专利名称：一种真空镀膜组态工艺控制方法
技术领域：
本发明涉及一种真空镀膜技术，尤其涉及一种真空镀膜膜组态工艺控制方法。
背景技术：
目前国内生产的各种真空镀膜机，普遍存在功能单一，自动化程度不高，生产出的产品质量较差，合格率低；不能满足高质量的需求。在2002年承担“计算机全自动控制超大容积真空镀膜成套设备及镀膜工艺研究”的过程中，我们提出了将复杂的真空镀膜工艺流程划分为九个完全独立的控制功能单元，也称为九个“过程”，按“过程”组态控制原则来编制软件。
发明内容
本发明的目的是提供一种多功能的真空镀膜组态工艺控制方法。
本发明的目的可以通过以下措施实现一种真空镀膜组态工艺控制方法，包括以下九个完全独立的工艺过程，且各工艺过程根据需要按次序进行组合，并由计算机编程控制执行预热过程、预真空过程、离子清洗过程、镀铝过程、离子轰击过程、镀氧化硅过程、镀氟化镁过程、充气开门过程、设备关闭过程。
所述预热过程为过程开始→检查水、气正常后开维持泵→开加热罐电源→开低真空计电源→开扩散泵加热电源→开机械泵→开罗茨泵→过程结束。
所述预真空过程为过程开始→开低真空计电源→关充气阀→开预抽阀→真空度10Pa时关预抽阀→开前级阀→开高真空阀→过程结束。
所述离子清洗过程为过程开始→开充氮气阀→开变频器调转速为4转/分→开轰击源→关充氮气阀→关变频器电源→过程结束。
所述镀铝过程为过程开始→开高真空计→开变频器并调转速为12转/分→开镀铝电源→关镀铝电源→过程结束。
过程开始→关高真空阀→关高真空计→关前级阀→开予抽阀→开充硅油阀→开变频器调转速为4转/分→开轰击源→关轰击源→关充硅油阀→关予抽阀→开前级阀→开高真空阀→过程结束。
所述镀氧化硅过程为过程开始→开高真空计→开测厚仪→开变频器调转速为4转/分→开充水阀→开氧化硅蒸发电源→关氧化硅蒸发电源→关充水阀一过程结束。
所述镀氟化镁过程为过程开始→开高真空计→开变频器调转速为4转/分→开氟化镁蒸发电源→关氟化镁蒸发源→过程结束。
所述充气开门过程为过程开始→关高真空阀→关前级阀→关预抽阀——关变频器→开充大气阀→过程结束。
所述设备关闭过程为过程开始→关高真空阀→关充大气阀→关扩散泵电源→关前级阀→关罗茨泵→关机械泵→关变频器→关维持泵→关总电源→过程结束。
为了便于操作，分别给每个工艺过程用字母表示，并赋予每个字母特定含义，即A、预热过程；C、预真空过程；D、离子清洗过程；E、镀铝过程；F、离子轰击过程；G、镀氧化硅过程；H、镀氟化镁过程；I、充气开门过程；B、设备关闭过程。
本发明的优点1、发明将真空镀膜工艺流程划分为九个“过程”，可根据工件的质量要求来安排工艺，在同一套设备上，九种过程可以有多种组合，可以完成蒸发镀铝，也可以在镀铝完成后再镀氧化硅或者氟化镁，实现一机多用之功效。
2、本发明可将九个过程进行编码，并由计算机编程实现自动控制，操作人员只需用键盘选择工艺过程即可，十分方便。例如工件需要完成镀铝，就选择预热过程、预真空过程、离子清洗过程、镀铝过程、充气开门过程即可。
具体实施例方式
实施例一工件需要完成镀铝，工艺设置选择A、C、D、E、I四个过程，即预热过程；离子清洗过程；镀铝过程及充气开门过程。
