触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种蚀刻系统，具体的说是一种触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统，包含带有透明导电镀层的触控面板、将所述触控面板上的透明导电镀层形成透明导电线路的蚀刻装置，所述蚀刻装置包含镭射头，所述触控面板上的透明导电镀层在所述镭射头的照射下烧灼形成所述透明导电线路。本实用新型的实施方式，采用镭射方式蚀刻线路，根据所需要的透明导电线路，将所述触控面板上需要去除的透明导电镀层用镭射方式去除，剩余部分的透明导电镀层形成触控面板的透明导电线路。同现有技术相比，因简化了蚀刻工艺，所以使生产成本大大降低，而且由于镭射蚀刻的特性是具有很高的精度，所以可以在触控面板上实现制作高精度的透明导电线路。
【专利说明】触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种蚀刻系统，具体的说是一种触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统。
【背景技术】
[0002]由于如今科技发展之快，其触控设备的普及率越来越高，比如手机、平板电脑、电视等设备都可以进行触控操作。目前市场上大多数的触控设备一般都设置有一块触控面板，用户可通过触控面板对相关设备进行操作，去除了相关设备上的功能按键，不仅提高了设备的一体化程度，而且增加了人机的互动性。
[0003]触控面板的工作原理是，在触控面板的表面复合有ITO导电薄膜，并通过蚀刻工艺，将ITO导电薄膜中的线路蚀刻出来，触控面板根据根据蚀刻出的线路进行工作。
[0004]而目前的蚀刻工艺一般采用湿蚀刻，其方式有两种:
[0005]方式一，在带有ITO薄膜的触控面板表面涂上光刻胶，然后用菲林遮盖，菲林上预先设计有表示触控面板的ITO线路，菲林在经曝光后去除，其中表示触控面板的ITO线路部分会在光刻胶上显影出来，把未被显影出来的光刻胶部分去除后，再用药水对该部分的ITO薄膜进行蚀刻，清洗后，在触控面板表面会留下所需要的ITO线路。
[0006]上述蚀刻方式的弊端在于:
[0007]1、工艺复杂，对生产环境要求很高；
[0008]2.该工艺对设备的要求非常高，生产成本相对较高；
[0009]3.工艺的步骤较多，对产品的良率有极大限制；
[0010]4.对蚀刻后的ITO线路的外观良率控制要求高。
[0011]方式二，在带有ITO薄膜的触控面板表面印刷有耐酸油墨，烘干后再用药水进行蚀刻，清洗后，在触控面板的表面留下所需要的ITO线路。
[0012]上述蚀刻方式的弊端在于:因没有预先设计ITO线路，所以在蚀刻时的精度低、对蚀刻线路宽度要求较高，做不了高精度线路。
实用新型内容
[0013]本实用新型为了克服现有技术的不足，设计了一种触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统，使其蚀刻在保证高精度的同时，简化了蚀刻的工艺步骤，并且提高了对产品的良率。
[0014]为了实现上述目的，本实用新型提供了一种触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统，包含带有透明导电镀层的触控面板、将所述触控面板上的透明导电镀层形成透明导电线路的蚀刻装置，所述蚀刻装置包含镭射头，所述触控面板上的透明导电镀层在所述镭射头的照射下烧灼形成所述透明导电线路。
[0015]本实用新型的实施方式，采用镭射方式蚀刻线路，根据所需要的透明导电线路，将所述触控面板上需要去除的透明导电镀层用镭射方式去除，剩余部分的透明导电镀层形成触控面板的透明导电线路。同现有技术相比，因简化了蚀刻工艺，所以使生产成本大大降低，而且由于镭射蚀刻的特性是具有很高的精度，所以可以在触控面板上实现制作高精度的透明导电线路。
[0016]优选的，所述透明导电镀层为铟锡氧化物ITO薄膜、碳纳米管薄膜或纳米银薄膜。用户可以根据需求进行选择。
[0017]优选的，所述镭射头的镭射线波长为800nm-1500nm。镭射头的扫描速度为800mm/s-2000mm/s,频率为80khz_250khz。镭射线宽0.0lmm-0.05mm。以适应各种蚀刻线路的工
艺要求。
[0018]优选的，所述触控面板为电容式触摸屏中的触控面板。所述电容式触摸屏通过触控面板上的透明导电线路进行工作。该电容式触摸屏可用于手机、平板电脑、电视等设备，以满足市场的需求。
[0019]优选的，所述触控面板为基于聚碳酸酯PC面板的触控面板、或基于聚对苯二甲酸乙二醇酯PET面板的的触控面板、或基于玻璃GLASS面板的触控面板。以满足市场的需求。
【专利附图】
【附图说明】、
[0020]图1为现有蚀刻系统的结构示意图；
[0021]图2为本实用新型第一实施方式的结构示意图。
【具体实施方式】
[0022]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本实用新型各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。
