专利名称：研磨状况监视方法及其装置、研磨装置、半导体器件制造方法、以及半导体器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及制造例如ULSI等半导体器件的方法方面中，用于半导体器件的平坦化研磨等适合的研磨状况监视方法及其装置、研磨装置、半导体器件制造方法、以及半导体器件。
背景技术：
近年来，就半导体器件等表面全体平坦化技术来说，在采用化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing或Chemical MechanicalPlanarization，以下称为CMP)技术。CMP法是物理研磨上并用化学的作用(研磨剂、溶液产生的溶解)不断除去晶片表面凹凸的工序。进行用CMP法研磨的研磨装置，配备研磨体和保持研磨对象物的保持部，在上述研磨体与上述研磨对象物之间介以研磨剂的状态下，采用在上述研磨体与上述研磨对象物之间加上载重，而且使之相对移动的办法，研磨上述研磨对象物。
就CMP技术而言，就连进行研磨工序的(就地的)研磨状况监视(研磨量、膜厚或研磨终点的检测等)全成了问题，因此，为了提高工序效率也要求很高。
所以，最近，一般认为光学测定，即，不用分光的反射光测定或用分光反射测定的研磨状况监视(就地终点判定、就地膜厚测量等)是有效的(特许第2561812号公报，特开平11-33901号公报)。用进行这些光学测定的研磨状况监视的研磨状况监视装置，在CMP中，向作为研磨对象物的晶片照射测定光，基于从晶片得到的光，根据其反射率的变化或分光反射率的变化，在研磨中测出膜厚、研磨量或研磨终点。
而且从来，上述测定光，即使某个晶片的研磨完了，接着准备要研磨的晶片，经常以一定光量继续照射。所以，测出晶片研磨结束以后，该晶片从研磨位置(上述测定光的照射位置)到移动的期间，对该晶片也以一定光量继续照射上述测定光。
尽管，不是现有技术，但例如，用分光反射测定法进行研磨状况监视的研磨状况监视装置，要提高研磨状况监视精度，在研磨晶片等研磨对象物之前，可以考虑进行基准信号的取得和暗噪声的测量。基准信号的取得，可以考虑，例如采取用把晶片等搬送到研磨位置的搬送装置，将具有与晶片等同样大小有固定反射特性的基准反射镜搬送到研磨位置，使测定光照射到基准反射镜上的办法来进行。借助于预先取得基准信号，采用通过向研磨对象物照射测定光而获得的测定信号与基准信号比较的办法，提高研磨状况监视精度。并且，暗噪声的测量，可以考虑，例如采取用把晶片等搬送到研磨位置的搬送装置，将具有与晶片等同样大小有几乎完全光吸收特性的暗噪声测量部件搬送到研磨位置，使测定光照射到暗噪声测量部件上的办法来进行。该状态下从检测器得到的信号就表示由光学系统的散射光引起的噪声(光斑噪声)和检测器等电学系统的噪声两方面噪声(暗噪声)。通过预先测量暗噪声，采用由通过向研磨对象物照射测定光获得的测定信号减去暗噪声部分除去噪声部分的办法，提高研磨状况监视的精度。另外，以适当的频度定期地进行基准信号的取得和暗噪声的测量。
然而，研磨后也对晶片继续照射测定光的话，例如研磨具有Cu的加工晶片等场合，可以判明就有发生不合适的担心。现在，可以考虑，顺序形成由有PN结的晶体管等器件和SiO2构成的层间绝缘膜，进而关于整个其上形成Cu膜状态的加工晶片，以研磨上述Cu膜形成所谓镶嵌结构(damascene)的场合为例。该加工晶片只要是研磨Cu膜以前，即使光照射，由于Cu膜覆盖整个表面遮断该光，因而没有障碍。如果进行Cu膜的研磨的话，Cu膜徐徐变薄起来，不久层间绝缘膜的孔内部分以外的Cu膜被除去，形成镶嵌结构，结束研磨。这样，层间绝缘膜的孔内部分以外的Cu膜一被除去，介以露出的层间绝缘膜从外部来的光就到达pn结，在该pn结发生光电动势，因光电池效应，有蚀刻Cu(锈蚀)的危险。
