薄膜形成装置制造方法

薄膜形成装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种与以往相比能够抑制所形成的薄膜在长条膜基材的宽度方向上发生品质偏差的薄膜形成装置。使用于供给成膜用的气体的气体供给部件(100、200)构成为具有沿膜基材(16)的宽度方向排列设置在真空室(12)内的多个气体供给部(120A、120B、120C、220A、220B、220C)和能够针对该气体供给部(120A～120C、220A～220C)分别调整气体的供给量的供给量调整部，使用于测定真空室(12)内的每种气体的分压的气体分压测定部件(400)构成为，具有与气体供给部(120A～120C、220A～220C)的各自的设置位置相对应地设置在膜基材(16)的宽度方向上的测定部(420A、420B、420C)，用于测定测定部(420A～420C)的各自的设置位置处的气体的分压。
【专利说明】薄膜形成装置

【技术领域】
[0001]本发明涉及一种薄膜形成装置，尤其涉及一种利用溅射法以所谓的卷到卷(rollto roll)方式在膜基材表面上形成薄膜的薄膜形成装置。

【背景技术】
[0002]对于在将自卷绕长条膜基材而成的放卷卷(卷出α — > )放出的膜基材卷回的过程中、在沿膜基材的长度方向移动的该膜基材的表面上连续地形成薄膜的卷到卷方式的薄膜形成装置，因其生产率较高而应用于制造各种功能性膜。
[0003]作为该功能性膜，可列举出例如在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜基材上形成铟一锡氧化物(Indium-Tin-Oxide=ITO)的薄膜而成的透明导电性膜。该透明导电性膜是为了制作触摸面板、太阳能电池、液晶显示器、有机EL显示器等用的透明电极而不可或缺的构件。
[0004]用于利用溅射法在膜基材上制造ITO薄膜的以往的薄膜形成装置通常如以下那样构成。
[0005]即，该薄膜形成装置收纳在真空室内，并具有将移动的膜基材部分卷绕的成膜辊，在隔着膜基材与成膜辊相对的位置上设有由铟一锡烧结体构成的靶材。
[0006]另外，向上述真空室内导入作为引起溅射的非活性气体的氩气和作为用于ITO薄膜的成膜的反应性气体的氧气。
[0007]然后，通过向卷绕有移动的膜基材的一部分的成膜辊与靶材(铟一锡烧结体)之间施加高电压而被离子化后的氩轰击铟一锡烧结体，由此将靶材表面的铟和锡的原子溅射出来，该铟和锡的原子与氧反应而附着在膜基材表面上，从而形成ITO薄膜。
[0008]专利文献1:日本特开2010 - 77479号公报
[0009]专利文献2:日本特开2002 - 121664号公报
[0010]专利文献3:日本特开2003 - 328124号公报


【发明内容】

[0011]发明要解决的问题
[0012]另外，为了进一步提高薄膜形成装置的生产率，存在使长条膜基材的膜宽度增大的倾向，在该情况下，发现如下现象，即，与膜宽度较短的情况相比，所形成的ITO薄膜的厚度、ITO薄膜的电阻值在该宽度方向上的偏差变大。
[0013]另外，近年来，随着触摸面板为首的应用设备的进一步的高性能化等，要求透明导电性膜的ITO薄膜的厚度、电阻值具有更高的品质。
[0014]此外，随着长条膜基材的膜宽度的增大而产生的上述那样的问题并不仅在透明导电性膜的制造过程中产生，在其他功能性膜的制造过程中也产生。
[0015]本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供一种与以往相比能够抑制所形成的薄膜在长条膜基材的宽度方向上发生品质偏差的薄膜形成装置。
[0016]用于解决问题的方案