实施例二工件需要镀铝完成后镀氧化硅SiO，工艺设置选择A、C、D、E、F、G、I 7个过程，即预热过程、预真空过程、离子清洗过程、镀铝过程、离子轰击过程、镀氧化硅过程及充气开门过程；实施例三工件需要镀铝完成后再镀氟化镁镀MgF2，其工艺设置选择A、C、D、E、H、I 6个过程，即预热过程、预真空过程、离子清洗过程、镀铝过程、镀氟化镁过程及充气开门过程。
上述每个工艺过程的具体内容见前述。
权利要求
1.一种真空镀膜组态工艺控制方法，包括以下九个完全独立的工艺过程，且各工艺过程根据需要按次序进行组合，并由计算机编程控制执行预热过程、预真空过程、离子清洗过程、镀铝过程、离子轰击过程、镀氧化硅过程、镀氟化镁过程、充气开门过程、设备关闭过程。
2.如权利要求1所述的真空镀膜组态工艺控制方法，其特征在于所述预热过程为过程开始→检查水、气正常后开维持泵→开加热罐电源→开低真空计电源→开扩散泵加热电源→开机械泵→开罗茨泵→过程结束。
3.如权利要求1所述的真空镀膜组态工艺控制方法，其特征在于所述预真空过程为过程开始→开低真空计电源→关充气阀→开预抽阀→真空度10Pa时关预抽阀→开前级阀→开高真空阀→过程结束。
4.如权利要求1所述的真空镀膜组态工艺控制方法，其特征在于所述离子清洗过程为过程开始→开充氮气阀→开变频器调转速为4转/分→开轰击源→关充氮气阀→关变频器电源→过程结束。
5.如权利要求1所述的真空镀膜组态工艺控制方法，其特征在于所述镀铝过程为过程开始→开高真空计→开变频器并调转速为12转/分→开镀铝电源→关镀铝电源→过程结束。
6.如权利要求1所述的真空镀膜组态工艺控制方法，其特征在于所述离子轰击过程为过程开始→关高真空阀→关高真空计→关前级阀→开予抽阀→开充硅油阀→开变频器调转速为4转/分→开轰击源→关轰击源→关充硅油阀→关予抽阀→开前级阀→开高真空阀→过程结束。
7.如权利要求1所述的真空镀膜组态工艺控制方法，其特征在于所述镀氧化硅过程为过程开始→开高真空计→开测厚仪→开变频器调转速为4转/分→开充水阀→开氧化硅蒸发电源→关氧化硅蒸发电源→关充水阀→过程结束。
8.如权利要求1所述的真空镀膜组态工艺控制方法，其特征在于所述镀氟化镁过程为过程开始→开高真空计→开变频器调转速为4转/分→开氟化镁蒸发电源→关氟化镁蒸发源→过程结束。
9.如权利要求1所述的真空镀膜组态工艺控制方法，其特征在于所述充气开门过程为过程开始→关高真空阀→关前级阀→关预抽阀→关变频器→开充大气阀→过程结束。
10.如权利要求1所述的真空镀膜组态工艺控制方法，其特征在于所述设备关闭过程为过程开始→关高真空阀→关充大气阀→关扩散泵电源→关前级阀→关罗茨泵→关机械泵→关变频器→关维持泵→关总电源→过程结束。
全文摘要
本发明提供了一种多功能的真空镀膜组态工艺控制方法，其将真空镀膜工艺流程划分为九个“过程”，可根据工件的质量要求来安排工艺，在同一套设备上，九种过程可以有多种组合，可以完成蒸发镀铝，也可以在镀铝完成后再镀氧化硅或者氟化镁，实现一机多用之功效；同时将九个过程进行编码，并由计算机编程实现自动控制，操作人员只需用键盘选择工艺过程即可，十分方便。
文档编号C23C14/54GK1632163SQ200410082390
公开日2005年6月29日 申请日期2004年12月31日 优先权日2004年12月31日
发明者范多旺, 邓志杰, 魏宗寿, 解武波, 魏文军, 范多进, 孔令刚, 王汉安 申请人:兰州大成自动化工程有限公司, 兰州交通大学