专利名称：薄膜形成装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜形成装置，具体涉及一种用于有机汽相沉积的薄膜形成装置，其中源气体与载运气体一起输送至真空室中的基底表面。
背景技术：
通常通过真空蒸发形成用于有机EL显示装置或如有机半导体激光器之类的低分子型有机EL发光装置的有机薄膜。
如图7所示，用于真空蒸发的真空蒸发淀积装置包括真空室51、设置在真空室51底部的蒸发源52、和在蒸发源52上方与其相对设置的基底座53。
为了使用如上所述的装置在基底S的表面上形成有机薄膜，将基底S安装在基底座53上，使所述表面向下。然后，用掩模(未示出)覆盖基底S的所述表面，在10-3至10-4Pa高真空度的真空室51中，加热有机原料，以便从蒸发源52中蒸发。因此，如箭头D所示，在源气体在真空室51中充分扩散的状态下，有机原料被汽相沉积在基底S的所述表面上。
近年来，提出了基于有机汽相沉积(OVPD)的有机汽相沉积装置作为形成有机薄膜的装置(专利申请2001-523768号的PCT国际公开)。
有机汽相沉积装置包括真空室、设置在真空室中的基底座、以及用于将气体输送到真空室中的气体输送装置。在减压气氛下，源气体与载运气体一起被输送至安装于真空室内的基底座上的基底表面，以便在该基底表面上形成有机薄膜。
当使用所述真空蒸发淀积装置和有机汽相沉积装置形成有机薄膜时，如果在形成有机薄膜时基底处于静止状态，则源气体不能均匀沉积在基底表面上，所形成的有机薄膜的膜厚度不均匀。因此，为基底座设置了转动装置或滑动装置，以调节膜厚度的分布。
但是，由于在真空蒸发淀积装置中，真空室内从蒸发源蒸发的源气体以扩散状态提供给设置在蒸发源上方的基底，即使为基底设置转动装置或滑动装置，也很可能倾向于将源气体输送至基底的中心部分，而不能输送到其端部。
同时，在有机汽相沉积装置中，由于源气体以气相状态下输送到真空室中，通过气体输送口输送的源气体很可能沿最短路径朝排气口流动。因此，为了将材料气体均匀地输送至基底表面，必须考虑到沿源气体的流动方向基底安装表面(substrate mounting face)能相对气体输送口移动。
据此，需要一种能将源气体均匀输送至基底表面的薄膜形成装置，以便在基底表面上可以形成膜厚均匀的有机薄膜。
发明内容
为了实现上述目的，本发明所提供的薄膜形成装置包括一真空室、一设置在真空室中的基底座、以及一向基底座的基底安装表面输送气体的气体输送端元件，其特征在于，将所述气体输送端元件形成为以细长矩形形状将气体输送至所述基底安装表面。
对于这种薄膜形成装置，由于将气体输送端元件形成为能将气体以细长矩形形状输送至基底安装表面，气体能以细长矩形形状输送至安装在基底安装表面上的基底表面。
另外，基底座包括一用于沿细长矩形形状的气体输送范围的短边方向移动基底座的基底安装表面的滑动装置，在输送气体时通过沿短边方向滑动基底安装表面，以细长矩形形状输送的气体可以在基底表面上沿短边方向扫描的同时进行输送。结果，来自薄膜形成部件的气体可以均匀沉积到基底的表面区域中，并形成膜厚均匀的薄膜。
另一方面，当沿细长矩形气体输送范围的短边方向平行设置多个气体输送端元件时，从气体输送口以细长矩形形状输送至基底表面的气体可以沿短边方向输送。因此，即使基底保持固定状态，来自薄膜形成部件的气体也可以均匀沉积在基底的表面区域中，并可形成膜厚均匀的薄膜。
图1A为第一实施方式的薄膜形成装置的示意图，图1B为该薄膜形成装置的部分放大视图；图2A至2C为第一实施方式中气体输送端元件不同实例的透视图；
图3A是第二实施方式的薄膜形成装置的示意图，图3B为该薄膜形成装置的部分放大视图；图4为第三实施方式的薄膜形成装置的部分放大视图；图5A至5C为第三实施方式中气体输送端元件的不同实例的透视图；图6为第四实施方式的薄膜形成装置的部分放大视图；以及图7为现有的真空蒸发淀积装置的示意图。
具体实施例方式
