专利名称：薄膜形成装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及薄膜形成装置，特别涉及能够对形成于基板的薄膜的膜厚进行调整的薄膜形成装置。
背景技术：
在通过真空蒸镀等在基板形成薄膜的薄膜形成装置中，存在着使薄膜的膜厚在基板之间达到均匀、或者以形成预定的膜厚分布的方式调整膜厚的装置。作为所述装置的一例，已知这样的装置:在蒸镀源与基板之间配设修正板，对从蒸镀源向基板扩散的蒸镀材料的量进行控制(例如，参照专利文献I)。专利文献I记载的蒸镀装置是能够通过基板直线移动来进行蒸镀的连续蒸镀装置，在该装置中，为了得到预定的膜厚分布而配置在蒸镀源与基板之间的修正板是以基板最靠近蒸镀源的位置为中心设置的。具体地说明的话，在专利文献I记载的蒸镀装置中，将修正板设置在蒸镀源正上方并进行调整以使膜厚达到均匀。通过如上所述地在蒸镀源与基板之间设置修正板，能够对形成于基板的薄膜的膜厚进行修正。而且，通过调整修正板的尺寸和形状，能够更为主动地控制膜厚。专利文献1:日本特许公开昭62-89866号公报然而，在通过在蒸镀源与基板之间配设修正板来调整薄膜的膜厚的情况下，对于为了控制蒸镀材料的扩散量而附着于修正板的蒸镀材料，并未作为对基板的成膜材料而有效地利用。即，在利用修正板的薄膜形成装置中，存在着蒸镀材料的利用效率低的趋势。其结果是，对于利用修正板的薄膜形成装置，运转成本、即成膜成本随着附着于修正板的蒸镀材料的量增多而增加。
实用新型内容因此，本实用新型正是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种薄膜形成装置，能够在对形成于基板的薄膜的膜厚进行调整的同时提高蒸镀材料的利用效率。根据本实用新型的薄膜形成装置，通过下述方式解决所述课题，S卩，薄膜形成装置具备:真空槽；基板保持部件，所述基板保持部件收纳于所述真空槽内；以及蒸镀源，所述蒸镀源在所述真空槽中配置于所述基板保持部件的下方位置，其中，作为所述蒸镀源，所述薄膜形成装置具备蒸镀彼此相同的蒸镀材料的第一蒸镀源和第二蒸镀源，所述第一蒸镀源和所述第二蒸镀源各自的配置位置是在竖直方向和水平方向上相互不同的位置。在上述薄膜形成装置、即技术方案I记载的薄膜形成装置中，着眼于在基板形成的薄膜的膜厚根据蒸镀源的配置位置而变化的情况，来设置第一蒸镀源和第二蒸镀源，并使所述第一蒸镀源和所述第二蒸镀源各自的配置位置在竖直方向和水平方向上不同。由此，第一蒸镀源和第二蒸镀源分别对基板相辅地成膜。即，第一蒸镀源和第二蒸镀源中的一个蒸镀源以对另一个蒸镀源所形成的薄膜的膜厚进行修正的方式成膜。因此，在技术方案I记载的薄膜形成装置中，在调整薄膜的膜厚时，无需在现有的装置中使用的修正板，或者能够减小修正板，相应地提高了蒸镀材料的利用效率。并且，通过蒸镀材料的利用效率的提高，能够削减运转成本。另外，对于第一蒸镀源和第二蒸镀源各自的配置位置，通过实验等掌握蒸镀源的配置位置与仅利用位于该配置位置的蒸镀源成膜的薄膜的膜厚的对应关系，然后，基于该对应关系推导出能够得到具有预期的膜厚的薄膜的位置，并将推导出的该位置设定为配置位置。而且，也可以是，在技术方案I记载的薄膜形成装置中，所述基板保持部件是能够绕沿着竖直方向的旋转中心旋转的旋转体，所述第一蒸镀源配置成，在所述旋转体的径向上比所述第二蒸镀源靠近所述旋转中心、且在竖直方向上比所述第二蒸镀源靠下方。