专利名称：一种镓镁合金或者铟镁合金的生产方法
技术领域：
本发明涉及一种高效生产镓镁合金或者铟镁合金的生产方法，属于新材料领域。
背景技术：
镓镁合金和铟镁合金主要用于生产高纯金属有机化合物，目前生产镓镁合金或者 铟镁合金的方法效率低，生产成本高。
发明内容
针对现有技术中存在的不足，本发明设计了一种镓镁合金或者铟镁合金的生产方 法，其技术方案为 —种镓镁合金或铟镁合金的生产方法， 将金属镓和金属镁或者金属铟和金属镁按照一定比例配料，置入石墨坩埚，装入 真空炉中，密封，抽真空到低于10—、pa，停止抽真空，接着充入氢气，再抽真空(真空度同 前)后，再通入氢气10-30min后，升温到500-700°C ，待石墨坩埚中两种金属融熔后，开始搅 拌，20-40min后，停止搅拌，并停止加热，待冷却到5(TC以下，即可出炉。
本发明创造的有益效果
工艺简单，效果显著。
具体实施例方式
以下通过具体实施例对本发明技术方案作进一步的详细说明。[实施例1] —种镓镁合金的生产方法 将金属镓和金属镁按照一定比例配料，置入石墨坩埚，装入真空炉中，密封，抽真 空到低于10—、pa，停止抽真空，接着充入氢气，再抽真空(真空度同前)后，再通入氢气 10-30min后，升温到500-700°C ，待石墨坩埚中两种金属融熔后，开始搅拌，20-40min后，停 止搅拌，并停止加热，待冷却到50°C以下，即可出炉。 镓镁合金主要用于生产高纯金属有机化合物三甲基镓、三乙基镓，这两种材料主
要用于MOCVD。[实施例2] —种铟镁合金的生产方法 将金属铟和金属镁按照一定比例配料，置入石墨坩埚，装入真空炉中，密封，抽真 空到低于10—、pa，停止抽真空，接着充入氢气，再抽真空(真空度同前)后，再通入氢气 10-30min后，升温到500-700°C ，待石墨坩埚中两种金属融熔后，开始搅拌，20-40min后，停 止搅拌，并停止加热，待冷却到50°C以下，即可出炉。 铟镁合金主要用于生产高纯金属有机化合物三甲基铟、三乙基铟，是金属有机化 学气相沉积(简称MOCVD)、金属有机分子束外延(简称MOMBE)等技术生长半导体微结构材
3料的铟源。 虽然本发明已以较佳实施例公开如上，但它们并不是用来限定本发明，任何熟悉
此技艺者，在不脱离本发明之精神和范围内，自当可作各种变化或润饰，因此本发明的保护 范围应当以本申请的权利要求保护范围所界定的为准。
权利要求
一种镓镁合金或铟镁合金的生产方法，其步骤在于，将金属镓和金属镁，或者金属铟和金属镁，按照一定比例配料，置入石墨坩埚，装入真空炉中，密封，抽真空到低于10-4Mpa，停止抽真空，接着充入氢气，再抽真空到低于10-4Mpa后，再通入氢气10-30min后，升温到500-700℃，待石墨坩埚中两种金属融熔后，开始搅拌，20-40min后，停止搅拌，并停止加热，待冷却到50℃以下，即可出炉。
全文摘要
本发明公开了一种镓镁合金或铟镁合金的生产方法，将金属镓和金属镁或者金属铟和金属镁按照一定比例配料，置入石墨坩埚，装入真空炉中，密封，抽真空到低于10-4Mpa，停止抽真空，接着充入氢气，再抽真空(真空度同前)后，再通入氢气10-30min后，升温到500-700℃，待石墨坩埚中两种金属融熔后，开始搅拌，20-40min后，停止搅拌，并停止加热，待冷却到50℃以下，即可出炉。
文档编号C22C1/02GK101705381SQ20091023278
公开日2010年5月12日 申请日期2009年12月1日 优先权日2009年12月1日
发明者李国辉, 黄和明 申请人:南京中锗科技股份有限公司