;以及通过激光移动部使上述激光照射装置在水平方向上移动的工序;在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置移动,由此对由上述吸附保持部保持的上述被处理基板中的上述膜面的边缘部进行处理。本发明的基板处理方法可以为,在通过定位部夹持上述被处理基板之后,进行从一侧吸附保持上述被处理基板的工序,之后,由该定位部释放该被处理基板。本发明的基板处理方法可以为,在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置沿着规定方向移动,由此对上述被处理基板的一个边缘部进行处理;之后,在通过上述旋转驱动部使上述被处理基板旋转之后,在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置沿着上述规定方向移动,由此对该被处理基板的其他边缘部进行处理。根据本发明,在基板位于膜面的上方的状态下,通过吸附保持部从上方吸附保持该基板,从激光照射装置照射的激光来处理膜面的边缘部,因此不会对膜面产生不良影响, 能够可靠地防止被处理基板挠曲,进而能够提高膜面的处理精度。


图1是表示本发明实施方式的基板处理装置的吸附保持部、旋转驱动部以及激光照射装置的侧视图。图2是表示本发明实施方式的基板处理装置的吸附保持部以及旋转驱动部的侧视截面图。图3是对本发明实施方式的基板处理装置从上方观察的上方俯视图、和从侧面观察的侧视图。图4是表示在本发明实施方式的基板处理装置中,由定位部对被处理基板进行定位的定时、和由吸附保持部进行吸附保持的定时的侧视图。图5是表示在本发明实施方式的其他例子的基板处理装置中,由定位部对被处理基板进行定位的定时、和由吸附保持部进行吸附保持的定时的侧视图。图6是表示由本发明实施方式的基板处理装置处理的被处理基板的膜面的边缘部的范围的上方俯视图,和表示激光照射装置的运动的侧视图。图7是表示由本发明实施方式的基板处理装置对被处理基板的膜面的边缘部进行处理的方式的放大上方俯视图。图8表示由本发明实施方式的基板处理装置对被处理基板的膜面的边缘部依次进行处理的方式的上方俯视图。图9表示由本发明实施方式的其他例子的基板处理装置对被处理基板的膜面的边缘部依次进行处理的方式的上方俯视图。图10是对本发明实施方式的又一个其他例子的基板处理装置从侧面观察的侧视图。图11是对本发明实施方式的又一个其他例子的基板处理装置从上方观察的上方俯视图。
具体实施例方式实施方式以下,参照附图对本发明的基板处理装置以及基板处理方法的实施方式进行说明。此处,图1至图11是关于本发明的实施方式的图。基板处理装置用于对具有玻璃基板(基板)62和设置在该玻璃基板62上的膜面 61的被处理基板60中的、膜面61的边缘部61a、61b进行处理(参照图1)。另外,作为这种被处理基板60例如能够举出用于薄膜太阳能电池的基板。如图1以及图3(a)、(b)所示,基板处理装置具备吸附保持部10(参照图1),在玻璃基板62位于膜面61上方(一侧)的状态下,从上方(一侧)吸附保持被处理基板60 ; 激光照射装置20 (参照图1),照射激光L ;以及激光移动部22 (参照图3(a) (b)),使激光照射装置20在水平方向上移动。另外,图3(a)是对本发明实施方式的基板处理装置从上方观察的上方俯视图,图3(b)是从侧面观察该基板处理装置的侧视图。此处,基板处理装置构成为,在从激光照射装置20照射激光L的同时使该激光照射装置20沿着规定方向移动,由此对吸附保持部10所保持的被处理基板60的膜面61的边缘部6la、6Ib进行处理(参照图6(a)、(b)以及图7)。另外,图6 (a)是表示本实施方式的基板处理装置所处理的边缘部61a、61b的范围的上方俯视图,图6(b)是表示激光照射装置20的运动的侧视图。此外,图7是表示本实施方式的基板处理装置对膜面61的边缘部61a、61b进行处理的方式的放大上方俯视图。另外,图7的附图标记S表示从激光照射装置20对膜面61的边缘部61a、61b照射的激光L 的激光的光点。此外,吸附保持部10构成为,从上方吸附保持由定位部k、51 (后述)夹持的被处理基板60 (参照图4(a) ,(b)),另一方面,定位部5s、51构成为,在由吸附保持部10保持了被处理基板60之后,释放该被处理基板60。