下面，将参照附图描述本发明薄膜形成装置的实施方式。
第一实施方式图1A和1B是作为本发明薄膜形成装置的有机汽相沉积装置一实施方式的示意图。
图中所示的有机汽相沉积装置被设计成在处于减压气氛的真空室11中设置掩模(未示出)以覆盖基底S，并通过掩模在基底S上形成预定图形的有机薄膜。
该有机汽相沉积装置包括真空室11、设置在真空室11中的基底座12、以及用于向基底座12的基底安装表面12a输送气体的气体输送端元件22。
借助于未示出的真空泵通过用于排放剩余源气体的排气口14控制真空室11的内部环境(例如，减压状态)，并由压力计15监控真空室11中的压力。
另外，例如在真空室11中设置加热器(未示出)，使真空室11中的源气体可以保持汽相状态。
将设置在真空室11中的基底座12设置成使其基底安装表面12a基本上垂直于水平状态延伸，并且将基底安装表面12a设计成其上安装由掩模覆盖的基底S。
设置用于基底座12的滑动装置(未示出)，使基底安装表面12a在基底安装表面12a的平面内滑动。此时，通过滑动装置使基底安装表面12a沿附图的深度方向和前部方向前后水平移动。
为基底座12设置冷却装置16，用以冷却安装在基底座12上的基底S。
现在，将描述本实施方式中的气体输送装置13。
气体输送装置13包括源气体供给源41、一端与源气体供给源41相连的气体输送管23、以及与气体输送管23的另一端相连的气体输送端元件22。
用于例如在基底S的表面上形成有机薄膜的有机原料存放在源气体供给源41中，并且在源气体供给源41的外部设置用于蒸发有机原料的加热器17。另外，为源气体供给源41设置压力计15，以监控源气体供给源41的内部压力。
与载运气体供给源42相连的管子18插入源气体供给源41中，用作载运气体的惰性气体保存在载运气体供给源42中。
此处，例如使用诸如N2、He或Ar之类的惰性气体作为载运气体。当然，本发明不限于此，可以使用不与源气体发生反应的任何气体，例如，可以用H2等。
载运气体从管18引入源气体供给源41中，并在源气体供给源41中与源气体混合。
管18的周围由加热器17包住，使经过加热的载运气体可以输送到源气体供给源41。
另外，可设置用于管18的气体流速控制装置19，并对载运气体的流速进行调节。
气体输送管23的一端与源气体供给源41相连。气体输送管23的周围被加热器17包住，使与载运气体混合的源气体可以从源气体供给源41输送到真空室11中，同时保持汽相状态。
可为气体输送管23设置另一个气体流速控制装置19，并可对与载运气体混合的源气体流速进行调节。
气体输送管23从源气体供给源41插入真空室11中，使其保持相同的输送截面形状(例如，圆形或大体为正方形形状)，并与气体输送端元件22相连，该气体输送端元件22在真空室11中具有变化的输送截面形状。
在此值得注意的是，虽然气体输送端元件22设置在真空室11中，在其它情况下，也可将它设置在真空室11外部，只要用作气体输送端元件22的空气出口的气体输送口21与真空室11的内部相通即可。
在这种情形中，气体输送端元件22的周围也被加热器17包住。
气体输送端元件22将源气体与载运气体一起朝基底座12的基底安装表面12a输送。此时，气体以细长矩形形状输送至基底安装表面12a。
具体地说，如图1B所示，气体输送端元件22的气体输送口21具有矩形开口形状，并使其长边方向的开口尺寸L1大于短边方向的开口尺寸W1，并且大于基底安装表面12a上按预定状态安装的基底S的宽度L2。
可改变气体输送端元件22的开口形状，使之接近刚刚描述过的气体输送口21的形状。
最好，将气体输送端元件22形成为使得例如气体输送口21的开口面积C1大体等于气体输送管23的输送截面C2。此处，输送截面C2是气体输送管23在内圆周壁侧上的横截面。
因此，例如，如从图中所看出的那样，将气体输送端元件22形成为这样一种形状，在气体输送口21的长边方向逐渐增大至开口宽度L1，在短边方向逐渐减小至开口尺寸W1。