并且，如上述一样，可以考虑采用基准信号的取得和测量暗噪声的办法提高研磨状况监视精度，然而利用晶片等搬送装置，把与晶片等相同大小的基准反射镜或暗噪声测量部件，而不是晶片等研磨对象物，搬送到研磨位置也行。但是，这种场合下，不可能并行进行往研磨对象物的研磨位置的或从研磨位置来的搬送和取得基准信号或测量暗噪声，有降低研磨生产率的担心。
发明内容
本发明是鉴于上述这样的事情而进行发明的，其目的在于提供一种或降低研磨状况监视用的测定光给研磨对象物造成的影响或不会造成影响的研磨状况监视方法及其装置、以及其利用的研磨装置。
并且，本发明的目的在于，通过降低或去掉研磨状况监视用测定光引起Cu膜锈蚀等问题发生的危险，能够提高成品率，因此与现有的半导体器件制造方法比较，提供一种能以低成本制造半导体器件的半导体器件制造方法，以及低成本的半导体器件。
进一步，本发明的目的在于，提供一种能够并行进行向研磨对象物的研磨位置或从研磨位置来的搬送和取得基准信号或测量暗噪声，能够提高研磨生产率的研磨状况监视装置。
本发明第1方案的研磨状况监视方法，就是在使测定光照射研磨对象物，根据通过上述测定光的照射由上述研磨对象物获得的光，其研磨中监视上述研磨对象物的研磨状况的研磨状况监视方法中，在检测上述研磨对象物的研磨终点以后，对上述研磨对象物遮断或减弱上述测定光。
按照该第1方案，在检测上述研磨对象物的研磨终点以后，对上述研磨对象物遮断或减弱研磨状况用的测定光，因而能够降低或去掉监视研磨状况用的测定光给研磨对象物造成的影响。
上述研磨对象物并没有特别加以限定，然而例如，在研磨对象物是具有Cu的加工晶片的场合，能够防止Cu受蚀刻。这一点后述的各方案中也同样。
本发明第2方案的研磨状况监视方法，就是在上述第1方案中，上述研磨状况的监视过程中重复，对上述研磨对象物照射上述测定光的第1期间，和对上述研磨对象物遮断或减弱上述测定光的第2期间。
即使是研磨对象物的研磨结束前，测定光照射研磨对象物的话，也往往测定光给研磨对象物带来坏影响。即使这种场合，按照第2方案，因为重复上述第1期间和第2期间，研磨状况的监视中也降低照射研磨对象物的全部光量，因而能够进一步降低测定光给研磨对象物造成的影响。另外，上述第2方案中，研磨状况监视过程中并不是经常以一定光量照射测定光，然而只要适当缩短上述第1和第2期间的重复周期，实质上就能够实时监视研磨状况。
本发明第3方案的研磨状况监视方法，就是在使测定光照射研磨对象物，根据通过上述测定光的照射由上述研磨对象物获得的光，其研磨中监视上述研磨对象物的研磨状况的研磨状况监视方法中，在上述研磨状况的监视过程中重复，对上述研磨对象物照射上述测定光的第1期间，和对上述研磨对象物遮断或减弱上述测定光的第2期间。
如上述第1和第2方案的那样，检测到研磨对象物的研磨终点以后，对研磨对象物遮断或减弱测定光是理想的。但是，如上述第3方案的那样，在研磨状况的监视过程中，如果重复上述第1和第2期间，研磨终点结束后不一定对研磨对象物遮断或减弱测定光，与现有技术比较也能降低测定光给研磨对象物造成的影响。
