专利名称：PA－SiN的化学气相沉积法的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种TFT-LCD ARRAY(薄膜晶体管液晶显示屏阵列)工艺，尤其涉及一种PA-SiN的化学气相沉积法。
背景技术：
TFT-LCD ARRAY(薄膜晶体管液晶显示屏阵列)工艺为液晶显示模块的前道工序，用来在玻璃基板上形成可控制光线是否通过的电学开关，其基本工艺结构近似于半导体工艺。化学气相沉积成膜工艺是TFT-LCD ARRAY工艺的组成部分，用来进行非金属膜的沉积。
现有技术中的PA-SiN的化学气相沉积法的步骤为1)加热基板；2)在PA-SiN成膜前，填充H2或N2；3)在PA-SiN成膜开始后，将硅烷流量加大到4500毫升/平方米，将电源功率降低到2000瓦/平方米，通过该方法得到的G端子部照片如图1所示。
由于现有技术中TFT-LCD ARRAY工艺中PA-SiN与G-SiN层之间由于存在界面问题，导致G-SiN之上的PA-SiN表面性质较差，在液晶显示模块的G线端子部做蚀刻时可能导致蚀刻形状不良，端子部电阻过高(如图1所示)。
因此，有必要开发出新的TFT-LCD ARRAY工艺来改变界面问题。
发明内容
本发明是针对TFT-LCD ARRAY(薄膜晶体管液晶显示屏阵列)工艺中PA-SiN(绝缘氮化硅)与G-SiN(栅极氮化硅)层之间由于存在界面问题，导致G-SiN之上的PA-SiN表面性质较差，在液晶显示模块的G线端子部形成接触不良而做的改进，提供一种PA-SiN的化学气相沉积法。
本发明的上述目的是通过下列技术方案来实现的本发明的PA-SiN的化学气相沉积法为1)加热基板；2)在PA-SiN成膜前，在氢气等离子增强气相沉积过程中，将电源功率加大到500瓦/平方米；3)在PA-SiN成膜开始后，A)将硅烷流量加大到8400毫升/平方米，将电源功率降低到1000瓦/平方米，并持续10秒钟；B)将硅烷流量通过多次降低至4500毫升/平方米，电源功率通过多次提高至2000瓦/平方米。
在本发明的PA-SiN的化学气相沉积法的较佳实施例中，在步骤B)中，硅烷流量是通过2～5次降低至4500sccm/平方米；电源功率通过3～5次提高至2000瓦/平方米。
本发明的PA-SiN的化学气相沉积法应用于TFT-LCD ARRAY工艺中，也适用于LTPS-LCD的相关工艺中。
本发明的积极进步效果在于本发明的PA-SiN的化学气相沉积法可有效地降低在液晶显示模块的G线端子部做蚀刻时导致的蚀刻形状不良，从而有效降低端子部电阻。
图1为使用现有技术中的PA-SiN的化学气相沉积法的G端子部照片；图2为使用本发明的PA-SiN的化学气相沉积法的G端子部照片。
具体实施例方式
实施例1首先加热基板。接着在PA-SiN成膜前，在氢气等离子增强气相沉积过程中，将电源功率加大到500瓦/平方米。在PA-SiN成膜开始后，将硅烷流量加大到8400毫升/平方米，将电源功率降低到1000瓦/平方米，并持续10秒钟；第一次将硅烷流量降低至7500毫升/平方米，电源功率提高至1200瓦/平方米；第二次将硅烷流量降低至6500毫升/平方米，电源功率提高至1500瓦/平方米；第三次将硅烷流量降低至4500毫升/平方米，电源功率提高至2000瓦/平方米。
结果表明使用本发明的PA-SiN的化学气相沉积法后，G端子部(见图2所示)的蚀刻形状非常好；而现有技术的化学气相沉积法得到的G端子部的蚀刻形状比较差(如图1所示)。
权利要求
1.一种PA-SiN的化学气相沉积法，该方法为1)加热基板；2)在PA-SiN成膜前，在氢气等离子增强气相沉积过程中，将电源功率加大到500瓦/平方米；3)在PA-SiN成膜开始后，A)将硅烷流量加大到8400毫升/平方米，将电源功率降低到1000瓦/平方米，并持续10秒钟；B)将硅烷流量通过多次降低至4500毫升/平方米，电源功率通过多次提高至2000瓦/平方米。
2.根据权利要求1所述的PA-SiN的化学气相沉积法，其特征在于步骤B)中，硅烷流量通过2～5次降低至4500毫升/平方米；电源功率通过3～5次提高至2000瓦/平方米。
全文摘要
本发明公开了一种PA－SiN的化学气相沉积法，该方法为1)加热基板；2)在PA－SiN成膜前，在氢气等离子增强气相沉积过程中，将电源功率加大到500瓦/平方米；3)在PA－SiN成膜开始后，A)将硅烷流量加大到8400毫升/平方米，将电源功率降低到1000瓦/平方米，并持续10秒钟；B)将硅烷流量通过多次降低至4500毫升/平方米，电源功率通过多次提高至2000瓦/平方米。本发明的方法可有效地降低在液晶显示模块的G线端子部做蚀刻时导致的蚀刻形状不良，从而有效降低端子部电阻。
文档编号C23C16/52GK1995452SQ20051011225
公开日2007年7月11日 申请日期2005年12月28日 优先权日2005年12月28日
发明者吴宾宾 申请人:上海广电Nec液晶显示器有限公司