由于上述结构，源气体与载运气体一起以均匀压力从气体输送管23流动到气体输送端元件22的气体输送口21。
将以上述方式形成的气体输送端元件22设置成使气体沿相同方向朝向基底安装表面12a输送，而且还设置成使源气体例如沿大体垂直的方向朝基底安装表面12a输送。
值得注意的是，虽然此处描述成沿大体垂直的方向朝基底安装表面12a供给源气体，但在其它情况下也可以将气体输送端元件22设置成使源气体沿倾斜方向输送至基底安装表面12a。
另外，气体输送口21的长边方向沿大体垂直于基底安装表面12a滑动方向的方向延伸。
此处，由于基底安装表面12a朝所述附图的深度方向滑动，气体输送口21的长边方向(较宽开口方向)与附图上的上下方向相同。另外，气体输送口21的短边方向为附图上的深度方向，该方向与滑动方向为同一方向。
此外，由于如上所述将气体输送端元件22设计成其宽度逐渐增大到气体输送口21的长边方向的开口尺寸L1，沿短边方向观察时气体输送口21的侧视图形状为三角形，其底边为气体输送口21的长边。
为了使用具有上述结构的有机汽相沉积装置在基底S的表面上形成有机薄膜，首先将覆盖有掩模(未示出)的基底S安装在固定的基底座12上，如图1A中所示。
于是，基底S被安装在基底安装表面12a上，致使基底S的尺寸L2的方向与气体输送口21的长边方向一致。
然后，通过基底座12的滑动机构使基底安装表面12a沿气体输送口21的短边方向即沿附图中的深度方向滑动。
同时，例如，从与载运气体供给源42相连的管18将惰性气体作为载运气体引入源气体供给源41中，使惰性气体与通过加热器17蒸发的源气体混合。
之后，通过气体输送管23输送与载运气体混合的源气体，然后使其从气体输送端元件22进入真空室11中，如图1B中所示。于是，与载运气体混合的源气体沿箭头A所示方向被供给至安装在基底安装表面12a上的基底S表面。
同时，由于基底安装表面12a沿附图上的深度方向滑动，沿附图上基底S的上下方向以细长矩形形状输送的源气体被沉积在安装于基底安装表面12a的基底S的整个表面区域上，从而形成有机薄膜。
值得注意的是，虽然在本实施方式中描述了用掩模(未示出)覆盖基底S的实例，但本发明也可以应用于在没有设置掩模的基底S的整个表面区域上形成有机薄膜的情况。
根据具有上述结构的有机汽相沉积装置，将气体输送端元件22形成为使气体以细长矩形形状输送至基底安装表面12a，并且使开口为矩形形状的气体输送口21的长边方向中的开口宽度L1大于以预定状态安装在基底安装表面12a上的基底S的尺寸L2。因此，原材料按照气体输送口21的形状以细长矩形形状输送到基底S的宽度范围。
然后，由于基底座12具有用于沿气体输送口21的短边方向滑动基底安装表面12a的滑动装置，可以将以细长矩形形状输送到基底S的尺寸L2上的源气体提供到基底S的整个表面区域上。因此，可将源气体均匀沉积在基底S的表面上，而形成厚度均匀的有机薄膜。
据此，可以形成膜厚度更均匀的有机薄膜，并且可以形成即使用于大屏幕也不出现发光不均匀的现象的有机发光元件层。
另外，根据本实施方式的有机汽相沉积装置，由于气体输送端元件22设置成沿大体垂直的方向朝基底安装表面12a供给源气体，使用掩模形成有机薄膜，可以防止阴影效应发生。因此，可防止所形成的薄膜图形发生位移。
此外，由于将气体输送口21设计成使其开口面积C1基本等于气体输送管23的输送截面C2，源气体从气体输送管23流入气体输送端元件22中，同时与载运气体一起保持均匀压力。因此，可使源气体从气体输送口21的各部分均匀地向基底安装表面12a输送。
需注意的是，虽然在本实施方式中，将气体输送口21与气体输送管23形成为开口面积C1与输送截面C2彼此基本相等，在其它情况下，也可以使气体输送口21的开口面积略小一些。在这种情形中，由于在气体输送口21处施加有压力，源气体可以在气体输送端元件22内部进一步扩散的状态下从气体输送口21的各部分均匀输送。
此外，虽然在本实施方式中为基底座12设置了滑动装置，也可选择设置在基底安装表面12a的中心处具有旋转轴的旋转装置。