根据上述结构，第一蒸镀源对由基板保持部件保持的基板中靠近旋转中心的基板集中地成膜。另一方面，第二蒸镀源对靠基板保持部件的外缘的基板集中地成膜。其结果是，通过技术方案2记载的结构，对于在由基板保持部件保持的各基板形成的薄膜，能够调整膜厚以在基板间形成预期的膜厚分布。而且，也可以是，在技术方案I记载的薄膜形成装置中，所述基板保持部件是能够水平移动的移动体，在所述移动体的移动方向上比所述第一蒸镀源靠下游侧、且在水平方向中与所述移动方向交叉的交叉方向上夹着所述第一蒸镀源的位置处配置有多个所述第二蒸镀源，所述第一蒸镀源配置成在竖直方向上比所述第二蒸镀源靠下方。根据上述结构，在基板保持部件通过第一蒸镀源的上方期间，第一蒸镀源对基板成膜，然后在基板保持部件移动并通过第二蒸镀源的上方期间，第二蒸镀源以与已形成的薄膜重叠的方式对基板成膜。并且，在与基板保持部件的移动方向交叉的交叉方向上，在夹着第一蒸镀源的位置配置有多个第二蒸镀源。因此，第二蒸镀源对由基板保持部件保持的基板中的、在上述交叉方向上远离第一蒸镀源的配置位置的基板进行成膜。以上的结果是，通过技术方案3记载的结构，对于在由基板保持部件保持的各基板形成的薄膜，能够调整膜厚以在基板间形成预期的膜厚分布。根据本实用新型的技术方案I记载的薄膜形成装置，在调整薄膜的膜厚时，无需在现有的装置中使用的修正板，或者能够减小修正板，相应地提高了蒸镀材料的利用效率。根据本实用新型的技术方案2或3记载的薄膜形成装置，对于在由基板保持部件保持的各基板形成的薄膜，能够调整膜厚以在基板间形成预期的膜厚分布。
图1为示出本实用新型的第一实施方式涉及的薄膜形成装置的设备结构的示意图。图2为关于本实用新型的第一实施方式中的第一蒸镀源和第二蒸镀源的位置关系的说明图。图3图4图。图5
系的说明图。
是示出本实用新型的第一实施方式中形成于基板的薄膜的膜厚分布的图。为示出本实用新型的第二实施方式涉及的薄膜形成装置的设备结构的示意
为关于本实用新型的第二实施方式中的第一蒸镀源和第二蒸镀源的位置关[0022]图6是示出本实用新型的第二实施方式中形成于基板的薄膜的膜厚分布的图。标号说明1、11:真空槽;2、12:基板保持器；3、13:基板保持器保持部件；3a:旋转轴部；3b:保持部件主体；4、14:第一蒸镀源；5、15:第二蒸镀源；16:保持部件驱动机构；16a:导轨；STl:第一工位；ST2:第二工位；100,200:真空蒸镀装置。
具体实施方式
本实用新型中的特征性的结构为，薄膜形成装置具备:真空槽；基板保持部件，所述基板保持部件收纳于所述真空槽内；以及蒸镀源，所述蒸镀源在所述真空槽中配置于所述基板保持部件的下方位置，其中，所述薄膜形成装置具备作为所述蒸镀源的第一蒸镀源和第二蒸镀源，所述第一蒸镀源和所述第二蒸镀源各自的配置位置是在竖直方向和水平方向上相互不同的位置。下面，为了具体地说明上述结构，参照图1至图6对本实用新型的实施方式涉及的两个例子进行说明。图1至图3是用于说明本实施方式的第一实施方式的图。图1为示出本实用新型的第一实施方式涉及的薄膜形成装置的设备结构的示意图。图2为关于本实用新型的第一实施方式中的第一蒸镀源和第二蒸镀源的位置关系的说明图。另外，在该图中，标有符号R的值表示与基板保持器保持部件3的旋转中心相距的距离，标有符号H的值表示与基板保持器2相距的竖直距离。