专利名称：气体管路输送系统的制作方法
技术领域：
本实用新型专利涉及一种气体输送设备，特别涉及一种具有充足供应能力、压力流量稳定的气体管路输送系统。
背景技术半导体工业生产中需要用到大量气体进行反应，比如在CVD、Etch等过程中就需要引入多种反应气体，这些气体经过配管后通过各自的管道输送至反应区域。在实际操作过程中，常常因为管道材质和尺寸设计不合理导致流量不稳定，供应能力不足的问题发生
实用新型内容
本实用新型专利的目的在于提供一种具有充足供应能力、压力流量稳定的气体管路输送系统。为了实现上述目的，本实用新型提出如下技术方案实现气体管路输送系统，由可燃气体室、不可燃气体室、VMB气体分配室、CVDArea、EtchArea、输送管道组成；其特征在于可燃气体室内设置有C2H2+N2气瓶柜、PH3气瓶柜1#、PH3气瓶柜2#、SiH4+B2H6气瓶柜、SiH4气瓶柜、NH3气瓶柜；不可燃气体室内设置有CL2+HBr气瓶柜、SF6+CF4、N2CHCHF3G. R、Ar+He+N2G. R ；VMB 气体分配室内设置有 BCL3+SiH2CL2 气瓶柜、SiH2CL2VMB, BCL3VMB, SiH4VMB, NH3VMB, CL2VMB ；CVD Area 内设置有 DSF250、5200LPCVD、TEMPLPCVD, SF50、ASM MICR03、P5000、平板 CVD、三室 CVD ；Etch Area 内设置有 Rainbow4420、Rainbow4520>TCP9600>Auto Etch490、Auto Etch590、AURA1000、Auto Etch690、Tegal701、506蚀刻机、AME8330 ;输送管道由C2H2输送管道、PH31#输送管道A、PH31#输送管道B、PH32#输送管道A、PH32#输送管道B、SiH4l#输送管道、B2H6输送管道、SiH42#输送管道、NH3输送管道、CL2输送管道、HBr输送管道、SF6输送管道、CF4输送管道、N2O输送管道、CHF3输送管道、Ar输送管道、He输送管道、BCL3输送管道、SiH2CL2输送管道、SiH2CL2VMB输送管道、BCL3VMB输送管道、SiH4VMB输送管道、NH3VMB输送管道、CL2VMB输送管道组成；其中C2H2+N2气瓶柜通过C2H2输送管道与三室CVD相连；PH3气瓶柜1#通过PH31#输送管道A、PH31#输送管道B分别与SF50、DSF250连接；PH3气瓶柜2#通过PH32#输送管道A、PH32#输送管道B分别与5200LPCVD、P5000连接；SiH4+B2H6气瓶柜中SiH4通过SiH4l#输送管道与TEMP LPCVD连接，B2H6通过B2H6输送管道与SF50连接；SiH4气瓶柜通过SiH42#输送管道与SiH4VMB连接，SiH4VMB通过SiH4VMB输送管道与CVD Area内设置的DSF250、5200LPCVD、TEMP LPCVD, SF50、ASM MICR03、P5000、平板 CVD、三室 CVD 分别连接；NH3 气瓶柜通过NH3输送管道与NH3VMB连接，NH3VMB通过NH3VMB输送管道与CVD Area内设置的5200LPCVD、TEMP LPCVD, SF50、ASMMICR03、P5000、平板 CVD、三室 CVD 分别连接；CL2+HBr气瓶柜通过CL2输送管道、HBr输送管道分别与CL2VMB、Rainbow4420连接，CL2VMB 通过 CL2VMB 输送管道与 Etch Area 内设置的 Rainbow4420、TCP9600、Auto Etch490、Auto Etch690、AME8330分别连接；SF6+CF4通过SF6输送管道分别与Etch Area内设置的Rainbow4420、TCP9600、Auto Etch490、Auto Etch690、Tegal701、506蚀刻机、AME8330相连，SF6+CF4 通过 CF4 输送管道分别与 Etch Area 内设置的 Rainbow4420、Rainbow4520、TCP9600、Auto Etch490、Auto Etch590、AURA1000、Auto Etch690、506蚀刻机、AME8330 以及 CVD