[0023]如图1所示，现有的工艺在带有ITO薄膜的触控面板I的表面涂上光刻胶，然后用菲林遮盖，菲林上预先设计有表示触控面板的ITO线路，菲林在经曝光后去除，其中表示触控面板的ITO线路部分会在光刻胶上显影出来，把未被显影出来的光刻胶部分去除后，通过药水喷头2对去除光胶部分的ITO薄膜喷洒药水进行蚀刻，清洗后，在触控面板表面会留下所需要的ITO线路。
[0024]上述蚀刻方式的弊端在于:
[0025]1、工艺复杂，对生产环境要求很高；
[0026]2.该工艺对设备的要求非常高，生产成本相对较高；
[0027]3.工艺的步骤较多，对产品的良率有极大限制；
[0028]4.对蚀刻后的ITO线路的外观良率控制要求高。
[0029]本实用新型的第一实施方式涉及一种触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统。如图2所示，包含带有透明导电镀层的触控面板3、将所述触控面板3上的透明导电镀层形成透明导电线路的蚀刻装置，所述蚀刻装置包含镭射头4，所述触控面板3上的透明导电镀层在所述镭射头的照射下烧灼形成所述透明导电线路。
[0030]本实施方式是采用镭射方式蚀刻线路，根据所需要的透明导电线路，将所述触控面板3上需要去除的透明导电镀层用镭射方式去除，剩余部分形成触控面板3的透明导电线路。同现有技术相比，因简化了蚀刻工艺，所以使生产成本大大降低，而且由于镭射蚀刻的特性是具有很高精度，所以可以在触控面板3上实现高精度的透明导电线路。
[0031]另外，本实施方式中的透明导电镀层可以使用铟锡氧化物ITO薄膜、碳纳米管薄膜或纳米银薄膜。用户可以根据实际的需求进行选择。
[0032]另外，在本实施方式中，镭射头4的镭射线波长为800nm-1500nm。镭射头4的扫描速度为800mm/s-2000mm/s,频率为80khz_250khz。儀射线宽为0.0lmm-0.05mm。以适应各种蚀刻线路的工艺要求。
[0033]本实用新型的第二实施方式涉及一种电容式触摸屏，第二实施方式是在第一实施方式的基础上做了进一步改进。具体改进为，触控面板3可作为电容式触摸屏中的触控面板。所述电容式触摸屏通过触控面板上的透明导电线路进行工作。该电容式触摸屏可用于手机、平板电脑、电视等设备，以满足市场的需求。并且触控面板为基于聚碳酸酯PC面板的触控面板、或基于聚对苯二甲酸乙二醇酯PET面板的触控面板、或基于玻璃GLASS面板的触控面板。以满足市场的需求。
[0034]本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本实用新型的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本实用新型的精神和范围。
【权利要求】
1.一种触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统，包含带有透明导电镀层的触控面板、将所述触控面板上的透明导电镀层形成透明导电线路的蚀刻装置，其特征在于:所述蚀刻装置包含镭射头，所述触控面板上的透明导电镀层在所述镭射头的照射下烧灼形成所述透明导电线路。
2.根据权利要求1所述的触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统，其特征在于:所述透明导电镀层为:铟锡氧化物ITO薄膜、碳纳米管薄膜或纳米银薄膜。
3.根据权利要求1所述的触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统，其特征在于:所述触控面板为电容式触摸屏中的触控面板。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统，其特征在于:所述触控面板为基于聚碳酸酯PC面板的触控面板。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统，其特征在于:所述触控面板为基于聚对苯二甲酸乙二醇酯PET面板的触控面板。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统，其特征在于:所述触控面板为基于玻璃GLASS面板的触控面板。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统，其特征在于:所述镭射头为镭射线波长为800nm-1500nm的镭射头。
8.根据权利要求7所述的触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统，其特征在于:所述镭射头为扫描速度为800mm/s-2000mm/s，频率为80khz-250khz的镭射头。
9.根据权利要求7所述的触控面板上形成透明导电线路的蚀刻系统，其特征在于:所述错射头为错射线宽为0.0lmm-0.05mm的错射头。
【文档编号】B23K26/36GK203390394SQ201320346979
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年6月18日 优先权日:2013年6月18日
【发明者】刘振国, 唐民超 申请人:苏州市健邦触摸屏技术有限公司