应用于激光退火设备的吹扫装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种应用于激光退火设备的吹扫装置，设置在激光退火设备工件台上方区域的周围，包括一组以上气流腔。本实用新型通过在激光退火设备工件台上方设置一组或多组气流腔，向工件台吹纯净气体，将硅片析出的金属离子及时吹走，同时阻止空气中的金属离子沉积到工件台上，从而在不影响激光退火设备使用效率和效果的前提下，实现了对工件台金属离子的有效控制，避免了金属离子对器件性能的影响。
【专利说明】应用于激光退火设备的吹扫装置
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及集成电路制造领域，特别是涉及硅片背面激光退火领域，更具体 地说，是涉及一种应用于激光退火设备的吹扫装置。
【背景技术】
[0002] 在IGBT (绝缘栅双极型晶体管）等工艺中，需要对硅片背面进行激光退火的步骤， 以实现对背面金属离子的激活。由于激光退火是硅片背面朝下的，且此时的硅片基本已完 成前道的工艺，因此部分金属会暴在面对着工件台的方向上，这些金属离子可能通过空气 传播，在工件台上产生沉积。同时，空气中的微量金属离子也会随着时间的增加而容易沉积 到工件台上。由于激光退火时是一个高温状态，且正面贴着工件台，这些原来沉积在工件台 上的金属离子容易在高温作用下通过保护层进入到器件中，影响器件的性能，甚至引起功 能的失效。
[0003] 通过跑控片的方式可以带走金属离子，但是跑控片的方式既增加工艺成本也影响 设备的有效利用率。通过使工件台不断地处于运动状态，也可以使这些金属离子不易沉积 到工件台上，但是工件台不断的处于运动状态不利于设备本身。 实用新型内容
[0004] 本实用新型要解决的技术问题是提供一种应用于激光退火设备的吹扫装置，它可 以有效控制金属离子沉积到工件台上。
[0005] 为解决上述技术问题，本实用新型的应用于激光退火设备的吹扫装置，设置在激 光退火设备工件台上方区域的周围，包括一组以上气流腔。
[0006] 本实用新型通过在激光退火设备工件台上方设置吹扫装置，吹走工件台上的金属 离子，同时阻止空气中的金属离子沉积到工件台上，在不影响激光退火设备使用效率和效 果的前提下，实现了对工件台金属离子的有效控制和改善，避免了金属离子对器件性能的 影响。
【专利附图】
【附图说明】
[0007] 图1是带本实用新型的吹扫装置的激光退火设备的工件台的结构示意图。
[0008] 图2?图5是本实用新型的吹扫装置的气流腔结构示意图。
【具体实施方式】
[0009] 为对本实用新型的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合附图，详述如 下：
[0010] 如图1所示，本实用新型的应用于激光退火设备的吹扫装置，设置在工件台上方 区域周围，主要由一组以上可以形成一定气流的气流腔组成。吹扫装置的位置高度和到工 件台的距离可调。吹扫装置可以只包含一组单向气流腔(见图2)，也可以包含两组双向气流 腔(见图3)，或包含多组多向气流腔(见图4);也可以将气流腔设计成环形(见图5)。
[0011] 吹扫装置可以和激光退火设备设计成关联装置，即：当激光退火开始时，吹扫装置 自动关闭气流，以避免由于局部高温引起硅片上方的气流波动，导致空气折射变化，影响退 火效果；当激光退火结束后，吹扫装置自动开启气流，向工件台吹纯净的气体（比如空气或 N2等)，并在工件台上方形成一定速度的气流(气流风速和强度可调)，将硅片中析出的金属 离子及时吹走，并使空气中的微量金属离子不易沉积在工件台上，以保持工件台不受金属 离子的污染。
[0012] 表1有无使用吹扫装置，对工件台金属离子数量的影响 [0013]
【权利要求】
1. 应用于激光退火设备的吹扫装置，其特征在于，设置在激光退火设备工件台上方区 域的周围，包括一组以上气流腔。
2. 根据权利要求1所述的吹扫装置，其特征在于，所述气流腔呈环形。
3. 根据权利要求1或2所述的吹扫装置，其特征在于，所述吹扫装置和激光退火设备相 关联，当激光退火开始时，吹扫装置自动关闭气流；当激光退火结束后，吹扫装置自动开启 气流，向激光退火设备工件台吹纯净的气体。
【文档编号】B23K26/142GK204135553SQ201320818003
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2013年12月12日 优先权日:2013年12月12日
【发明者】童宇锋, 胡荣星 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司