值得注意的是，根据本实施方式的有机汽相沉积装置，由于如上所述源气体以细长矩形形状输送到基底S的宽度范围上，优选采用滑动装置，因为这样气体可以均匀输送到基底S的整个表面区域上。
另外，尽管在本实施方式中将气体输送口21设置成其长边方向与附图上的上下方向一致，其短边方向与附图上的深度方向一致，也可将气体输送口21设置成使其长边方向与附图上的深度方向一致，其短边方向与附图上的上下方向一致。在这种情况下，基底安装表面12a通过滑动装置在基底安装表面12a的平面中沿其短边方向移动，即沿附图上的上下方向运动。
此外，尽管将气体输送口21设计成沿长边方向其开口宽度L1大于以预定状态安装在基底安装表面12a上的基底S的尺寸L2，在其它情况下，开口宽度L1也可以基本等于尺寸L2。在这种情况下，由于源气体仅输送至基底S的表面，故可均匀而有效地在基底S的表面上沉积源气体。
另外，尽管在本实施方式中，气体输送口21的开口形状为矩形，但本发明并不限于此，在其它情况中，气体输送口21的开口形状可以例如为椭圆形，只要将气体输送口21的开口设计成使气体以细长矩形形状输送至基底安装表面12a即可。不过应当注意，气体输送口21的开口优选为矩形，因为在这种情况下源气体可以均匀地被输送到基底的端部，从而能保证输送至基底S表面的源气体均匀。
此外，在本实施方式中，沿形成的侧视图方向观看时，气体输送端元件22为三角形，其宽度逐渐增大到接近气体输送口21的长边方向的开口宽度L1。当然，本发明不限于此，气体输送端元件22可以具有图2A至2C中所示的任何形状，只要其能以细长矩形形状将气体输送至基底安装表面12a即可。
更具体而言，沿气体输送口21的短边方向观看时，气体输送端元件22的侧视图的形状可以为在朝向气体输送口21的长边方向一步扩展成的矩形形状，如图2A中所示。或者，如在图2B中可以看出的，沿气体输送口21的短边方向观看时，气体输送端元件22的侧视图的形状可以为在朝向气体输送口21在长边方向宽度阶梯式增大的阶梯形状。
或者，如在图2C中所看到的，沿气体输送口21的短边方向观看时，气体输送端元件22的侧视图的形状在所形成的侧视图中可以为半圆形形状，致使朝气体输送口21长边方向的长度增大。
气体输送端元件22的侧视图的形状可以为图2A至2C中所示的矩形、阶梯形和半圆形中的任何一种，由于构成气体输送端元件22的气体输送口21短边的相对侧壁彼此基本平行，可以防止从气体输送口21输送的源气体沿长边方向扩散，可以将源气体的前进方向调整成更高程度地同向。因此，可使基底S表面的中心部位和端部之间的源气体均匀。
特别是，如果气体输送端元件22的侧视图形状为半圆形，与侧视图中气体输送端元件22为矩形或阶梯形的情形相比，气体输送端元件22不具有气体可能停滞的角落部分。因此，侧视图为半圆形形状的气体输送端元件22优于矩形或阶梯形形状的气体输送端元件。
另外，虽然在本实施方式中气体输送端元件22的侧视图形状为三角形，例如若设置随气体输送口21的开口形状延伸的管形头部，则气体输送端元件22的气体输送口21的短边的侧壁大体上彼此平行设置，并可以控制气体的前进方向，使其不朝基底S方向加宽。因此，优选侧视图中为三角形形状的气体输送端元件22。据此，可预期获得与上述具有半圆形形状的气体输送端元件22相同的优点。
第二实施方式在本实施方式中，描述了气体输送管23与气体输送端元件22相连，使气体沿与上面结合第一实施方式所述的气体输送端元件22处的气体输送方向大体垂直的方向输送至气体输送端元件22。
如图3A中所示，气体输送管23基本上垂直地与构成气体输送端元件22的气体输送口21长边的侧壁35相连，使其与气体输送端元件22的内部相通。更具体而言，气体输送管23在气体输送端元件22的底部(base end)端一侧与一部分侧壁35相连。
此处，将侧壁35形成为其底边为气体输送口21长边的大体三角形形状，底部端侧表示靠近三角形顶点的部分。