图3是示出本实用新型的第一实施方式中形成于基板的薄膜的膜厚分布的图。另外，在该图中，横轴表示相对于基板保持器保持部件3的旋转中心的位置，纵轴表示在各位置的基板形成的薄膜的膜厚相对于基准膜厚的相对膜厚。图4至图6是用于说明本实施方式的第二实施方式的图。图4为示出本实用新型的第二实施方式涉及的薄膜形成装置的设备结构的示意图。图5为关于本实用新型的第二实施方式中的第一蒸镀源和第二蒸镀源的位置关系的说明图。另外，在该图中，标有符号W的值表示与基板保持器12的中央线相距的距离，标有符号H的值表示与基板保持器12相距的竖直距离。图6是示出本实用新型的第二实施方式中形成于基板的薄膜的膜厚分布的图。另外，在该图中，横轴表示相对于基板保持器12的中央线的位置，纵轴表示在各位置的基板形成的薄膜的膜厚相对于基准膜厚的相对膜厚。首先，对本实用新型的第一实施方式进行说明。第一实施方式的薄膜形成装置是通过真空蒸镀法在基板形成膜的真空蒸镀装置100，如图1所示，其具备真空槽1、基板保持器2、基板保持器保持部件3、第一蒸镀源4和第二蒸镀源5。真空槽I是大致长方体状的容器，在槽内收纳有基板保持器2、基板保持器保持部件3、第一蒸镀源4和第二蒸镀源5。在第一实施方式中，真空槽I以其长度方向沿着竖直方向的方式进行配置。另外，真空槽I内的空气通过真空泵等排气装置(未图示)排出到槽外。基板保持器2及基板保持器保持部件3协作构成基板保持部件，它们被收纳在真空槽I内的上方位置。更为详细地说明的话，基板保持器2是圆状平板型的托盘。并且，在基板保持器2的下表面，以呈同心圆状地排列的方式安装有多个基板。另外，基板相对于基板保持器2的安装方法可以利用在现有的真空蒸镀装置中采用的公知的安装方法。基板保持器保持部件3是保持基板保持器2的部件，该基板保持器保持部件3由旋转轴部3a和与旋转轴部3a的下端部相邻的保持部件主体3b构成。保持部件主体3b形成为下端为开口端的大致拱顶形状，如图1所示，是用于保持基板保持器2的部分。另外，基板保持器2相对于保持部件主体3b的紧固方法可以利用在现有的真空蒸镀装置中采用的公知的紧固方法。旋转轴部3a是基板保持器保持部件3中设在最上方的大致圆筒状的部分，该旋转轴部3a的一部分处于贯通真空槽I的上壁并突出到槽外的状态。并且，旋转轴部3a利用突出到槽外的部分承受来自由马达等构成的未图示的驱动机构的驱动力，由该驱动力进行旋转驱动。其结果是，基板保持器保持部件3绕沿着竖直方向的旋转中心与基板保持器2和基板一体地旋转。即，作为基板保持部件的基板保持器2和基板保持器保持部件3相当于能够绕沿着竖直方向的旋转中心旋转的旋转体。另外，如图2所示，在第一实施方式的真空蒸镀装置100中，旋转中心在俯视观察时与真空槽I的中央位置大致一致。第一蒸镀源4和第二蒸镀源5均是为了在基板形成薄膜而将蒸镀材料蒸镀到基板上的部件，所述第一蒸镀源4和第二蒸镀源5在真空槽I内配置在基板保持器2的下方位置。在此，蒸镀源是与在真空蒸镀装置中通常使用的蒸镀源同类的装置，例如，可以列举出利用电子束对由未图示的坩埚保持的蒸镀材料进行加热而使其蒸发的电子束蒸镀装置等。另外，在第一实施方式中，第一蒸镀源4和第二蒸镀源5在基板蒸镀彼此相同的蒸镀材料。并且，在第一实施方式的真空蒸镀装置100中，如图2所示，第一蒸镀源4配置成，在基板保持器2的径向上比第二蒸镀源5靠近基板保持器保持部件3的旋转中心且在竖直方向上比第二蒸镀源5靠下方。