本发明第4方案的研磨状况监视装置，就是在使测定光照射研磨对象物，根据通过上述测定光的照射由上述研磨对象物获得的光，其研磨中监视上述研磨对象物的研磨状况的研磨状况监视方法中，具备响应研磨终点检测信号，对研磨对象物遮断或减弱上述测定光的第1测定光控制部。
按照该第4方案，就能够实现第1方案的研磨状况监视方法，降低或减弱用于监视研磨状况的测定光给研磨对象物造成的影响。
本发明第5方案的研磨状况监视装置，就是在上述第4方案中，上述第1测定光控制部包括电学上控制上述光源发光状态的控制部。
按照该第5方案，电学上控制光源，因而变成不需要后述的第6方案这样的机械式快门机构，可使构成变得简单，达到降低成本。例如，光源是白色LED等的LED，通过接通·断开流到该LED的电流就可以对研磨对象物通·断测定光，并且，采用降低流到该LED的电流的办法能够对研磨对象物减弱测定光。
作为本发明第6方案的研磨状况监视装置，就是上述第4方案中，上述第1测定光控制部包括机械式的快门机构。
如该第6方案的那样，利用机械式的快门机构构成第1测定光控制部的话，作为光源，如果用电学上的控制法使其接通·断开的话，在寿命、应答等方面即使采用有发生问题担心的光源(例如氙灯等)的场合，也能适当控制照射研磨对象物的测定光。另外，上述第4方案中，上述第1测定光控制部，也可以采用例如，液晶光闸等电光式的快门构成。
作为本发明第7方案的研磨状况监视装置，就是在上述第6方案中，上述快门机构包括用于获得基准信号的基准反射镜作为遮光部件。
按照该第7方案，快门机构的遮光部件，兼用获得基准信号用的基准反射镜，因而通过构成该快门机构的移动机构，就能在测定光的光路上使基准反射镜进出和退避。因为，与上述的现有研磨状况监视装置不同，能够与晶片等研磨对象物向研磨位置或从研磨位置来的搬送并行，对测定光的光路使基准反射镜进出和退避，取得基准信号。所以，按照上述第7方案，就能提高研磨的生产率。并且，快门机构的遮光部件与基准反射镜合用，因而构成变得简单，可以达到降低成本。
作为本发明第8方案的研磨状况监视装置，就是上述第6方案中，上述快门机构包括用于测量暗噪声的暗噪声测量部件作为遮光部件。
按照第8方案，快门机构的遮光部件兼用测量暗噪声用的暗噪声测量部件，因而通过构成该快门机构的移动机构，就能对测定光的光路使暗噪声测量部件进出和退避。因为，与上述的现有研磨状况监视装置不同，能够与晶片等研磨对象物向研磨位置或从研磨位置来的搬送并行，在测定光的光路上使暗噪声测量部件进出和退避，能够测量暗噪声。所以，按照上述第8方案，就能提高研磨的生产率。并且，快门机构的遮光部件与暗噪声测量部件合用，因而构成变得简单，可以达到降低成本。
作为本发明第9方案的研磨状况监视装置，就是上述第4到第8的任一方案中，包括第2测定光控制部，用于在上述研磨状况的监视过程中重复，对上述研磨对象物照射上述测定光的第1期间和对研磨对象物遮断或减弱上述测定光的第2期间。
按照该第9方案，就能实现上述第2方案的研磨状况监视方法，进一步降低监视研磨状况用的测定光给研磨对象物造成的影响。
作为本发明第10方案的研磨状况监视装置，就是上述第9方案中，兼用上述第1测定光控制部的至少一部分和上述第2测定光控制部的至少一部分。
上述第9方案中，上述第1和第2测定光控制部也可以互相独立构成，然而如上述第10的方案一样，由兼用至少一部分构成的话，构成将简单化，能够达到降低成本。
作为本发明第11方案的研磨状况监视装置，就是在使测定光照射研磨对象物，根据通过上述测定光的照射由上述研磨对象物获得的光，监视上述研磨状况的研磨状况监视装置中，包括测定光控制部，在上述研磨状况的监视过程中重复，对上述研磨对象物照射上述测定光的第1期间，和对上述研磨对象物遮断或减弱上述测定光的第2期间。