Area内设置的SF50、P5000、平板CVD相连；N20+CHF3G. R通过N2O输送管道分别与CVD Area内设置的DSF250、SF50、平板CVD相连，N20+CHF3G. R通过CHF3输送管道分别与Etch Area内设置的 Rainbow4420、Rainbow4520、Auto Etch590、Auto Etch690、Tegal701 相连；Ar+He+N2G.R 通过 Ar 输送管道分别与 Etch Area 内设置的 Rainbow4520、TCP9600、Auto Etch590、AME8330以及CVD Area内设置的DSF250、SF50相连，Ar+He+N2G. R通过He输送管道分别与Etch Area 内设置的 Rainbow4420、Rainbow4520、Auto Etch490、Auto Etch590、Tegal701相连；BCL3+SiH2CL2气瓶柜通过BCL3输送管道与BCL3VMB连接，BCL3VMB通过BCL3VMB输 送管道分别与 Etch Area 内设置的 TCP9600、Auto Etch690、AME8330 连接，BCL3+SiH2CL2 气瓶柜通过SiH2CL2输送管道与SiH2CL2VMB连接，SiH2CL2VMB通过SiH2CL2VMB输送管道分别与CVD Area 内设置的 5200LPCVD、TEMP LPCVD、三室 CVD 连接。所述输送管道均采用SS316L EP制成。所述N2O输送管道尺寸为3/8"，其余输送管道尺寸为1/4"。本实用新型专利可解决的技术问题是半导体生产中使用到众多的可燃气体和不可燃气体，采用SS316L EP制成的输送管道具有良好的耐腐蚀性和耐压性，可以安全稳定运输半导体生产所需要的多种气体；n20输送管道尺寸为3/8"，其余输送管道尺寸根据需要设计为1/4"，使得生产所需的气体流量压力稳定，供应充足，使得生产能够正常进行。
图I为本实用新型结构原理图。
具体实施方式
如图所示，气体管路输送系统，由可燃气体室I、不可燃气体室2、VMB气体分配室
3,CVD Area 4,Etch Area 5、输送管道组成；可燃气体室I内设置有C2H2+N2气瓶柜IUPH3气瓶柜1#12、PH3气瓶柜2#13、SiH4+B2H6气瓶柜14、SiH4气瓶柜15、NH3气瓶柜16 ;不可燃气体室 2 内设置有 CL2+HBr 气瓶柜 21、SF6+CF422、N20+CHF3G. R23、Ar+He+N2G. R24 ；VMB 气体分配室 3 内设置有 BCL3+SiH2CL2 气瓶柜 31、SiH2CL2VMB32、BCL3VMB33、SiH4VMB34、NH3VMB35、CL2VMB36 ；CVD Area 4 内设置有 DSF25041、5200LPCVD 42、TEMP LPCVD 43、SF5044、ASMMICR0345、P500046、平板 CVD 47、三室 CVD 48 ；Etch Area5 内设置有 Rainbow442050、Rainbow452051 > TCP960052、Auto Etch49053> Auto Etch59054> AURA100055、AutoEtch69056、Tegal70157、506 蚀刻机 58、AME833059 ;输送管道由 C2H2 输送管道 111、PH31# 输送管道A121、PH31#输送管道B122、PH32#输送管道A131、PH32#输送管道B132、SiH4l#输送管道141、B2H6输送管道142、SiH42#输送管道151、NH3输送管道161、CL2输送管道211、HBr输送管道212、SF6输送管道221、CF4输送管道222、N2O输送管道231、CHF3输送管道232、Ar输送管道241、He输送管道242、BCL3输送管道311、SiH2CL2输送管道312、SiH2CL2VMB输送管道321、BCL3VMB输送管道331、SiH4VMB输送管道341、NH3VMB输送管道351、CL2VMB输送管道361组成；其中C2H2+N2气瓶柜11通过C2H2输送管道111将C2H2输送至三室CVD 48 ；PH3气瓶柜1#12通过PH31#输送管道A121、PH31#输送管道B122分别将PH3、15% PH3+85% Ar输送至SF5044、DSF25041 ；PH3气瓶柜2#13通过PH32#输送管道A131、PH32#输送管道B132分别将 10% PH3in N2, PH3+15% Ar 输送至 5200LPCVD 42、P500046 ；SiH4+B2H6 气瓶柜 14 通过SiH4IS 输送管道 141、B2H6 输送管道 142 分别将 SiH4+20. 