在采用上述结构时，与气体输送管23相连的气体输送端元件22的底部端一侧在第一实施方式中是封闭的。
注意，此处虽然气体输送管23大体上垂直连接气体输送端元件22的气体输送口21的长边的侧壁35，但本发明不限于此，唯一需要的是将气体输送管23连接成使气体沿相对气体从输送端元件22的输送方向大体垂直的方向从该处输送至气体输送端元件22。因此，在其它情况下，气体输送管23也可以与构成气体输送口21短边的侧壁36相连。
另外，虽然描述了气体输送管23在气体输送端元件22底部端一侧与侧壁35相连的情况，但本发明不限于此，在其它情况下，气体输送管23也可以连接至侧壁35中，而不靠近侧壁35中心。
但是应注意的是，为了在气体输送端元件22内有效地扩散源气体，优选气体输送管23设置成基本垂直于气体输送口21长边上的侧壁35，并且气体输送管23优选设置在侧壁35上气体输送端元件22的底部端一侧。
当采用上述结构时，如图3B的气体输送端元件22和气体输送管23的部分放大俯视图中的箭头B所示，源气体通过气体输送管23引入气体输送端元件22内部。然后，源气体同与侧壁35相对的内侧壁碰撞之后在气体输送端元件22内部以扩散状态沿基本垂直的方向(箭头A)从气体输送口21输送至基底安装表面12a(参照图3A)。
根据具有上述结构的有机汽相沉积装置，预计可以获得与第一实施方式相同的优点。此外，由于气体输送管23与气体输送端元件22相连，使气体从该处沿基本垂直于源气体从气体输送端元件22的输送方向的方向输送至气体输送端元件22，来自气体输送管23的源气体碰撞气体输送端元件22的内壁。因而，在气体输送端元件22内部处于充分扩散状态的源气体能以细长矩形形状均匀地向基底安装表面12a输送。
因此，可以形成膜厚度高度均匀的有机薄膜，并可形成即使应用于大屏幕时也不出现发光不均匀的现象的有机发光元件层。
另外，根据本实施方式，气体输送管23基本垂直连接构成气体输送端元件22的气体输送口长边的侧壁35，此外，其与气体输送端元件22的底部端一侧上的侧壁35相连。因此，在气体输送端元件22内部源气体充分扩散，并从气体输送口21输送。
此处值得一提的是，尽管描述了气体输送端元件22的侧视图形状为三角形的实例，但本发明不限于此，还可以使用如图2A至2C中所示的侧视图形中的任一种形状。
第三实施方式本实施方式是将第一实施方式中的气体输送端元件22分成多个气体流路31的实例。
如图4所示，本实施方式中的气体输送端元件22包括例如设置在其中的六条气体流路31。气体流路31沿朝向气体输送方向彼此分隔开，并且延伸到气体输送口21。
气体流路31沿气体输送口21的长边方向设置。
此处，以均匀分隔的状态形成气体输送口21，六条气体流路31延伸到气体输送口21，使得例如它们的开口面积彼此可以相等。
当采用上述结构时，通过气体输送管23的源气体分布到六条气体流路31中，并且沿基本垂直的方向(箭头A)从分隔的气体输送口21朝基底安装表面12a输送。
根据具有上述结构的有机汽相沉积装置，预计可获得与第一实施方式相同的优点。此外，由于气体输送端元件22包括在其内部沿朝向气体输送方向分隔开并朝气体输送口21延伸的多条气体流路31，到达气体输送端元件22的气体被气体流路31沿长边方向分配。
因此，源气体可以从分隔的气体输送口21不以湍流的形式而以沿气体流路31方向为均匀的层流形式以细长矩形形状输送到基底安装表面12a。因此，可以高度均匀地控制输送至基底S的表面的源气体的分布。
据此，可以形成膜厚度高度均匀的有机薄膜，并形成即使应用于大屏幕时也不出现发光不均匀的现象的有机发光元件层。
值得提醒的是，此处尽管描述了气体输送端元件22的侧视图形状为三角形的实例，但本发明不限于此，也可以采用如图2A至2C中所示的侧视图中的任一种形状。
另外，虽然在本实施方式的描述中，披露了在气体输送端元件22内部形成多条气体流路31的实例，但本发明不限于此，气体输送端元件22可以具有如图5A至5C中所示的任一种形状，只要将气体输送端元件22设计成在其内部分隔、使气体能以细长矩形形状均匀输送至基底安装表面12a即可。