按照该第11方案，实现上述第3方案的研磨状况监视方法，与上述的现有技术比较的话，就能降低用于监视研磨状况的测定光给研磨对象物造成的影响。
作为本发明第12方案的研磨状况监视装置，就是在使测定光照射研磨对象物，根据通过上述测定光的照射由上述研磨对象物获得的光，监视上述研磨状况的研磨状况监视装置中，具备获得基准信号用的基准反射镜，和对上述测定光的光路使上述基准反射镜进出和退避的移动机构。
按照该第12方案，借助于移动机构，可对测定光的光路使基准反射镜进出和退避。因为，与上述的现有研磨状况监视装置不同，能够与晶片等研磨对象物向研磨位置或从研磨位置来的搬送并行，在测定光的光路上使基准反射镜进出和退避，能够取得基准信号。所以，按照上述第12方案，会提高研磨的生产率。
作为本发明第13方案的研磨状况监视装置，就是在使测定光照射研磨对象物，根据通过上述测定光的照射由上述研磨对象物获得的光，监视上述研磨状况的研磨状况监视装置中，具备测量暗噪声用的暗噪声测量部件，和对上述测定光的光路使上述暗噪声测量部件进出和退避的移动机构。
按照该第13方案，借助于移动机构，可对测定光的光路使暗噪声测量部件进出和退避。因为，与上述的现有研磨状况监视装置不同，能够与晶片等研磨对象物向研磨位置或从研磨位置来的搬送并行，在测定光的光路上使暗噪声测量部件进出和退避，能够测量暗噪声。所以，按照上述第13方案，会提高研磨的生产率。
作为本发明第14方案的研磨装置是，在具备研磨体和保持研磨对象物的保持部，研磨剂介于上述研磨体与上述研磨对象物之间的状态下，通过给上述研磨体与上述研磨对象物之间施加负荷，而且使其相对移动，研磨上述研磨对象物的研磨装置中，具备按照上述第4到第13任一个方案的研磨状况监视装置。
按照该第14的方案，具备按照第4到第13任一个方案的研磨状况监视装置，因而能够获得可以降低或去掉监视研磨状况用的测定光给研磨对象物造成影响这样的优点，以及，可以提高研磨生产率这样的优点或两方面的优点。
作为本发明第15方案的半导体器件制造方法是，具有使用按照上述第14方案的研磨装置使半导体晶片表面平坦化的工序。
按照该第15方案，用第14方按的研磨装置具备按照上述第4到第13的任一个方案的研磨状况监视装置，因为降低或去掉由研磨状况监视用测定光而引起Cu膜锈蚀等问题发生的担心，能够提高成品率，因此与现有的半导体器件制造方法比较，得到能够低成本制造半导体器件的优点。并且，按照上述第15方案，代替该优点或除该优点外，能够提高研磨的生产率，因此与现有的半导体器件制造方法比较，得到能够低成本制造半导体器件的优点。
作为本发明第16方案的半导体器件是，按照用第15方案的半导体器件制造方法制造的。按照该第16方案，能够提供一种低成本的半导体器件。
图1是典型地表示本发明第1实施例的研磨装置概略构成图。
图2是表示测定光对晶片的照射图形一例的定时图。
图3是表示测定光对晶片的照射图形另一例的定时图。
图4是典型地表示本发明第2实施例的研磨装置概略构成图。
图5是典型地表示本发明第3实施例的研磨装置概略构成图。
图6是表示本发明实施例的半导体器件制造工艺流程图。
具体实施例方式
以下，参照附图，对本发明的研磨状况监视方法及其装置、研磨装置、半导体器件制造方法、以及半导体器件进行说明。
图4是典型地表示本发明第2实施例的研磨装置概略构成图。图4中，对于与图1中的要素相同或对应的要素加上相同标号，其重复的说明省略。