[0017]为了实现上述目的，本发明提供一种薄膜形成装置，其用于利用溅射法在自卷绕长条膜基材而成的放卷卷放出并沿长度方向移动的上述长条膜基材的表面上连续地形成薄膜，其特征在于，该薄膜形成装置包括:真空室；成膜辊，其收纳在上述真空室内，将移动的上述长条膜基材部分地卷绕于该成膜辊的外周面；靶材，其以与上述成膜辊相对的方式配置在上述成膜辊的上述长条膜基材的卷绕位置处的上述成膜辊的径向外侧；气体供给部件，其用于向上述真空室内供给用于上述成膜的气体；以及气体分压测定部件，其用于测定上述真空室内的每种气体的分压，上述气体供给部件具有:沿上述长条膜基材的宽度方向排列设置在上述真空室内的气体供给部，该气体供给部为多个；能够针对每个该气体供给部分别调整气体的供给量的供给量调整部，上述气体分压测定部件具有沿上述长条膜基材的宽度方向排列设置的测定部，该测定部为多个，用于测定该测定部的各自的设置位置处的上述气体的分压。
[0018]另外，其特征在于，上述测定部分别以与上述气体供给部的在上述长条膜的宽度方向上的各自的设置位置相对应的方式设置。
[0019]另外，其特征在于，上述气体是用于上述成膜的反应性气体。
[0020]或者，其特征在于，上述气体是用于引起溅射的非活性气体。
[0021]或者，其特征在于，上述气体是含有用于引起溅射的非活性气体和用于上述成膜的反应性气体的混合气体。
[0022]并且，其特征在于，上述气体分压测定部件是四极质谱计。
[0023]发明的效果
[0024]采用由上述结构构成的薄膜形成装置，根据由分别与沿长条膜基材的宽度方向排列设置的多个气体供给部相对应的测定部测定的气体分压的测定结果，能够针对每个气体供给部调整气体的供给量，因此能够尽可能地抑制在上述宽度方向上的上述气体分压的不均匀。因此，与在上述宽度方向上仅具有单个供给部的以往的薄膜形成装置相比，能够抑制因气体分压的上述不均匀而引起的、所形成的薄膜在上述宽度方向上发生的品质偏差。

【专利附图】

【附图说明】
[0025]图1是表示实施方式的薄膜形成装置的概略结构的横剖视图。
[0026]图2是利用图1中的A-A线剖切上述薄膜形成装置而成的纵剖视图的一部分。
[0027]图3是表示上述薄膜形成装置中的气体供给单元的概略结构的立体图。

【具体实施方式】
[0028]以下，一边参照附图一边说明本发明的薄膜形成装置的实施方式。此外，在本实施方式中，以如下情况为例进行说明，即，作为长条膜基材而使用PET膜基材，在该PET膜基材的表面上形成ITO薄膜而制作透明性导电膜。
[0029]如图1所示，实施方式的薄膜形成装置10包括真空室12，该真空室12具有与未图示的真空泵相连接的排气口 12A。
[0030]在真空室12内设有放卷轴14。自将PET膜基材16卷绕在放卷轴14上而成的放卷卷16A放出的PET膜基材16如图1所示那样依次挂绕于第I引导辊18、第2引导辊20、成膜辊22、第3引导辊24以及第4引导辊26，并卷取于卷取轴28。对于PET膜基材16，例如，其宽度是1600 (mm)，全长是5000 (m)。
[0031]在自放卷轴14到卷取轴28的期间内，在一部分卷绕在成膜辊22的外周面上且沿长度方向移动的PET膜基材16的、与成膜辊22相反的那一侧的表面上，如后述那样利用溅射法连续地形成ITO薄膜。此外，通过控制用于对放卷轴14进行旋转驱动的马达(未图示)和用于对卷取轴28进行旋转驱动的马达(未图示)的转速，能够改变PET膜基材16的移动速度。
[0032]另外，成膜辊22是公知的具有温度调节功能的成膜辊，成膜辊22的表面被控制在适合于成膜的温度。
[0033]在成膜辊22上的PET膜基材16的卷绕位置处的成膜辊22的径向外侧，与成膜辊22相对地配置有靶材30。在本例子中，靶材30由铟一锡烧结体构成。靶材30通过未图示的螺丝固定于阴极32。阴极32收纳在盒34内。