更为具体地说明的话，第一蒸镀源4的配置位置在上述径向上与旋转中心相距大约400mm，且在竖直方向上与基板保持器2的下表面向下方相距大约600mm。另一方面，第二蒸镀源5的配置位置在上述径向上与旋转中心相距大约800mm，且在竖直方向上位于基板保持器2的下表面的下方大约350mm的位置。另外，一般来说，当蒸镀源的配置位置改变时，由从同一蒸镀源放出的蒸镀材料形成的薄膜的膜厚变动。在第一实施方式中，利用这样的性质，将第一蒸镀源4和第二蒸镀源5各自的配置位置设定为上述的位置。具体地进行说明的话，仅由第一蒸镀源4形成的薄膜的膜厚根据基板在基板保持器2上的位置而变化，在将第一蒸镀源4配置在上述的位置的情况下，在图3中，呈现出由黑色菱形块表示的分布。参照图3对该分布进行说明的话，仅由第一蒸镀源4形成的薄膜的膜厚相对于基准膜厚的相对膜厚在与旋转中心相距的距离为O 400mm的范围配置的基板中为0.7以上。在此，相对膜厚是表示膜厚相对于基准膜厚的比例的值。另外，基准膜厚是由第一蒸镀源4和第二蒸镀源5双方在基板形成的薄膜的膜厚的最大值，换言之，是将第一蒸镀源4和第二蒸镀源5各自单独形成的薄膜的膜厚合计得到的值的最大值。而且，在与旋转中心相距的距离超过400mm的位置配置的基板中，上述相对膜厚与距旋转中心的距离成比例地减小。并且，在该距离为900mm的位置配置的基板中，上述相对膜厚大约为0.2。另一方面，仅由第二蒸镀源5形成的薄膜的膜厚也根据基板在基板保持器2上的位置而变化，在将第二蒸镀源5配置在上述的位置的情况下，在图3中，呈现出由黑色正方形的块表示的分布。参照图3对该分布进行说明的话，仅由第二蒸镀源5形成的薄膜的膜厚相对于基准膜厚的相对膜厚在与旋转中心相距的距离为O 300mm的范围配置的基板中为0.1以下。而且，在与旋转中心相距的距离超过300mm的位置配置的基板中，上述相对膜厚与距旋转中心的距离成比例地增大。并且，在该距离为800mm的位置配置的基板中，上述相对膜厚大约为0.7。另外，当与旋转中心相距的距离超过800mm时，相对膜厚又减小，在该距离为900mm的位置配置的基板中，上述相对膜厚大约为0.6。如上所述，第一蒸镀源4和第二蒸镀源5各自单独成膜的薄膜的膜厚根据基板在基板保持器2上的位置而变化。而且，膜厚与基板位置的关系、即基板之间的膜厚分布与蒸镀源的配置位置对应地变动。这是因为，当蒸镀源的配置位置变化时，从蒸镀源到各基板的距离的分布变化。并且，在第一实施方式中，由于第一蒸镀源4和第二蒸镀源5各自的配置位置不同，因此第一蒸镀源4和第二蒸镀源5彼此相辅地成膜。即，第一蒸镀源4和第二蒸镀源5中的一个蒸镀源以对另一个蒸镀源所形成的薄膜的膜厚进行修正的方式成膜。特别是在第一实施方式的真空蒸镀装置100中，如上所述，第一蒸镀源4配置成，在基板保持器2的径向上比第二蒸镀源5靠近基板保持器保持部件3的旋转中心且在竖直方向上比第二蒸镀源5靠下方。在这样的位置关系中，第一蒸镀源4相对于靠近旋转中心的基板集中地成膜，另一方面，第二蒸镀源5相对于靠近基板保持器2的外缘的基板集中地成膜。其结果是，对于在由基板保持器2保持的各基板形成的薄膜，能够调整膜厚以在基板间形成预期的膜厚分布。