此外,如图1所示,在吸附保持部10的上部设置有旋转驱动部15,该旋转驱动部 15通过使该吸附保持部10旋转而使被处理基板60旋转。另外,在本实施方式中,利用在吸附保持部10的上部设置有旋转驱动部15的方式进行了说明,但是不仅限于此,例如也可以利用激光照射装置20和激光移动部22相对于吸附保持部10旋转的方式。此外,如图1以及图3(b)所示,激光照射装置20的下端位于比吸附保持部10的上端靠上方(比端部靠一侧)的位置上,即使在旋转驱动部15使吸附保持部10旋转时,吸附保持部10与激光照射装置20也不会碰撞。此外,如图2 (a)所示,吸附保持部10具有与被处理基板60抵接的抵接部11和设置在该抵接部11的面内的多个吸附部12。另外,在本实施方式中,抵接部11具有金属板 14和设置在该金属板14的下表面上的树脂片13。此外,如图3 (a)、(b)所示,在激光照射装置20以及激光移动部22的上游侧,设置有用于输送被处理基板60的一对输送部1。此外,在输送部1附近设置有一对定位部51, 在输送方向上对被处理基板60进行夹持而进行定位;和两对定位部&,在与输送方向正交的方向上对被处理基板60进行夹持而进行定位。接着,对具有这种构成的本实施方式的作用进行描述。另外,在后述说明中使用的图8(a)-(e)中,为了简化附图而仅示出了 1个激光照射装置20和激光移动部22,但是在本实施方式中,如图3(a)所示,使用一对激光照射装置20和激光移动部22。首先,通过输送部1来输送作为处理对象的被处理基板60 (参照图3 (a)、(b))。然后,当被处理基板60被输送到规定位置时,输送部1停止,由此被处理基板60的输送被停止。此时,成为玻璃基板62位于膜面61上方的状态,输送部1与膜面61中的后述的被激光L除去的部分抵接。接着,通过一对定位部51,使被处理基板60在输送方向上被夹持而被定位,并且, 通过两对定位部k,使被处理基板60在与输送方向正交的方向上被夹持而被定位(参照图 3(a)以及图 4(b))。接着,通过吸附保持部10,从上方吸附保持由定位部5s、51夹持的被处理基板 60(参照图4(a)、(b))。并且,在由吸附保持部10保持了被处理基板60之后,被处理基板 60被从基于定位部k、51的定位释放。因此,在由吸附保持部10吸附保持被处理基板60 时,能够防止被处理基板60相对于吸附保持部10偏移。更具体地说,若使用如下方式,在该方式中,首先,通过定位部5s、51来进行被处理基板60的定位(参照图5(a)),之后,在被处理基板60被释放之后(参照图5(b)),从上方吸附保持被处理基板60(参照图5(c)),则在由吸附保持部10吸附保持被处理基板60 时,被处理基板60有可能相对于吸附保持部10偏移。关于该点,根据本实施方式,在由吸附保持部10保持了被处理基板60之后,被处理基板60被从基于定位部k、51的定位释放(参照图4(a) ,(b)),因此在由吸附保持部10 吸附保持被处理基板60时,能够防止被处理基板60相对于吸附保持部10偏移,进而,能够将被处理基板60相对于吸附保持部10定位到正确的位置。若如上所述那样通过吸附保持部10保持被处理基板60,则通过吸附保持部10,将被处理基板60输送到激光加工位置(参照图3 (b))。接着,通过激光移动部22,使激光照射装置20在水平方向上移动(参照图6 (a)、 (b)以及图8(a)、(b))。然后,此时从激光照射装置20照射激光L。如此,在从激光照射装置20照射激光L的同时使该激光照射装置20沿着X方向(规定方向)移动,由此被处理基板60的膜面61的一个边缘部61a被处理。在本实施方式中,此时的激光照射装置20的运动为,沿着X方向移动之后,向Y方向的正方向(与X方向正交的方向且为被处理基板60内侧)移动,之后在沿着X方向的方向且与之前的X方向相反的方向上移动(参照图7以及图8(a)、(b))。另外,通过适当重复这种运动,能够在希望的范围内处理被处理基板60的一个边缘部61a。如上所述那样,若处理了被处理基板60的一个边缘部61a,则通过旋转驱动部15使被处理基板60旋转(参照图8 (c)),之后再次在从激光照射装置20照射激光L的同时使该激光照射装置20沿着X方向移动,处理被处理基板60的膜面61的另一个边缘部61b (参照图8(d)、(e))。