真空连续晶化炉的制作方法

文档序号:3246709阅读:225来源:国知局
专利名称:真空连续晶化炉的制作方法
技术领域
本实用新型是一种真空连续晶化炉,属于冶金粉末制备技术领域,特别适用于钕铁硼及其他细晶、微晶合金粉末材料的制备。
背景技术
制备冶金粉末,特别是制备钕铁硼磁粉,经配料熔炼、快淬,得到快淬粉体,在压制粘结磁体前快淬粉必需进行晶化处理。晶化炉采用电阻在炉筒中心、对电阻四周转动的传送带上的磁粉加热晶化,磁粉从进料口传送到出料口,可得到晶化粉体。其不足之处在于1、传送带采用1Gr18Ni9Ti材料制成,因晶化温度接近1Gr18Ni9Ti材料的敏化区,其传送带材料晶相易形成贫铬,长期使用传送带容易硬化、龟裂、折断,造成损坏,并影响生产。
2、磁粉在传送带上是相对静止的,粉末受热不均匀,影响产品晶化质量。
3、粉末收集箱与晶化炉出料口的连接是开放式的,不能保证晶化粉末结构转变的同步性和晶粒度的细小均匀性。

发明内容
本实用新型的目的在于避免上述现有技术的不足而提供一种加热快速且均匀性好、晶化质量高的真空连续晶化炉。
本实用新型的目的可以通过以下措施来达到电机带动炉筒旋转,炉筒内膛有螺旋筋,炉筒外是加热电阻及保温层,出料口处由波纹管连接粉体冷却收集箱。
本实用新型的目的还可以通过以下措施来达到炉筒位于前后两对滚托上,滚轮和电机安装在可调水平角度的支架上;进料口侧支架的两只脚底部均安装有顶丝;出料口有隔离阀,与之连接的粉体冷却收集箱是不锈钢密封双层水冷却箱体;粉体冷却收集箱是两个安放于回转盘、且可互换位置的不锈钢密封双层水冷却箱体。
本实用新型相比已有技术具有如下优点晶化炉进料口与储料罐、晶化炉出料口与粉体冷却收集箱的连接是封闭结构,可实现抽真空或充排保护气体的工艺要求,在电加热器内转动的晶化室,其筒体内膛为螺旋筋结构,可翻动粉体均匀受热及推进粉体实现连续生产。晶化室升温快,粉体从进料口到出料口、在其中不停地运动,粉体快速均匀受热、快速冷却,能保证晶化过程中的合金粉末结构转变的同步性和晶粒度的细小均匀性,避免大晶粒的产生及氧化。


附图为本实用新型结构图其中1炉筒,2螺旋筋,3电加热器;4保温层;5电机;6收集箱;7波纹管;8回转盘;9支架;10滚托;11隔离阀;12顶丝。
具体实施方式
如图所示耐高温不锈钢管制作的炉筒(1)位于前后两对滚托(10)上,滚轮和电机安装在可调倾斜角度的支架(9)上,进料口侧支架(9)的两只脚底部均安装有顶丝(12),旋转顶丝(12),可调节支架(9)达到合适的倾斜角度,实现调节粉体在炉筒(1)内停留的时间。由电机(5)经链条带动炉筒(1)旋转,炉筒内膛有螺旋筋(2),炉筒外是电加热器(3)及保温层(4),出料口有波纹管(7)、隔离阀(11),与之连接的粉体冷却收集箱(6)是两个安放于回转盘(8)、且可不停止生产快速互换位置的不锈钢密封双层水冷却收集箱体,箱体(6)上装有真空表、压力表及充气、放气、安全阀、循环冷却水接头。
工作时,粉体从进料口进入由电机带动旋转的炉筒内,随炉膛上的螺旋筋均匀翻滚移动被传送到出料口,达到快速均匀加温,通过隔离阀门晶化后的粉体落入冷却收集箱,在箱体内即得到快速冷却,保证了晶化粉体结构转变的同步性和晶粒度的细小均匀性。
权利要求1.旋转式真空连续晶化炉,包括炉筒及电加热器,电机转动将粉体从进料口传送到出料口达到晶化,其特征在于电机(5)带动晶化室炉筒(1)旋转,炉筒内膛上有螺旋筋(2),炉筒外是电加热(3)及保温层(4),出料口处由波纹管(7)连接粉体冷却收集箱(6)。
2.如权利要求1所述的真空连续晶化炉,其特征在于晶化室炉筒(1)位于前后两对滚托(10)上,滚轮和电机安装在可调倾斜角度的支架(9)上。
3.如权利要求1或2所述的真空连续晶化炉,其特征在于可调倾斜角度的支架(9)是在进料口侧支架的两只脚底部均安装有顶丝(12)。
4.如权利要求1所述的真空连续晶化炉,其特征在于出料口有隔离阀(11),与之连接的粉体冷却收集箱(6)是不锈钢密封双层水冷却箱体。
5.如权利要求1或4所述的真空连续晶化炉,其特征在于粉末冷却收集箱(6)是两个相同的不锈钢密封双层水冷却箱体,均安放于回转盘(8)上、且可互换位置。
专利摘要真空连续晶化炉,属于冶金粉末制备技术领域,特别适用于钕铁硼及其他细晶、微晶合金粉末材料的制备。其特征是:电机(5)带动晶化室炉筒(1)旋转,炉筒内膛上有螺旋筋(2),炉筒外是电加热(3)及保温层(4),出料口处由波纹管(7)连接粉体冷却收集箱(6)。具有晶化室升温快,粉体从进料口到出料口快速均匀受热、快速冷却,能保证晶化过程中的合金粉末结构转变的同步性和晶粒度的细小均匀性,避免大晶粒的产生及氧化等优点。
文档编号B22F1/00GK2501886SQ0125641
公开日2002年7月24日 申请日期2001年10月29日 优先权日2001年10月29日
发明者宋云帆, 李博, 唐胜国 申请人:成都中核新材料股份有限公司
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