以更容易理解的方式说明的话，在通过位于上述配置位置的第一蒸镀源4和第二蒸镀源5双方形成薄膜的情况下，基板间的膜厚分布是将第一蒸镀源4和第二蒸镀源5单独成膜的情况下的膜厚分布相互合成而得到的，在图3中，呈现出由黑色三角形的块表示的分布。观察所述分布可知，在基板保持器2中无论是配置在哪个位置的基板，均形成了相对膜厚在0.8以上的薄膜。这是因为，对于第一蒸镀源4的成膜量比较小的范围(具体来说，与旋转中心相距的距离超过400mm的范围)，通过第二蒸镀源5的成膜填补膜厚，对于第二蒸镀源5的成膜量比较小的范围(具体来说，与旋转中心相距的距离为O 400mm的范围)，通过第一蒸镀源4的成膜填补膜厚。并且，如图3所示，在第一实施方式中，相对于基板保持器2上的基板位置，相对膜厚在0.8 1.0的范围变动。这样的膜厚分布根据第一蒸镀源4和第二蒸镀源5各自的配置位置确定，换言之，能够通过调整各蒸镀源的配置位置来进行修正。[0057]如以上所说明了的，在第一实施方式的真空蒸镀装置100中，通过将第一蒸镀源4和第二蒸镀源5各自的配置位置设定在上述的位置，能够进行调整以使基板间的膜厚分布成为预期的分布。另外，在以使基板间的膜厚分布成为预期的分布的方式确定第一蒸镀源4和第二蒸镀源5的配置位置时，首先，通过实验等掌握蒸镀源的配置位置与由位于该配置位置的蒸镀源单独成膜时的膜厚分布的对应关系。然后，基于该对应关系，推导出能够得到预期的膜厚分布的位置，并将推导出的位置设定为配置位置即可。如上所述，在第一实施方式的真空蒸镀装置100中，其特征在于，构成基板保持部件的基板保持器2和基板保持器保持部件3是能够绕沿着竖直方向的旋转中心旋转的旋转体，第一蒸镀源4配置成，在基板保持器2的径向上比第二蒸镀源5靠近旋转中心，且在竖直方向上比第二蒸镀源5靠下方。接着，对本实用新型的第二实施方式进行说明。第二实施方式的薄膜形成装置与第一实施方式同样，是通过真空蒸镀法在基板形成膜的真空蒸镀装置200，特别地，该薄膜形成装置是在真空槽11内一边使基板直线地移动一边进行蒸镀的串排(inline)方式的蒸镀装置。另外，基板的移动方向是图5中由箭头示出的方向。如图4所示，第二实施方式的真空蒸镀装置200具备真空槽11、基板保持器12、基板保持器保持部件13、第一蒸镀源14、第二蒸镀源15和保持部件驱动机构16。真空槽11是大致长方体状的容器，在槽内收纳有基板保持器12、基板保持器保持部件13、第一蒸镀源14、第二蒸镀源15和保持部件驱动机构16。在第二实施方式中，真空槽11以其长度方向沿着水平方向的方式配置，基板在真空槽11内沿着上述长度方向直线行进。而且，在第二实施方式中，真空槽11的内部空间以上述长度方向的中央位置为界划分为两个空间。下面，将真空槽11的内部空间中从基板的移动方向观察位于比中央位置靠上游侧的空间称作第一工位ST1，将位于下游侧的空间称作第二工位ST2。另外，除了上述以外的点之外，第二实施方式的真空槽11与第一实施方式的真空槽I是相同的结构。基板保持器12及基板保持器保持部件13与第一实施方式的情况同样，协作构成基板保持部件，它们被收纳在真空槽11内的上方位置。第二实施方式的基板保持器12是在俯视观察呈大致矩形形状的托盘，在基板保持器12的下表面，以沿着基板保持器12的长边和短边排列的状态安装有多个基板。基板保持器保持部件13是用于保持基板保持器12的部件，在第二实施方式中，基板保持器保持部件13形成为下端为开口端的大致箱形状。