因此,能够极力缩短激光照射装置20的移动距离,能够提高处理效率。更具体地说,在使用不通过旋转驱动部15使被处理基板60旋转的结构的情况下, 如图9的箭头A1 A8所示,必须要使激光照射装置20移动,激光照射装置20的移动距离变长,处理效率变差。与此相对,根据本实施方式,通过旋转驱动部15使被处理基板60旋转,因此能够极力缩短激光照射装置20的移动距离,能够提高处理效率(参照图8 (a)-(e))。此外,根据本实施方式,在玻璃基板62位于膜面61上方的状态下,通过吸附保持部10从上方吸附保持被处理基板60的玻璃基板62,因此位于下方的膜面61不会(如现有技术那样)被销形状的基板支持部按压。并且,根据本实施方式,能够由吸附保持部10对玻璃基板62中的除透射激光L的部分以外的较大范围进行保持,因此能够可靠地防止被处理基板60挠曲。由此,根据本实施方式,能够不对膜面61产生不良影响而可靠地防止被处理基板 60挠曲,进而能够提高膜面61的处理精度。S卩,根据现有技术,为了防止(大型化的)被处理基板60挠曲,需要通过多个销形状的基板支持部来支持膜面61,因此对膜面61产生不良影响的可能性变大。另一方面,在为了防止对膜面61产生不良影响而仅对膜面61中的要被激光L除去的部分(较窄的范围)进行支持的情况下,被处理基板60会较大地挠曲。与此相对,根据本实施方式,能够在玻璃基板62位于膜面61上方的状态下从上方吸附保持被处理基板60的玻璃基板62,并且通过吸附保持部10对玻璃基板62中的除透射激光L的部分以外的部分进行保持(参照图8(b) ,(e)),因此能够不对膜面61产生不良影响,而可靠地防止被处理基板60挠曲。另外,在本实施方式中构成为,激光照射装置20的下端位于比吸附保持部10的上端靠上方的位置(参照图1以及图3(b)),即使通过旋转驱动部15使吸附保持部10旋转时,吸附保持部10与激光照射装置20也不会碰撞,因此能够极力增大吸附保持部10的水平方向的大小,能够更可靠地防止被处理基板60挠曲。此外,抵接部11具有金属板14和设置在该金属板14的下表面的树脂片13(参照图2(a)),因此能够通过刚性较高的金属板14来防止吸附保持部10本身挠曲,并且,通过树脂片13能够防止被处理基板60损伤或者旋转时被处理基板60产生偏移。更具体地说,如图2(b)所示,在抵接部11不具有金属板14而仅由树脂部件13’ 构成的情况下,虽然通过树脂片13能够防止被处理基板60损伤或者旋转时被处理基板60 产生偏移,但是吸附保持部10本身有可能会挠曲。与此相对,在本实施方式中,如图2(a)所示,抵接部11具有金属板14并且还具有设置在该金属板14的下表面的树脂片13,因此能够通过刚性较高的金属板14来防止吸附保持部10本身挠曲,并且通过树脂片13能够防止被处理基板60损伤或者旋转时被处理基板60产生偏移。如上所述,根据本实施方式,能够不对膜面61产生不良影响而可靠地防止被处理基板60挠曲,进而,能够提高膜面61的处理精度,并且能够得到上述那样的各种效果。
然而,在本实施方式中,利用了通过吸附保持部10对玻璃基板62中的除透射激光 L的部分以外的部分进行保持的方式进行了说明,但是不限于此,也可以为,吸附保持部10 的至少与膜面61的边缘部相对应的部分由透射激光L的部件构成,吸附保持部10对玻璃基板62的整个面进行支持。在该情况下,能够更可靠地防止被加工基板60挠曲。此外,在上述说明中,利用了玻璃基板62位于上方侧、通过吸附保持部10从上方侧吸附保持该玻璃基板62的方式进行了说明,但是不限于此,也可以如图10(a)、(b)所示那样,玻璃基板62位于膜面61的下方侧,通过吸附保持部10从下方侧吸附保持该玻璃基板62。根据这种构成,由于布线等的关系而使得很难输送被加工基板60,因此例如也可以是,激光照射装置20配置在一对输送部1之间并且该激光照射装置20能够在一对输送部1之间移动,由此也能够对膜面61的边缘部进行处理(参照图10(a)、(b)以及图11)。 并且,在该情况下构成为,从输送部1将被加工基板60向上方抬起,通过旋转驱动部15使被抬起到上方的被加工基板60适当旋转。
权利要求