例如，若如图5A所示，在气体输送端元件22内部设置棱柱形扩散壁32，则在气体输送端元件22内部气体可以沿气体输送口21的长边方向均匀分布。因而，能以细长矩形形状将气体均匀输送至基底S的表面。
扩散壁32的形状不限于棱柱形，也可以为圆柱形、椭圆柱形和矩形柱状中的任何一种，只要气体在气体输送端元件22内部的气体输送口21的长边方向可以均匀分布即可。
最好，将扩散壁的排列图形设计成最佳排列图形，使源气体能以细长矩形形状均匀输送至基底S的表面。
例如，在基底S的表面上预先形成有机薄膜时，该膜的厚度分布为中心部位的厚度比基底端部的厚度薄，则可以将气体输送端元件22内部扩散壁32的排列图形设计成使扩散壁32可以汇聚在气体输送端元件22的端部，致使能将更多的气体输送至中心部位。
另外，气体输送端元件22可以包括在朝向气体输送方向沿附图上的上下方向分级地分离的多条气体流路33，每条气体流路33具有多个用于扩散气体的扩散腔34，如图5C中所示。这时，从沿附图上的上下方向设置在作为最后一级扩散腔的扩散腔34处的例如六条气体输送口21输送气体。并且当使用刚刚所述的这种形状时，能将气体以细长矩形形状输送至基底S的表面，此外，能在气体输送端元件22内部充分扩散的状态下均匀输送气体。
第四实施方式在本实施方式中，描述了结合上述第一实施方式、包括多个这种气体输送端元件22的一实例。
如图6中所示，本实施方式中的有机汽相沉积装置包括例如三个气体输送管23a至23c。将气体输送管23a至23c插入真空室11中，并分别与相应的气体输送端元件22a至22c相连。
气体输送端元件22a至22c相对于气体输送口21短边方向、即附图上的深度方向并排设置，并与基底安装表面12a相对。
另外，气体输送管23a至23c分别与源气体供给源41相连(参照图1A)。
虽然此处多个气体输送管23a至23c与源气体供给源41相连，但在其它情况下，可将多个源气体供给源41设置成与气体输送管23a至23c相对应。
气体输送管23a至23c具有彼此独立的气体流速控制装置(未示出)，这些装置不仅可以调节气体的流速，而且通过操纵气体流速控制装置，可将流动范围减小到0。
因此，在将不同种类的源气体引入气体输送管23a至23c时，还可以改变源气体的种类。
根据具有刚刚描述的结构的有机汽相沉积装置，预计可以获得与第一实施方式相同的优点。此外，由于沿气体输送口21的短边方向并排设置气体输送端元件22a至22c，能以细长矩形形状从相应的气体输送端元件22将气体输送到基底S的宽度上，源气体可以输送到基底S的整个表面区域。
另外，由于为气体输送管23a至23c分别设置气体流速控制装置，如果根据待形成的有机薄膜的膜厚调节气体流速控制装置，则可以形成具有均匀膜厚度的有机薄膜。
在这种情形中，即使不为基底座12设置用于沿气体输送口21的短边方向移动基底安装表面12a的滑动结构，也可将源气体均匀沉积在基底S的表面上，并且可以形成厚度均匀的有机薄膜。
因此，即使不为基底座12设置滑动装置，也能以较低成本形成高质量的有机薄膜，并可形成即使应用于大屏幕时也不出现发光不均匀的现象的有机发光元件层。
尽管在本实施方式中，描述了从气体输送端元件22a至22c输送同类源气体的实例，但在其它情况下也可从气体输送端元件22a至22c输送不同种类的源气体。
在这种情形中，气体输送管23a至23c可分别与彼此不同的源气体供给源41相连。于是，如果基底安装表面12a通过滑动装置沿深度方向移动，则在基底S的表面上可以形成由气体输送端元件22a至22c输送的源气体连续沉积而得到的分层的有机薄膜，并且每一层的膜厚均匀。另外，可以在基底S的表面上沉积具有均匀膜厚的掺入不同种类原材料的有机薄膜。
值得注意的是，此处尽管描述了气体输送端元件22的侧视图形状为三角形的实例，但本发明不限于此，还可以采用图2A至2C中所示的侧视图中的任一种形状。