[0034]另外，设有反应性气体供给部件100、非活性气体供给部件200以及蒸汽供给部件300，该反应性气体供给部件100用于向成膜辊22与靶材30之间的相对区域供给用于ITO薄膜的成膜的反应性气体(在本例子中为氧气)，该非活性气体供给部件200用于向上述相对区域供给用于引起溅射的非活性气体(在本例子中为氩气)，该蒸汽供给部件300用于供给水蒸气，以调整PET膜基材16的含水量。此外，图1示出了各供给部件的一部分。
[0035]一边参照图2 —边说明各供给部件100、200、300。此外，各供给部件100、200、300具有用于自真空室12的外部向内部导入各种气体或水蒸气的导入管，但在图2中，仅图示了该各导入管中的用于最终向真空室12内供给各种气体或水蒸气的供给部。另外，在图2中，为了方便，用单点划线示出了 PET膜基材16和成膜辊22。
[0036]蒸汽供给部件300 (图1)具有设于真空室12外的蒸汽产生器(未图示)，利用导入管(一部分未图示)将来自蒸汽产生器的蒸汽自真空室12外向真空室12内导入而适当地自图2所示的供给部320供给水蒸气。供给部320具有在沿成膜辊22的轴心方向、即PET膜基材16的宽度方向配置的导入管部分340上开设的多个供给孔321，自各个供给孔321喷射水蒸气。如图1所示，供给部320以将靶材30夹在中间的方式设有一对，两供给部320的供给孔321以相对的方式设置。
[0037]返回到图2，反应性气体供给部件100具有在PET膜基材16的宽度方向上以等间隔排列设置的多个(在本例子中为3个)供给部120A、120B、120C。
[0038]另外，非活性气体供给部件200也具有在PET膜基材16的宽度方向上以等间隔排列设置的多个(在本例子中为3个)供给部220A、220B、220C。
[0039]反应性气体供给部件100的供给部120A、120B、120C、非活性气体供给部件200的供给部220A、220B、220C分别是独立设置的、共计6台气体供给单元的一部分。
[0040]一边参照图3—边说明气体供给单元。此外，6台气体供给单元基本上均为相同的结构，因此，省略字母的附图标记，并对与构成反应性气体供给部件100的气体供给单元相对应的部分标注百位为I的附图标记、对与构成非活性气体供给部件200的气体供给单元相对应的部分标注百位为2的附图标记而进行说明。
[0041]气体供给单元110(210)具有储气瓶130(230)。在储气瓶130内填充有氧气，在储气瓶230内填充有氩气。
[0042]储气瓶130(230)与呈钩状弯折的第I导入管142(242)的一端部相连接。在第I导入管142(242)的中途连接有阀160(260)。
[0043]第I导入管142 (242)的另一端部与呈U字状的第2导入管146 (246)的、在长度方向上的中央部相连接。
[0044]第2导入管146(246)的两端部分别与呈U字状的一对第3导入管147(247)的、在长度方向上的中央部相连接。
[0045]一对第3导入管147 (247)分别与呈平直状的一对第4导入管148 (248)相连接。连接位置是第3导入管147(247)的两端部的、距第4导入管148(248)的中央部的距离相等的位置。第4导入管148 (248)成为供给部120 (220)。一对第4导入管148 (248)以相互平行的方式设置。
[0046]在各个第4导入管148 (248)上，以沿第4导入管148的长边方向排列设置的方式开设有多个供给孔121 (221)(在图3中没有示出在近侧的第4导入管148 (248)上开设的供给孔 121 (221)。)。
[0047]一对第4导入管148 (248)配置在使一对第4导入管148 (248)的相对区域位于靶材30上表面附近(靶材30和成膜辊22的相对区域)的位置(图1)。
[0048]此外，在气体供给单元110(210)中，储气瓶130(230)设置在真空室12的外部，第I导入管142 (242)在保持真空室12的气密的状态下贯穿真空室12 (没有图示贯穿部分)。另外，在第I导入管142(242)上设置的阀160(260)位于真空室12的外部。