本实施例与上述第1实施例不同之处，只是使用光源控制部34来代替快门机构13和快门机构控制部14这点。作为光源21，也使用通过对其电控制使之接通·断开，在寿命或响应性等方面不会发生问题的光源，例如，白色LED。光源控制部34电学上控制光源21的发光状态，以便实现对与上述第1实施例同样的图2中所示的这种晶片2的测定光照射图形。或者，光源控制部34电学上控制光源21的发光状态，以便实现对上述图3中所示的这种晶片2的测定光照射图形也行。另外，在图2和图3的OFF期间，不是完全停止光源21的发光，而是处于降低发光量的状态(减弱光强度状态)也行。
按照实施例，可以得到与上述第1实施例同样的优点。
图5是典型地表示本发明第3实施例的研磨装置概略构成图。图5中，对于与图1中的要素相同或对应的要素加上相同标号，其重复的说明省略。
本实施例与上述第1实施例不同之处，是以下说明的各点。即，本实施例中，去掉图1中的快门机构13和快门机构控制部14。另一方面，本实施例中，添加具有用于取得基准信号的规定反射特性的基准反射镜42、在全部光学元件等的位置对测定光的最晶片2侧光路作为进出和退避基准反射镜42的移动机构的电机43、具有用于测量暗噪声的几乎完全光吸收特性的暗噪声测量部件44、在全部光学元件等的位置对测定光的最晶片2侧光路作为进出和暗噪声测量部件44的移动机构的电机45、以及控制电机43、45的控制部41。
本实施例中，控制部41，从研磨控制部9介以信号处理部11接收基准信号取得开始指令(通常，在除晶片2研磨中外的适当定时发出指令。)，响应该指令，控制电机43使基准反射镜42进出光路。在基准反射镜42进出光路的时候，信号处理部11取进线性传感器31来的信号作为基准信号。该基准信号用作与研磨状况监视中通过对晶片2照射测定光而得到的线性传感器31来的测定信号进行比较的基准，按照该比较，进行上述膜厚等的运算。而且，控制部41在基准信号的取得结束时，响应从信号处理部11发出的基准信号取得结束指令，控电机43，使制基准反射镜42从光路退避。
并且，本实施例中，控制部41，从研磨控制部9介以信号处理部11接收暗噪声测量开始指令(通常，在除晶片2研磨中外的适当定时发出指令。)，响应该指令，控制电机45使暗噪声测量部件44进出光路。在暗噪声测量部件44进出光路的时候，信号处理部11取进线性传感器31来的信号作为暗噪声测量信号。该测量信号用于从由研磨状况监视中通过对晶片2照射测定光而得到的线性传感器31来的测定信号中扣除暗噪声部分，按照该扣除后的信号，进行上述膜厚等的运算。而且，控制部41，在暗噪声的测量结束时，响应从信号处理部11发出的暗噪声测量结束指令，控制电机45，使暗噪声测量部件44从光路退避。
按照本实施例，借助于电机43、45，使基准反射镜42和暗噪声测量部件44分别对测定光的光路进出和退避，就能够进行基准信号的取得和暗噪声的测量。所以，按照本实施例，与向晶片2的研磨位置的或从研磨位置来的搬送并行，能够进行基准信号的取得和暗噪声的测量，因而提高研磨的生产率。并且，按照本实施例，一面提高研磨的生产率，一面能够频繁地进行基准信号的取得和暗噪声的测量，因而可以按照最新的基准信号或暗噪声监视晶片2的研磨状况，甚至于，提高研磨状况的监视精度。
尽管，本实施例中，不一定需要实现如上述图2或图3中示出那样对晶片2的测定光照射图形，在研磨状况监视中和研磨结束后，也可以经常以一定光量照射照射光。
