光束，但槽22b的深度小于0.5μπι时，利用激光束照射进行的金属薄膜22的表面22a的熔融和蒸镀变得不充分，难以形成充分的微细凹凸22c。另外是因为，槽22b的深度大于5μπι时，金属薄膜22的表面22a变得易于熔融飞散，相比较于蒸镀、该熔融飞散所导致的表面形成更处于支配地位，难以形成微细凹凸22c。
[0078]另外，第I实施方式的半导体装置I中，当金属薄膜22由Ni构成时，微细凹凸22c为以Ni2O3为主成分的构成。即，例如构成微细凹凸22c的成分中，80%为Ni203、10%为N1、10%为Ni。如此，在构成微细凹凸22c的成分中O的量多的Ni2O3的含量增多，由此在金属薄膜22与其他构件之间易于产生氢键或共价键，金属薄膜22与其他构件的密合力易于提高。
[0079]另外，第I实施方式的半导体装置I中，在构成微细凹凸22c的多个凸部22ca的至少一部分中形成凸部22ca的长宽比(凸部22ca的高度与宽度之比)为1:2以上的凸部22(^或者在相对于金属薄膜22的表面22a以45°以内的角度倾斜的方向上延伸的凸部22ca。因此，在第I实施方式的半导体装置I中，其他构件(例如成型树脂构件)易于咬入到金属薄膜22的表面22a与微细凹凸22c之间，易于确保金属薄膜22与其他构件(例如成型树脂构件)的密合性。
[0080]另外，第I实施方式的半导体装置I中，在金属薄膜22的表面22a附近的部分(图2中为金属薄膜22的表面22a以及金属薄膜22中比表面22a更靠下侧的部分)，从相对于表面22a的法线方向观察，遍及金属薄膜22的整个区域形成氧化膜。因此，该半导体装置I中，耐腐蚀性优异，即便是在腐蚀环境下也可以难以损害金属薄膜22与其他构件的密合性。
[0081]本公开基于实施例进行了叙述，但应该理解为本公开并非限定于该实施例或构造。本公开还包含各种变形例或均等范围内的变形。而且，各种组合或方式、进而在其中仅含一个要素或更多或更少要素的其他组合或方式也包含在本公开的范畴或思想范围内。
【主权项】
1.一种金属构件的表面加工方法，其是在由导电性金属材料构成的基材(21)的表面(21a)上设有金属薄膜(22)的金属构件(2)的表面加工方法，其中， 所述金属薄膜由以选自N1、Au、Pd、Ag中的至少I种为主成分的材料所构成， 通过对所述金属薄膜的表面(22a)以脉冲宽度为1μ秒以下照射能量密度为lOOJ/cm2以下的脉冲振荡的激光束，从而使所述金属薄膜的表面部分熔融或蒸发， 在所述熔融或蒸发之后使所述金属薄膜的表面部分凝固，从而将所述金属薄膜的表面进行粗糙化。2.根据权利要求1所述的金属构件的表面加工方法，其中，在所述熔融或蒸发中，从与所述金属薄膜的表面平行的至少一条直线上的不同的多个位置通过，沿着相对于所述金属薄膜表面的法线的方向配置所述激光束的光源，对所述金属薄膜的表面的所述直线上的多个位置照射所述激光束。3.根据权利要求2所述的金属构件的表面加工方法，其中，在所述熔融或蒸发中，通过沿着所述直线上使所述激光束的光源移动，对所述直线上的多个位置依次照射所述激光束。4.根据权利要求2或3所述的金属构件的表面加工方法，其中， 所述至少一条直线具有多个直线， 使该多个所述直线分别相互间平行。5.—种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有:成为具有所述基材和形成在所述基材的表面上的所述金属薄膜的构成的引线框(2);搭载于所述金属薄膜的表面的IC芯片(3);以及按照将所述IC芯片覆盖的方式且接触于所述金属薄膜的表面的方式设置的注塑树脂(4)，所述制造方法中， 使用权利要求1?4中任一项所述的金属构件的表面加工方法对所述金属薄膜的表面中与所述注塑树脂相接触的部分进行粗糙化。6.—种半导体装置，其具有:成为具有由导电性金属材料构成的基材(21)和形成在所述基材的表面(21a)上的金属薄膜(22)的构成的引线框(2);搭载于所述金属薄膜的表面(22a)的IC芯片(3);以及按照将所述IC芯片覆盖的方式且接触于所述金属薄膜的表面的方式设置的注塑树脂(4)，其中， 所述金属薄膜由以选自N1、Au、Pd、Ag中的至少I种为主成分的材料所构成， 在所述金属薄膜的表面中与所述注塑树脂相接触的表面部分上，设有按照以平行于所述基材的表面的直线状延伸的方式形成的、宽度为5?300μπι的槽(22b、22d)， 在所述金属薄膜的表面部分的所述槽的周围形成有多个凸部(22ca)， 形成有各所述凸部的平均高度为I?500nm、各所述凸部的平均宽度为I?300nm、各所述凸部间的平均间隔为I?300nm的尺寸的微细凹凸(22c)。