专利名称：一种用于真空结晶炉保温组件的材料的生产方法
技术领域：
:本发明涉及一种用于真空结晶炉中保温组件的材料的生产方法。
背景技术：
:现有的真空结晶炉的保温组件是由钥制板材或石墨毡制成的，由钥制板材制成的保温组件的缺点是:钥板加热后，具有因再结晶晶粒变粗和脆化的特点，常发生表面起泡、起层现象，而且极易破碎，无法维修，另外，真空结晶炉工作时炉内的温度在2000で以上，而钥在1800°C时，会产生強烈的蒸发(升华)现象，不仅对结晶炉内产生污染，影响晶体质量，还会减短保温组件的使用周期。由石墨毡制作的保温组件的缺点是:在高温、高真空状态下石墨易挥发，所产生的游离态碳分子与结晶炉内的钨、钥坩埚及发热体发生化学反应，生成碳化物，会缩短真空结晶炉的使用寿命
发明内容
:本发明所要解决的技术问题是提供一种用于真空结晶炉保温组件的材料的生产方法，按照该方法生产出的材料制成的保温组件不会对真空结晶炉内产生污染，不影响晶体质量，井能延长保温组件和真空结晶炉的使用寿命。上述目的是这样实现的:将生产态粒度为2.55um,研磨态粒度为2.3um的W颗粒和生产态粒度为2.65um,研磨态粒度为2.4um的Mo颗粒混合，其中W和Mo的重量相等，混合后再加入占W颗粒和Mo颗粒总重量0.2% -0.5%的CeO，和占W颗粒和Mo颗粒总重量
0.05% -0.1%的ZrH2，混合均匀后经冷等静压机压制成型，最后在温度为2350°C以上的高温真空烧结炉(真空度< IXl(T2Pa)内烧结。本发明的优点是:由于按本方法生产的材料中含有占总重量近50%的W和50%的Mo，所以其与纯钥板相比可大幅度提高再结晶的温度，在温度2200°C、真空度小于IXlO-2Pa的条件下，重复使用仍能保持较高的強度；与纯钨相比，用冷等静压机压制的型坯强度高，有利于脱模和精整成型エ序的完成，烧结后制品的韧性好，有利于进行机械加エ。另外CeO主要起细化晶粒作用，能提高制品的耐熔融性和抗蠕变性能，加入ZrH2是利用其在真空状态下低温脱氢的特性，能有效地去除钨粉和钥粉中的含氧杂质，形成的ZrO2同样具有细化晶粒和抗蠕变性能。所以用本方法生产的材料制成的真空结晶炉中的保温组件不会对真空结晶炉内产生污染，不影响晶体质量，能延长保温组件和真空结晶炉的使用寿命。
具体实施方式
:将生产态粒度为2.55um，研磨态粒度为2.3um的W颗粒和生产态粒度为2.65um,研磨态粒度为2.4um的Mo颗粒混合，其中W和Mo的重量相等，混合后再加入占W颗粒和Mo颗粒总重量0.2%或0.3%或0.5%的CeO，和占W颗粒和Mo颗粒总重量0.05%或0.07%或0.1 %的ZrH2,混合均匀后经冷等静压机压制成型，最后在温度为2350°C以上的高温真空烧结炉(真空度く IXl(T2Pa)内烧结。
权利要求
1.一种用于真空结晶炉保温组件的材料的生产方法，其特征是:将生产态粒度为.2.55um，研磨态粒度为2.3um的W颗粒和生产态粒度为2.65um，研磨态粒度为2.4um的Mo颗粒混合,其中W和Mo的重量相等，混合后再加入占W颗粒和Mo颗粒总重量0.2% -0.5%的CeO，和占W颗粒和Mo颗粒总重量0.05% -0.1 %的ZrH2,混合均匀后经冷等静压机压制成型，最后在温度为2350°C以上的高温真空烧结炉内烧结。
全文摘要
本发明涉及一种用于真空结晶炉中保温组件的材料的生产方法。主要是为解决现有的由钼或石墨毡制成的保温组件对结晶炉内产生污染，影响晶体质量等问题而发明的。方法是将生产态粒度为2.55um，研磨态粒度为2.3um的W颗粒和生产态粒度为2.65um，研磨态粒度为2.4um的Mo颗粒混合，其中W和Mo的重量相等，混合后再加入占W颗粒和Mo颗粒总重量0.2％-0.5％的CeO，和占W颗粒和Mo颗粒总重量0.05％-0.1％的ZrH2，混合均匀后经冷等静压机压制成型，最后在温度为2350℃以上的高温真空烧结炉内烧结。优点是不会对真空结晶炉内产生污染，不影响晶体质量。
文档编号B22F3/16GK103121104SQ20111036985
公开日2013年5月29日 申请日期2011年11月21日 优先权日2011年11月21日
发明者高殿斌 申请人:高殿斌