但是，在本实施例中，不言而喻，测定光给研磨对象物造成影响的场合，实现如上述图2或图3中示出那样对晶片2的测定光照射图形是理想的。这时，因为基准反射镜42或暗噪声测量部件44用作对晶片2遮断测定光的遮光部件，能够把电机43和基准反射镜42，或者，把电机45和暗噪声测量部件44兼用做与图1中的机械式快门机构13相当的快门机构。这种场合，因为控制部41也进行与图1中的快门机构控制部14同样的控制，只要构成控制部41就行。本实施例中，除电机43、45，反射镜42和部件44外，也可以设置图1中的快门机构13，然而如上述一样如果兼用，构成将简单化，能够达到降低成本。
图6是表示半导体器件制造工艺的流程图。开始进行半导体器件制造工艺，首先在步骤S200，从下面举出的步骤S201～S204中选择适当的处理工序。按照选择，进入步骤S201～S204的其中之一步骤。
步骤S201是氧化硅晶片表面的氧化工序。步骤S202是用CVD法等在硅晶片表面上形成绝缘膜的CVD工序。步骤S203是用蒸镀等工序，在硅晶片上形成电极膜的电极形成工序。步骤S204是向硅晶片注入离子的离子注入工序。
CVD工序或电极形成工序以后，进入步骤S209，判断是否进行CMP工序。不进行的场合进入步骤S206，进行的场合进入步骤S205。步骤S205是CMP工序，该工序中，利用本发明的研磨装置，进行层间绝缘膜的平坦化，或进行半导体器件表面金属膜(Cu膜等)的研磨而形成镶嵌结构等。
CMP工序或氧化工序以后，进入步骤S206。步骤S206是光刻工序。在光刻工序中，进行向硅晶片涂布光刻胶、使用曝光装置曝光给硅晶片复制电路图形、使曝光后的硅晶片显影。进而下面步骤S207是，用蚀刻法除去显影后光刻胶以外的部分，然后进行光刻胶剥离，完成蚀刻，除去不需要的光刻胶的蚀刻工序。
其次，在步骤S208，判断需要的全部工序是否完毕，如果完毕，就返回步骤S200，重复前面的步骤，在硅晶片上形成电路图形。在步骤S208，如果判断为全部工序都完了，就结束。
因为本发明的半导体器件制造方法，在CMP工序使用本发明的研磨装置，由于降低或去掉研磨状况监视用的测定光引起Cu膜的锈蚀等问题发生的担心，所以能够提高成品率，因此与现有的半导体器件制造方法比较，得到能够以低成本周知半导体器件的这个优点。并且，对本发明的半导体器件制造方法而言，代替这个优点或除这个优点外，会提高研磨的生产率，因此与现有的半导体器件制造方法比较，得到能够以低成本制造半导体器件的这个优点。因而，与现有的半导体器件制造方法比较，具有能以低成本制造半导体器件的这种效果。
另外，也可以把本发明的研磨装置用于上述半导体器件制造工艺以外的半导体器件制造工艺的CMP工序。
本发明的半导体器件是按照本发明的半导体器件制造方法制造的。因此，与现有的半导体器件制造方法比较，得到能够以低成本制造半导体器件，具有能够降低半导体器件制造成本的这种效果。
以上，虽然对本发明各实施例进行了说明，但是本发明不是限定于这些实施例。
如以上说明，本发明能够应用于，例如制造半导体器件之类，在其制造工艺中研磨晶片。
权利要求
1.一种研磨状况监视方法，是使测定光照射研磨对象物，根据通过上述测定光的照射由上述研磨对象物获得的光，在其研磨中监视上述研磨对象物的研磨状况，其特征是在测定上述研磨对象物的研磨终点后，对上述研磨对象物遮断或减弱上述测定光。
2.按照权利要求1所述的研磨状况监视方法，其特征是在上述研磨状况的监视过程中重复，对上述研磨对象物照射上述测定光的第1期间，和对上述研磨对象物遮断或减弱上述测定光的第2期间。