7.—种半导体装置，其具有:成为具有由导电性金属材料构成的基材(21)和形成在所述基材的表面(21a)上的金属薄膜(22)的构成的引线框(2);搭载于所述金属薄膜的表面(22a)的IC芯片(3);以及按照将所述IC芯片覆盖的方式且接触于所述金属薄膜的表面的方式设置的注塑树脂(4)，其中， 所述金属薄膜由以选自N1、Au、Pd、Ag中的至少I种为主成分的材料所构成， 在所述金属薄膜的表面中与所述注塑树脂相接触的表面部分上，设有按照以平行于所述基材的表面的直线状延伸的方式形成的、宽度为5?300μπι的槽(22b、22d)， 在所述金属薄膜的表面部分的所述槽的内部形成有多个凸部(22ca)， 形成有各所述凸部的平均高度为I?500nm、各所述凸部的平均宽度为I?300nm、各所述凸部间的平均间隔为I?300nm的尺寸的微细凹凸(22c)。8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其中，所述微细凹凸由所述金属薄膜的材料发生氧化所形成的氧化物或者所述金属薄膜的材料与所述基材的材料的合金来构成。9.一种复合成型体，其具有:成为具有由导电性金属材料构成的基材(21)和形成在所述基材的表面(2Ia)上的金属薄膜(22)的构成的金属构件(2);以及介由软钎料(5)接合于所述金属薄膜的表面(22a)的电子部件(3)，其中， 所述金属薄膜由以选自N1、Au、Pd、Ag中的至少I种为主成分的材料所构成， 在所述金属薄膜的表面中配置有所述软钎料的区域的周围的至少一部分中设有宽度为5?300μπι的激光照射槽(22b、22d)，并且在所述槽的周围形成有多个凸部(22ca)， 形成有所述多个凸部的平均高度为I?500nm、所述多个凸部的平均宽度为I?300nm、所述多个凸部间的平均间隔为I?300nm的尺寸的微细凹凸(22c)。10.根据权利要求9所述的复合成型体，其中，在所述金属薄膜的表面中配置有所述软钎料的区域的周围遍及整个一周地形成有所述槽和所述微细凹凸。11.一种半导体装置，其具有:成为具有由导电性金属材料构成的基材(21)和形成在所述基材的表面(21a)上的金属薄膜(22)的构成的引线框(2);介由软钎料(5)接合于所述金属薄膜的表面(22a)的IC芯片(3);以及按照将所述IC芯片覆盖的方式且接触于所述金属薄膜的表面的方式设置的注塑树脂(4)，其中， 所述金属薄膜由以选自N1、Au、Pd、Ag中的至少I种为主成分的材料所构成， 在所述金属薄膜的表面中与所述注塑树脂相接触的部分和所述金属薄膜的表面中配置有所述软钎料的区域的周围的至少一部分中，设有宽度为5?300μπι的激光照射槽(22b、22d)，并且 在所述槽的周围形成有多个凸部(22ca)， 形成有所述多个凸部的平均高度为I?500nm、所述多个凸部的平均宽度为I?300nm、所述多个凸部间的平均间隔为I?300nm的尺寸的微细凹凸(22c)。12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，在所述金属薄膜的表面中配置有所述软钎料的区域的周围遍及整个一周地形成有所述槽和所述微细凹凸。13.根据权利要求2或3所述的金属构件的表面加工方法，其中， 所述至少一条直线具有多个直线， 所述的熔融或蒸发中，按照由各直线构成的照射范围相接触的方式照射所述激光束来形成槽。
【专利摘要】本发明的目的在于通过较以往为低能量密度的能量束来形成能够确保金属构件与其他构件的密合性的粗糙面或者可以抑制金属构件中的软钎料的扩散的粗糙面。本发明的基材(21)的表面上设有金属薄膜(22)的金属构件(2)的表面加工方法具有通过对所述金属薄膜的表面(22a)以脉冲宽度为1μ秒以下照射能量密度为100J/cm2以下的脉冲振荡的激光束、从而使所述金属薄膜的表面部分熔融或蒸发、在所述熔融或蒸发之后使所述金属薄膜的表面部分凝固、从而将所述金属薄膜的表面进行粗糙化，所述金属薄膜由以Ni、Au、Pd、Ag中的至少1种为主成分的材料所构成。
【IPC分类】B23K26/359, H01L21/50, H01L21/52, B23K26/00
【公开号】CN105722633
【申请号】CN201480060594
【发明人】小林涉, 林英二, 神田和辉
【申请人】株式会社电装
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2014年11月10日
【公告号】US20160207148, WO2015087482A1