[0049]采用由上述结构构成的气体供给单元110 (210)，在储气瓶130(230)内填充的气体经由第I导入管142 (242)、第2导入管146 (246)、第3导入管147 (247)以及第4导入管148 (248)向真空室12内的靶材30和成膜辊22的相对区域供给。能够通过调整阀160 (260)的开度来调整所供给的气体的量。即，阀160(260)作为气体供给量调整部发挥作用。
[0050]并且，反应性气体供给部件100和非活性气体供给部件200分别具有多台(在本例子中为3台)气体供给单元110、210，上述供给部120A、120B、120C和供给部220A、220B、220C如图2所示那样沿PET膜基材16的宽度方向排列设置，因此，通过针对每台气体供给单元110、210调整所导入的气体的流量，能够调整上述宽度方向上的气体的导入量。
[0051]并且，如图3所示，各气体供给单元110(210)的自储气瓶130 (230)起到第3导入管147 (247)的各自的两端部为止的管路(气体流路)的长度相等，并且，在第3导入管147(247)的两端部的、距第4导入管148(248)的中央部的距离相等的位置处第3导入管147 (247)与第4导入管148 (248)相连接，因此，与假设废弃第3导入管147 (247)而将第2导入管146 (246)的两端部侧(延长第2导入管146 (246)的两端部侧)直接连接到第4导入管148(248)的情况相比，能够使自多个供给孔121(221)分别流出的气体的流量更均匀，因此，使供给部120(220)的长度方向(PET膜基材16的宽度方向)上的气体的分压分布变得更均匀。
[0052]如图2所示，薄膜形成装置10具有气体分压测定部件400。
[0053]气体分压测定部件400由3台气体分压计410A、410B、410C构成。
[0054]气体分压计410A、410B、410C均为相同的分压计，能够使用例如株式会社堀场制作所制的、作为四极质谱计的 MICROPOLE System(QL-SG01-1A、QL-MCO1-1A)。
[0055]气体分压计410A、410B、410C均相同，因此，在不需要区分上述气体分压计410A、410B、410C的情况下，在说明时省略在图中标注的字母的附图标记(A、B、C)。
[0056]气体分压计410具有作为测定部的传感器420和主体430。气体分压计410根据传感器420的检测结果而按照气体种类对真空室12内的检测位置处的各种气体的分压进行测定。测定结果显示在主体430的监视画面432上。在本例子中，显示氩气、氧气以及蒸汽(H2O气体)的分压。
[0057]传感器420A、传感器420B、传感器420C分别设置在真空室12的内壁上。
[0058]传感器420A、传感器420B、传感器420C分别以与供给部120A、220A、供给部120B、220B以及供给部120C、220C的各设置位置相对应的方式设置在PET膜基材16的宽度方向上。进一步地讲，在PET膜基材16的宽度方向上，在与供给部120A、220A的中央相对应的位置设有传感器420A，在与供给部120B、220B的中央相对应的位置设有传感器420B，在与供给部120C、220C的中央相对应的位置设有传感器420C
[0059]返回到图1，真空室12内被两个分隔壁36、38沿周向分隔，两个分隔壁36、38以与成膜辊22的外周面空开一些间隔的方式沿成膜辊22的径向设置，由成膜辊22的外周面部分、分隔壁36、38以及真空室12的内壁面部分形成成膜室40。