1.一种基板处理装置,对具有基板和设置在该基板上的膜面的被处理基板中的、该膜面的边缘部进行处理,其特征在于,该基板处理装置具备吸附保持部,在上述膜面位于上述基板另一侧的状态下,从一侧吸附保持上述被处理基板;激光照射装置,照射激光;以及激光移动部,使上述激光照射装置移动;在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置移动,由此对由上述吸附保持部保持的上述被处理基板中的上述膜面的边缘部进行处理。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于, 该基板处理装置还具备一对定位部,对上述被处理基板进行夹持而进行定位,上述吸附保持部从一侧吸附保持由上述定位部夹持的上述被处理基板,在由上述吸附保持部保持了上述被处理基板之后,上述定位部释放该被处理基板。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于, 该基板处理装置还具备旋转驱动部,通过使上述吸附保持部旋转而使上述被处理基板旋转, 在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置沿着规定方向移动,由此对上述被处理基板的一个边缘部进行处理;之后,在通过上述旋转驱动部使上述被处理基板旋转之后,在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置沿着上述规定方向移动,由此对该被处理基板的其他边缘部进行处理。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,上述激光照射装置的下端位于比上述吸附保持部的端部靠一侧的位置。
5.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,上述吸附保持部具有与上述被处理基板抵接的抵接部和设置在该抵接部的面内的多个吸附部,上述抵接部具有金属板和设置在该金属板下表面的树脂片。
6.一种基板处理方法,对具有基板和设置在该基板上的膜面的被处理基板中的、该膜面的边缘部进行处理,其特征在于,该基板处理方法具备在上述膜面位于上述基板另一侧的状态下,通过吸附保持部从一侧吸附保持上述被处理基板的工序;从激光照射装置照射激光的工序;以及通过激光移动部使上述激光照射装置在水平方向上移动的工序; 在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置移动,由此对由上述吸附保持部保持的上述被处理基板中的上述膜面的边缘部进行处理。
7.如权利要求6所述的基板处理方法,其特征在于,在通过定位部夹持上述被处理基板之后,进行从一侧吸附保持上述被处理基板的工序,之后,由该定位部释放该被处理基板。
8.如权利要求6所述的基板处理方法,其特征在于,在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置沿着规定方向移动,由此对上述被处理基板的一个边缘部进行处理;之后,在通过旋转驱动部使上述被处理基板旋转之后,在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置沿着上述规定方向移动, 由此对该被处理基板的其他边缘部进行处理。
全文摘要
基板处理装置对具有基板(62)和设置在该基板(62)上的膜面(61)的被处理基板(60)中的、该膜面(61)的边缘部(61a、61b)进行处理。基板处理装置具备吸附保持部(10),在基板(62)位于膜面(61)上方的状态下,从上方吸附保持被处理基板(60);激光照射装置(20),照射激光(L);以及激光移动部(22),使上述激光照射装置(20)在水平方向上移动。在从激光照射装置(20)照射激光(L)的同时使该激光照射装置(20)移动,由此对由吸附保持部(10)保持的被处理基板(60)中的膜面(61)的边缘部(61a、61b)进行处理。
文档编号B23K26/08GK102197463SQ200980142808
公开日2011年9月21日 申请日期2009年11月11日 优先权日2008年11月13日
发明者神户宽久 申请人:芝浦机械电子株式会社
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