并且，基板保持器12安装在开口侧的基板保持器保持部件13的下部，由此被保持在基板保持器保持部件13。并且，第二实施方式的基板保持器保持部件13通过保持部件驱动机构16而在真空槽11内沿真空槽11的长度方向水平移动。更为具体地说明的话，保持部件驱动机构16具备沿真空槽11的长度方向延伸的导轨16a，用于将来自未图示的驱动源的驱动力通过传送带或齿轮等公知的传动构件传递至基板保持器保持部件13。另一方面，基板保持器保持部件13由上述导轨16a支承，当从保持部件驱动机构16侧传递来驱动力时，未图示的滚动部件在导轨16a上滚动。其结果是，基板保持器保持部件13与基板保持器12和基板一起沿导轨16a水平移动。S卩，在第二实施方式中，作为基板保持部件的基板保持器12和基板保持器保持部件13相当于能够水平移动的移动体，各自的移动方向与基板的移动方向一致。另外，在第二实施方式的真空蒸镀装置200中，水平方向中的与上述的移动方向交叉的交叉方向上的基板保持器12的中央线(下面称为保持器中央线)与该交叉方向上的真空槽11的中央线大致一致。第一蒸镀源14和第二蒸镀源15为与第一实施方式的第一蒸镀源4和第二蒸镀源5相同的结构，它们在真空槽11内配置在比基板保持器12的移动路径靠下方的位置。另外，第二实施方式的第一蒸镀源14和第二蒸镀源15与第一实施方式的第一蒸镀源4和第二蒸镀源5同样用于在基板蒸镀彼此相同的蒸镀材料。并且，在第二实施方式的真空蒸镀装置200中，第一蒸镀源14配置在第一工位STl，第二蒸镀源15配置在第二工位ST2。更为具体地说明的话，如图5所示，在第一工位ST1，在上述交叉方向上与保持器中央线相距大约400mm的位置分别配置第一蒸镀源14。S卩，在第一工位ST1，在以保持器中央线为中心对称的位置配置有两个第一蒸镀源14。而且，各第一蒸镀源14在竖直方向上位于基板保持器12的下表面的下方大约850_的位置。另一方面，在第二工位ST2，在上述交叉方向上与保持器中央线相同的位置和与保持器中央线相距大约500mm的位置分别配置第二蒸镀源15。S卩，在第二工位ST2，沿交叉方向隔开预定间隔地配置有三个第二蒸镀源15，所述三个第二蒸镀源15的配置位置以保持器中央线为中心对称。而且，配置在与保持器中央线相同的位置的第二蒸镀源15在竖直方向上位于基板保持器12的下表面的下方大约550mm的位置，配置在与保持器中央线相距大约500mm的位置的第二蒸镀源15位于基板保持器12的下表面的下方大约500mm的位置。在此，对于第一蒸镀源14和第二蒸镀源15之间的位置关系再次说明的话，第二蒸镀源15在基板保持器12和基板保持器保持部件13的移动方向上位于比第一蒸镀源靠下游侧的位置。而且，在水平方向中的与上述移动方向交叉的交叉方向上，在夹着第一蒸镀源14的位置配置有多个第二蒸镀源15。另一方面，第一蒸镀源14在竖直方向上配置在比第二蒸镀源15靠下方的位置。上述位置关系反映了该蒸镀源所成的薄膜的膜厚根据蒸镀源的配置位置而变化的情况。即，在第二实施方式中也与第一实施方式同样，基于蒸镀源的配置位置与位于该配置位置的蒸镀源单独成膜时的膜厚分布的对应关系来确定第一蒸镀源14和第二蒸镀源15各自的配置位置。具体地说明的话，第一蒸镀源14单独成膜的薄膜的膜厚，换言之，基板保持器12通过第一工位STl时形成的薄膜的膜厚根据基板在基板保持器12上的位置而变化，在图6中，呈现出由黑色菱形块表示的分布。参照图6对该分布进行说明的话，通过第一工位STl时形成的薄膜的膜厚相对于基准膜厚的相对膜厚在大约0.35附近变动。并且，上述相对膜厚在与保持器中央线相距的距离为Omm或600mm的位置附近达到下限值(具体来说，大约