[0060]在由上述结构构成的薄膜形成装置10中，利用真空泵(未图示)对真空室12内进行减压，驱动放卷轴14和卷取轴28而使放卷轴14和卷取轴28进行旋转，使PTE膜基材16沿其长度方向移动，利用反应性气体供给部件100供给氧气并利用非活性气体供给部件200供给氩气，并向阴极32与成膜辊22之间施加电压而使两者之间产生辉光放电，此时，氩被离子化，离子化后的氩轰击靶材。被轰击的靶材表面的铟和锡的原子被溅射出来，该铟和锡的原子与氧气反应而附着在PET膜基材16的表面上，从而形成ITO薄膜。
[0061]在该情况下，氩气的浓度越高(即，氩气的分压越高)，自靶材飞出的铟和锡的原子的量越多，ITO薄膜的厚度越大，与此相反，氩气的分压越低，ITO薄膜的厚度越小。预先求出能够获得期望的厚度时的氩气分压(以下，称作“基准氩气分压”。)。
[0062]另外，氧气浓度(S卩，氧气分压)的值会影响所形成的ITO薄膜的电阻值。预先求出使电阻值最小的氧气分压的适当值(以下，称作“基准氧气分压”。)，不管氧气分压高于或低于基准氧气分压，电阻值均会大于在基准氧气分压下进行成膜时的电阻值。
[0063]作为ITO薄膜的形成对象的PET膜基材的宽度越宽，越需要向大范围供给氩气、氧气，因此，氩气分压和氧气分压在该膜宽度方向上的均匀性变低，其结果，在所形成的ITO薄膜中，在膜宽度方向上产生厚度的不均匀、电阻值的不均匀。
[0064]在本实施方式中，在真空室12内，将氩气的供给部220A、220B、220C沿PET膜基材16的膜宽度方向排列设置，并以分别与供给部220A、220B、220C的在上述膜宽度方向上的每个设置位置相对应的方式设置气体分压计410A、410B、410C的传感器420A、420B、420C。
[0065]换言之，气体分压测定部件400具有与供给部220A、220B、220C的各自的设置位置相对应地设置在PET膜基材16的宽度方向上的测定部、即传感器420A、420B、420C，并具有用于对作为该测定部的传感器420A、420B、420C的各自的设置位置处的各种气体的分压进行测定的结构。
[0066]因此，将由各气体分压计410A、410B、410C测定的氩气分压的测定结果分别与基准氩气分压相比较，在存在测定结果小于基准氩气分压的气体分压计的情况下，为了增加来自与该气体分压计(传感器)的设置位置相对应的供给部(220A、220B、220C)的氩气的供给量而适度地打开具有该供给部的气体供给单元210的阀260。另外，与此相反，在存在测定结果大于基准氩气分压的气体分压计的情况下，为了减少来自与该气体分压计(传感器)的设置位置相对应的供给部(220A、220B、220C)的氩气的供给量而适度地关闭具有该供给部的气体供给单元210的阀260。
[0067]由此，能够使上述膜宽度方向上的氩气分压的分布尽可能地均匀，因此能够尽可能地抑制所形成的ITO薄膜的厚度不均匀。
[0068]同样地，将由各气体分压计410A、410B、410C测定的氧气分压的测定结果分别与基准氧气分压相比较，在存在测定结果小于基准氧气分压的气体分压计的情况下，为了增加来自与该气体分压计(传感器)的设置位置相对应的供给部(120A、120B、120C)的氧气的供给量而适度地打开具有该供给部的气体供给单元UO的阀160。另外，与此相反，在存在测定结果大于基准氧气分压的气体分压计的情况下，为了减少来自与该气体分压计(传感器)的设置位置相对应的供给部(120A、120B、120C)的氧气的供给量而适度地关闭具有该供给部的气体供给单元110的阀160。
[0069]由此，能够使上述膜宽度方向上的氧气分压的分布尽可能地均匀，因此能够尽可能地抑制所形成的ITO薄膜的电阻值的不均匀。
[0070]另外，也可以根据由气体分压计410A、410B、410C测定的蒸汽(H2O气体)分压的测定结果而进行如下那样的操作。
[0071]在3台气体分压计410A、410B、410C的测定结果的平均值小于基准蒸汽分压的情况下，适度地增加蒸汽供给部件300所供给的水蒸气。
[0072]另一方面，在3台气体分压计410A、410B、410C的测定结果的平均值大于基准蒸汽分压的情况下，停止由蒸汽供给部件300所进行的水蒸气的供给并使成膜辊22的表面的温度适度地上升。
