本实用新型涉及一种多晶硅还原炉钟罩氧化皮的清除装置，尤其涉及一种激光清除多晶硅还原炉钟罩氧化皮的装置。
背景技术：
还原炉作为多晶硅生产中最重要的设备之一，是整个多晶硅生产系统的“心脏”部件，也是影响实际产量最核心的工艺环节，生产出来的多晶硅质量的优劣完全取决于它。
目前，多晶硅还原炉的氧化皮的清除采用机械祛除和电化学祛除的方法，由于多晶硅氧化炉钟罩生产中产生的氧化附着物主要是硅元素的氧化物，其特点是硬度高，附着力强。机械祛除其氧化皮作业强度大，对本体材质容易造成损伤，作业时间长，一般不采用。而大多采用电化学(及电解)的方法来祛除氧化皮。而电化学对重量达几吨至几十吨的钟罩装置来进行操作，其搬运和运输难度及人力，物力颇为浩大，而且增加劳力成本。并且电化学使用电解原料也具有污染性。但综合各个利弊目前大多都采用此方法。而且处理一次的钟罩也只使用4～5次后能耗又逐渐升高至最高。而且电化学设备体积大，对于大体积对象使用一次耗时也得一至两天。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于，提供一种激光清除多晶硅还原炉钟罩氧化皮的装置。它不仅环保，且省时，省力，同时节约了企业生产成本，充分提高生产效率，为企业带来优厚的回报。
本实用新型的技术方案：一种激光清除多晶硅还原炉钟罩氧化皮的装置，包括绕圆周均匀分布的支撑台柱，所述支撑台柱中间设有支架；所述支架上端设有旋转工作盘，旋转工作盘中心设有Z轴向滑轨；所述Z轴向滑轨顶端设有X轴向滑轨，X轴向滑轨上设有激光发射头；所述绕圆周均匀分布的支撑台柱外设有激光发生器。
前述的激光清除多晶硅还原炉钟罩氧化皮的装置中，所述绕圆周均匀分布的支撑台柱设置为3个。
前述的激光清除多晶硅还原炉钟罩氧化皮的装置中，所述绕圆周均匀分布的支撑台柱外设有操作台，所述激光发生器安装在所述操作台上。
前述的激光清除多晶硅还原炉钟罩氧化皮的装置中，所述支架底部设有底座，底座通过螺栓固定在地面上。
前述的激光清除多晶硅还原炉钟罩氧化皮的装置中，所述操作台一侧设有登高梯。
与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：
本实用新型采用激光照射快速祛除多晶硅还原炉钟罩氧化皮，且不损伤多晶硅还原炉；本实用新型具有使用设备体积小，便携，机动性良好，操作简便灵活，功耗低，在使用中废物产生极少且便于清理，绿色环保，可就地解决不同规格型号大小的钟罩氧化皮的清除；本实用新型清除速度快捷，重达几十吨的还原炉钟罩的氧化皮去除也只需几十分钟，彻底解决了现有技术的不便利性，极大提高生产效率。综上所述，本实用新型不仅环保，且省时，省力，同时节约了企业生产成本，充分提高生产效率，为企业带来优厚的回报。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下结合优选实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
附图中的标记为：1-支撑台柱，2-支架，3-旋转工作盘，4-Z轴向滑轨，5-X轴向滑轨，6-激光发射头，7-多晶硅还原炉钟罩，8-操作台，9-激光发生器，10-登高梯，11-底座。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明，但并不作为对本实用新型限制的依据。
实施例。一种激光清除多晶硅还原炉钟罩氧化皮的装置，构成如图1所示，包括绕圆周均匀分布的支撑台柱1，所述支撑台柱1中间设有支架2；所述支架2上端设有旋转工作盘3，旋转工作盘3中心设有Z轴向滑轨4；所述Z轴向滑轨4顶端设有X轴向滑轨5，X轴向滑轨5上设有激光发射头6；所述绕圆周均匀分布的支撑台柱1外设有激光发生器9。
所述绕圆周均匀分布的支撑台柱1设置为3个。所述绕圆周均匀分布的支撑台柱1外设有操作台8，所述激光发生器9安装在所述操作台8上。
所述支架2底部设有底座11，底座11通过螺栓固定在地面上。
所述操作台8一侧设有登高梯10。
本实用新型的工作原理：多晶硅还原炉钟罩7体积大，质量重，在需要清除氧化皮时，将多晶硅还原炉钟罩7吊装在支撑台柱1上，启动激光发生器9，利用激光特殊功能对多晶硅还原炉钟罩7内壁进行照射，通过Z轴向滑轨4与X轴向滑轨5以及旋转工作盘3自动对钟罩自下而上旋转式扫描，X轴向滑轨5上设有激光发射头6可对钟罩内壁进行全方位氧化皮清理。
多晶硅还原炉钟罩7体积大，操作台8一侧设有登高梯10，便于操作人员登上操作台8上操作激光发生器9。
所述支架2底部设有底座11，底座11通过螺栓能将支架2稳固的安装在地面上。
以上所述是本实用新型的优选实施方式而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和变动，这些改进和变动也视为本实用新型的保护范围。