0.32)，并且在400mm的位置附近达到上限值(具体来说，大约0.37)。另外，在第二实施方式中，相对膜厚是表示膜厚相对于基准膜厚的比例的值，基准膜厚意味着由第一蒸镀源14和第二蒸镀源15双方在基板形成的薄膜的膜厚的最大值。另一方面，第二蒸镀源15单独成膜的薄膜的膜厚，换言之，基板保持器12通过第二工位ST2时形成的薄膜的膜厚也根据基板在基板保持器12上的位置而变化，在图6中，呈现出由黑色正方形的块表示的分布。参照图6对该分布进行说明的话，通过第二工位ST2时形成的薄膜的膜厚相对于基准膜厚的相对膜厚在大约0.6附近变动。并且，上述相对膜厚在与保持器中央线相距的距离为Omm或500mm的位置附近达到上限值(具体来说，大约0.63)，并且在300mm的位置附近达到下限值(具体来说，大约0.58)。如上所述，在第二实施方式中，也着眼于膜厚与基板位置的关系，即着眼于基板间的膜厚分布根据蒸镀源的配置位置变动的情况，使第一蒸镀源14和第二蒸镀源15各自的配置位置相互不同。由此，第一蒸镀源14和第二蒸镀源15彼此相辅地成膜，从而对在各基板形成的薄膜的膜厚进行修正。特别是在第二实施方式中，在与基板保持器12的移动方向交叉的交叉方向上，在夹着第一蒸镀源14的位置配置有多个第二蒸镀源15。由此，第二蒸镀源15对由基板保持器12保持的基板中的、在上述交叉方向上远离第一蒸镀源14的配置位置的基板进行成膜。其结果是，在第二实施方式中也与第一实施方式同样地，对于在由基板保持器12保持的各基板形成的薄膜，能够调整膜厚以在基板间形成预期的膜厚分布。而且，在第二实施方式中，还针对每个工位求出通过第一工位STl和第二工位ST2时形成的薄膜的膜厚分布，然后，设定第一蒸镀源14和第二蒸镀源15各自的配置位置，使得由双方的膜厚分布合成而成的合成膜厚的分布成为稳定的分布。所述配置位置例如通过数值计算来确定，将第一蒸镀源14和第二蒸镀源15分别配置在所确定的配置位置中对应的位置。其结果是，能够使在由基板保持器12保持的各基板形成的薄膜的膜厚大致均匀。以更容易理解的方式说明的话，在通过位于上述配置位置的第一蒸镀源14和第二蒸镀源15双方形成薄膜的情况下，基板间的膜厚分布是将各工位ST1、ST2的膜厚分布相互合成而得到的，在图6中，呈现出由黑色三角形的块表示的分布。观察所述分布可知，即使基板在基板保持器12上的位置变化，相对膜厚也会稳定在0.9 1.0的范围。这是因为，在第一蒸镀源14的成膜量最小的范围(具体来说，与保持器中央线相距的距离大约为Omm或600_的范围)中，第二蒸镀源15的成膜量比较大，相反地，在第二蒸镀源15的成膜量最小的范围(具体来说，与保持器中央线相距的距离大约为300mm的范围)中，第一蒸镀源14的成膜量比较大。如上所述，在第二实施方式的真空蒸镀装置200中，其特征在于，构成基板保持部件的基板保持器12和基板保持器保持部件13是能够水平移动的移动体，在基板保持器12的移动方向上比第一蒸镀源14靠下游侧且在水平方向中与上述移动方向交叉的交叉方向上夹着第一蒸镀源14的位置处配置有多个第二蒸镀源15，第一蒸镀源14配置成在竖直方向上比第二蒸镀源15靠下方。