[0073]通过上述操作，能够将PET膜基材16的含水量调整为适当的值，因此能够尽可能地使在后续工序中对利用薄膜形成装置10形成的ITO薄膜进行结晶化时的、结晶化所需的时间为最佳时间。
[0074]以上，根据实施方式说明了本发明的薄膜形成装置，但本发明当然不限于上述方式，也可以为例如以下的方式。
[0075](I)在上述例子中，在薄膜形成装置10中，成膜室40为一个，但也可以是，形成多个成膜室(即，进一步设置分隔壁而在成膜辊22的周向上分隔真空室12内的空间)，在各成膜室内设置靶材等，从而在挂绕于一成膜辊外周的膜基材的长度方向(成膜辊的周向)上的多处形成薄膜。
[0076](2)在上述例子中，针对传感器420A、420B、420C分别设置了主体430A、430B、430C，但并不限于此，也可以为如下系统，S卩，将传感器420A、420B、420C与I台主体相连接，使该主体显示传感器420A、420B、420C各自的测定结果。
[0077](3)在上述例子中，在反应性气体供给部件100中，针对每个供给部120A、120B、120C设置储气瓶130，利用专用的导入管将一储气瓶和一供给部一对一地连接，但并不限于此，也可以是，储气瓶为一个，使导入管分支为3个，并在该分支导入管的各自的终端部部分形成供给部。在该情况下，在上述分支导入管上分别设置阀，以便能够分别独立地调整来自各供给部的气体供给量。
[0078]此外，同样地，在非活性气体供给部件20中，也可以改变为上述那样的结构。
[0079](4)以上，在薄膜形成装置10中，在PET膜基材的表面上形成了 ITO薄膜，但所形成的薄膜并不限于此。也可以是，例如，将铌(Nb)用作金属靶材，将氩气用作非活性气体，将氧气用作反应性气体，在PET膜基材的表面上形成氧化铌(Nb2O5)的薄膜。
[0080](5)长条膜基材并不限于PET膜基材，能够使用由聚酯、聚酰胺、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯等各种塑料(均聚物、共聚物等)构成的单独膜基材或层叠膜基材O
[0081]另外，祀材并不限于上述材料，只要是Sn、In、Cd、Zn、T1、In和Sb的合金、以及In和Al的合金等那样的、能通过反应性溅射成膜来形成作为透明导电性薄膜的具有透明导电性的金属化合物薄膜、例如金属氧化物薄膜、金属氮化物薄膜的材料，则能够广泛地使用该材料。
[0082]作为使用这样的金属靶材在长条膜基材的表面上通过反应性溅射成膜而形成的透明导电性薄膜，除了 ITO之外，可列举出Sn02、In203、Cd0、Zn0、添加有Sb的In2O3、添加有Al的In2O3 (通常称作ΑΤ0)等金属氧化物薄膜、TiN, ZrN等金属氮化物薄膜等金属化合物薄膜。
[0083]另外，用于引起溅射的非活性气体并不限于Ar，可列举出He、Ne、Kr、Xe等，上述气体既可以单独使用，也可以以混合的方式使用。另外，作为用于进行成膜的反应性气体，在进行金属氧化物薄膜的成膜时，使用氧气，在进行金属氮化物薄膜的成膜时，使用氮气等，上述气体既可以以适当混合的方式使用，也可以使用上述气体以外的一氧化二氮等其他气体。
[0084](6)在上述实施方式中，使用单独的气体供给单元110、210分别供给非活性气体(Ar)和反应性气体(氧气)，但并不限于此，也可以利用单个气体供给单元来供给非活性气体(Ar)和反应性气体(氧气)。即，也可以将含有非活性气体和反应性气体的混合气体填充至一储气瓶中而进行供给。例如，在为了形成ITO薄膜而使用氩气(Ar)和氧气(O2)的情况下，使用氩气为80 (体积％)且氧气为20(体积％)的比率的混合气体。