3.一种研磨状况监视方法，是使测定光照射研磨对象物，根据通过上述测定光的照射由上述研磨对象物获得的光，在其研磨中监视上述研磨对象物的研磨状况，其特征是在上述研磨状况的监视过程中重复，对上述研磨对象物照射上述测定光的第1期间，和对上述研磨对象物遮断或减弱上述测定光的第2期间。
4.一种研磨状况监视装置，是使测定光照射研磨对象物，根据上述测定光的照射而由上述研磨对象物获得的光，监视研磨状况，其特征是包括响应研磨终点检测信号，对研磨对象物遮断或减弱上述测定光的第1测定光控制部。
5.按照权利要求4所述的研磨状况监视装置，其特征是上述第1测定光控制部包括电学上控制上述光源发光状态的控制部。
6.按照权利要求4所述的研磨状况监视装置，其特征是上述第1测定光控制部包括机械式的快门机构。
7.按照权利要求6所述的研磨状况监视装置，其特征是上述快门机构包括用于获得基准信号的基准反射镜作为遮光部件。
8.按照权利要求6所述的研磨状况监视装置，其特征是上述快门机构包括用于测量暗噪声的暗噪声测量部件作为遮光部件。
9.按照权利要求4到8任一项所述的研磨状况监视装置，其特征是包括第2测定光控制部，用于在上述研磨状况的监视过程中重复，对上述研磨对象物照射上述测定光的第1期间，和对研磨对象物遮断或减弱上述测定光的第2期间。
10.按照权利要求9所述的研磨状况监视装置，其特征是兼用上述第1测定光控制部的至少一部分和上述第2测定光控制部的至少一部分。
11.一种研磨状况监视装置，使测定光照射研磨对象物，根据通过上述测定光的照射由上述研磨对象物获得的光，监视上述研磨状况，其特征是包括测定光控制部，用于在上述研磨状况的监视过程中重复，对上述研磨对象物照射上述测定光的第1期间，和对上述研磨对象物遮断或减弱上述测定光的第2期间。
12.一种研磨状况监视装置，是使测定光照射研磨对象物，根据通过上述测定光的照射由上述研磨对象物获得的光，监视上述研磨状况，其特征是包括获得基准信号用的基准反射镜，和对上述测定光的光路使上述基准反射镜进出和退避的移动机构。
13.一种研磨状况监视装置，使测定光照射研磨对象物，根据通过上述测定光的照射由上述研磨对象物获得的光，监视上述研磨状况，其特征是包括测量暗噪声用的暗噪声测量部件，和对上述测定光的光路使上述暗噪声测量部件进出和退避的移动机构。
14.一种研磨装置，包括研磨体和保持研磨对象物的保持部，研磨剂介于上述研磨体与上述研磨对象物之间的状态下，通过给上述研磨体与上述研磨对象物之间施加负荷，而且使其相对移动，研磨上述研磨对象物，其特征是还包括按照上述第4到第13任一个方案的研磨状况监视装置。
15.一种半导体器件制造方法，其特征是具有使用按照权利要求14所述的研磨装置，使半导体晶片表面平坦化的工序。
16.一种半导体器件，其特征是利用按照权利要求15所述的半导体器件制造方法制造的。
全文摘要
在晶片2的研磨中，使光源21发出的测定光照射到晶片2上，用线性传感器31检测其反射光的分光强度。信号处理部11按照传感器31来的检测信号，监视晶片2的研磨状况，检测晶片2的研磨终点。快门机构控制部14响应信号处理部11来的研磨终点检测信号，控制快门机构13的电机13b，使遮光部件13a进出测定光的光路，对晶片2遮断测定光。因此，能够降低研磨状况监视用的测定光给研磨对象物造成的影响。
文档编号B24B37/013GK1471725SQ01817897
公开日2004年1月28日 申请日期2001年11月7日 优先权日2000年12月4日
发明者松川英二 申请人:株式会社尼康