根据具有上述结构的薄膜形成装置，由于将气体输送端元件设计成以细长矩形形状将气体输送至基底安装表面，气体能以细长矩形形状被输送至安装在基底安装表面上的基底表面。
另外，如果在气体输送范围内设置沿具有细长矩形形状短边方向移动基底座的滑动装置，在输送气体时，通过沿短边方向滑动基底安装表面，在基底表面上沿短边方向扫描的同时可以提供以细长矩形形状输送的气体。因此，薄膜形成部件产生的气体可以均匀沉积在基底的表面区域中，并且可以形成具有均匀膜厚的薄膜。
此外，当在气体输送范围内在短边方向并排设置多个气体输送口时，可以在短边方向提供以细长矩形形状输送的气体。因此，即使基底保持固定状态，薄膜形成部件产生的气体也可以均匀沉积在基底的表面区域中，而形成具有均匀膜厚的薄膜。
因此，该薄膜形成装置用于形成有机EL显示装置时，可形成即使应用于大屏幕时也不出现发光不均匀的现象的有机发光元件层。
权利要求
1.一种薄膜形成装置，其包括一真空室；一设置在所述真空室中的基底座；和一用于向所述基底座的基底安装表面输送气体的气体输送端元件，其特征在于，使所述气体输送端元件形成为以细长矩形形状将气体输送至所述基底安装表面。
2.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，使所述气体输送端元件形成为以细长矩形形状将气体输送到安装在所述基底安装表面上的基底的宽度范围内。
3.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，所述基底座包括一滑动装置，该装置用于沿具有细长矩形形状的气体输送范围的短边方向移动所述基底座的所述基底安装表面。
4.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，将多个气体输送端元件沿具有细长矩形形状的气体输送范围的短边方向平行设置。
5.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，所述气体输送端元件包括多个在所述气体输送端元件内部、朝向气体输送方向分隔开并且延伸至所述气体输送端元件的一气体输送口的气体流路。
6.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，使所述气体输送端元件形成为将气体大体垂直地向所述基底安装表面输送。
7.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，使所述气体输送端元件的气体输送口形成为具有基本上等于或小于用于将气体输送至所述气体输送端元件的气体输送管的输送截面的开口面积。
8.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，将一气体输送管与所述气体输送端元件相连，以便将气体沿基本上与所述气体输送端元件的气体输送方向垂直的方向输送至所述气体输送端元件。
9.根据权利要求4所述的薄膜形成装置，其特征在于，从所述多个气体输送端元件输送彼此不同种类的气体。
10.根据权利要求4所述的薄膜形成装置，其特征在于，从所述多个气体输送端元件输送单一种类的气体。
全文摘要
本发明公开了一种薄膜形成装置，借助于该装置可以将原料气体均匀地输送至基底表面，从而可以在基底表面上形成厚度均匀的有机薄膜。该薄膜形成装置包括真空室(11)，设置在真空室(11)中的基底座(12)，和用于向基底座(12)的基底安装表面(12a)输送气体的气体输送端元件(22)。该装置的特征在于使气体输送端元件(22)形成为以细长形状将原料气体输送至基底安装表面(12a)。
文档编号C23C14/12GK1556872SQ0380106
公开日2004年12月22日 申请日期2003年6月17日 优先权日2002年6月17日
发明者佐佐木浩司, 成井启修, 簗嶋克典, 目目泽聪彦, 修, 典, 聪彦 申请人:索尼株式会社