[0085](7)在上述例子中，使用了 I种反应性气体，但本发明也能够应用于使用两种反应性气体的情况。例如，在要形成由氮氧化物构成的薄膜的情况下，向真空室内同时导入作为反应性气体的氧气和氮气。在该情况下，能够是，使靶材由Si (既可以为金属，也可以为氧化物)构成，作为长条膜基材而使用PET膜基材或PC (聚碳酸酯)膜基材，由此形成薄膜。
[0086](8)另外，本发明当然也能够应用于不使用反应性气体的情况，也可以是，例如，将PET膜基材或聚酰亚胺膜基材用作长条膜基材，将纯铜用作靶材，由此在膜基材的表面上形成铜的薄膜。
[0087]产业h的可利用件
[0088]本发明的薄膜形成装置能够适当地应用于例如用于在PET膜基材的表面上形成ITO薄膜而制作透明导电性膜的装置。
[0089]附图标记说明
[0090]10、薄膜形成装置;12、真空室；16、PET膜基材；16A、放卷卷；22、成膜辊;30、革巴材；100、反应性气体供给部件；110、气体供给单元；120A、120B、120C、供给部；142、第I导入管；146、第2导入管；147、第3导入管；148、第4导入管；200、非活性气体供给部件；210、气体供给单元；220A、220B、220C、供给部；242、第I导入管；246、第2导入管；247、第3导入管；248、第4导入管；400、气体分压测定部件；420A、420B、420C、传感器。
【权利要求】
1.一种薄膜形成装置，其用于利用溅射法在自卷绕长条膜基材而成的放卷卷放出并沿长度方向移动的上述长条膜基材的表面上连续地进行薄膜的成膜，其特征在于， 该薄膜形成装置包括: 真空室； 成膜辊，其收纳在上述真空室内，将移动的上述长条膜基材部分地卷绕于该成膜辊的外周面； 靶材，其以与上述成膜辊相对的方式配置在上述成膜辊的上述长条膜基材的卷绕位置处的上述成膜辊的径向外侧； 气体供给部件，其用于向上述真空室内供给用于上述成膜的气体；以及 气体分压测定部件，其用于测定上述真空室内的每种气体的分压， 上述气体供给部件具有:沿上述长条膜基材的宽度方向排列设置在上述真空室内的气体供给部，该气体供给部为多个；能够针对每个该气体供给部分别调整气体的供给量的供给量调整部， 上述气体分压测定部件具有:沿上述长条膜基材的宽度方向排列设置的测定部，该测定部为多个，用于测定该测定部的各自的设置位置处的上述气体的分压。
2.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于， 上述测定部分别以与上述气体供给部的在上述长条膜的宽度方向上的各自的设置位置相对应的方式设置。
3.根据权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于， 上述气体是用于上述成膜的反应性气体。
4.根据权利要求3所述的薄膜形成装置，其特征在于， 上述气体分压测定部件是四极质谱计。
5.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于， 上述气体是用于上述成膜的反应性气体。
6.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于， 上述气体是用于引起溅射的非活性气体。
7.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于， 上述气体是含有用于引起溅射的非活性气体和用于上述成膜的反应性气体的混合气体。
8.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于， 上述气体分压测定部件是四极质谱计。
【文档编号】C23C14/34GK104294235SQ201410345161
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年7月18日 优先权日:2013年7月19日
【发明者】梨木智刚, 滨田明 申请人:日东电工株式会社