在以上说明的两个实施方式中，以本实用新型的薄膜形成装置为主进行了说明，但上述实施方式是为了便于理解本实用新型的方式，并不是限定本实用新型的。本实用新型能够不脱离其主旨地进行变更和改进，并且理所当然地，在本实用新型中包括其等价物。例如，真空槽1、11、基板保持器2、12或基板保持器保持部件3、13的形状和尺寸、第一蒸镀源4、14和第二蒸镀源5、15的个数等并不限定于上述实施方式记载的内容，也可以是与上述实施方式不同的内容。而且，在第一实施方式和第二实施方式中，仅设有第一蒸镀源4、14和第二蒸镀源5、15，然而并不限定于此，也可以另外设置与第一蒸镀源4、14和第二蒸镀源5、15配置位置不同的蒸镀源。而且，在第一实施方式中，将第一蒸镀源4和第二蒸镀源5配置在图2图示的配置位置。不过，图2图示的例子只不过是本实用新型的技术方案2记载的结构的一例，只要满足技术方案2记载的要素，也可以将第一蒸镀源4和第二蒸镀源5配置在与图2所示的内容不同的配置位置。同样地，在第二实施方式中，将第一蒸镀源14和第二蒸镀源15配置在图5图示的配置位置。不过，图5图示的例子只不过是本实用新型的技术方案3记载的结构的一例，只要满足技术方案3记载的要素，也可以将第一蒸镀源14和第二蒸镀源15配置在与图3所示的内容不同的配置位置。
权利要求1.一种薄膜形成装置，所述薄膜形成装置具备:真空槽；基板保持部件，所述基板保持部件收纳于所述真空槽内；以及蒸镀源，所述蒸镀源在所述真空槽中配置于所述基板保持部件的下方位置，其特征在于， 作为所述蒸镀源，该薄膜形成装置具备蒸镀彼此相同的材料的第一蒸镀源和第二蒸镀源， 所述第一蒸镀源和所述第二蒸镀源各自的配置位置是在竖直方向和水平方向上相互不同的位置。
2.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于， 所述基板保持部件是能够绕沿着竖直方向的旋转中心旋转的旋转体， 所述第一蒸镀源配置成，在所述旋转体的径向上比所述第二蒸镀源靠近所述旋转中心、且在竖直方向上比所述第二蒸镀源靠下方。
3.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于， 所述基板保持部件是能够水平移动的移动体， 在所述移动体的移动方向上比所述第一蒸镀源靠下游侧、且在水平方向中与所述移动方向交叉的交叉方向上夹着所述第一蒸镀源的位置处配置有多个所述第二蒸镀源， 所述第一蒸镀源配置成在竖直方向上比所述第二蒸镀源靠下方。
专利摘要本实用新型提供一种薄膜形成装置，在调整形成于基板的薄膜的膜厚的同时提高了蒸镀材料的利用效率。真空蒸镀装置(100)具备真空槽(1)；基板保持器(2)和基板保持器保持部件(3)，它们收纳于所述真空槽(1)内；以及蒸镀源，其在真空槽(1)中配置于基板保持器(2)的下方位置，作为蒸镀源，具备蒸镀彼此相同的蒸镀材料的第一蒸镀源(4)和第二蒸镀源(5)，第一蒸镀源(4)和第二蒸镀源(5)各自的配置位置是在竖直方向和水平方向上相互不同的位置。
文档编号C23C14/50GK202968674SQ20122069414
公开日2013年6月5日 申请日期2012年12月14日 优先权日2012年12月14日
发明者林达也, 姜友松, 盐野一郎, 长江亦周 申请人:株式会社新柯隆