3% PH3>B2H6Ar 输送至 TEMP LPCVD43、SF5044 ;SiH4 气瓶柜 15 通过 SiH42# 输送管道 151 将 SiH4 输送至 SiH4VMB 34，SiH4VMB 34通过 SiH4VMB 输送管道 341 与 CVD Area 4 内设置的 DSF25041、5200LPCVD 42、TEMP LPCVD43、SF5044、ASM MICR0345、P500046、平板 CVD 47、三室 CVD 48 分别连接；NH3 气瓶柜 16 通过NH3输送管道161将NH3输送至NH3VMB 35，NH3VMB 35通过NH3VMB输送管道351与CVDArea 4 内设置的 5200LPCVD 42,TEMP LPCVD 43、SF5044、ASM MICR0345、P500046、平板 CVD47、三室CVD 48分别连接；CL2+HBr气瓶柜21通过CL2输送管道211、HBr输送管道212分别将CL2、HBr输送至 CL2VMB36、Rainbow442050, CL2VMB 36 通过 CL2VMB 输送管道 361 与 Etch Area5 内设置·的 Rainbow442050、TCP960052、Auto Etch49053、Auto Etch69056、AME833059 分别连接；SF6+CF422通过SF6输送管道221将SF6分别输送至Etch Area5内设置的Rainbow442050、TCP960052、Auto Etch49053、Auto Etch69056、Tegal 70157、506 蚀刻机 58、AME833059，SF6+CF422通过0 4输送管道222将CF4分别输送至Etch Area 5内设置的Rainbow442050、Rainbow452051 > TCP960052、Auto Etch49053> Auto Etch59054> AURA100055、AutoEtch69056、506 蚀刻机 58、AME833059 以及 CVD Area 4 内设置的 SF5044、P500046、平板CVD 47 ；N20+CHF3G. R23通过N2O输送管道231将N2O分别输送至CVD Area 4内设置的DSF25041、SF5044、平板 CVD 47，N20+CHF3G. R23 通过 CHF3 输送管道 232 将 CHF3 分别输送至Etch Area 5 内设置的Rainbow442050、Rainbow452051、Auto Etch59054、Auto Etch69056、Tegal 70157 ；Ar+He+N2G. R24通过Ar输送管道241将Ar分别输送至Etch Area 5内设置的 Rainbow45205U TCP960052、Auto Etch59054、AME833059 以及 CVD Area 4 内设置的DSF25041、SF5044，Ar+He+N2G. R24 通过 He 输送管道 242 将 He 分别输送至 Etch Area 5 内设置的 Rainbow442050、Rainbow452051、Auto Etch49053、Auto Etch59054> Tegal70157 BCL3+S%CL2气瓶柜31通过BCL3输送管道311、SiH2CL2输送管道312分别将BCL3> SiH2CL2 输送至 BCL3VMB33、SiH2CL2VMB32, BCLSVMB33 通过 BCL3VMB 输送管道 331 分别与 Etch Area 5 内设置的 TCP960052、Auto Etch69056、AME833059 连接，SiH2CL2VMB32 通过SiH2CL2VMB 输送管道 321 分别与 CVD Area 4 内设置的 5200LPCVD 42,TEMP LPCVD 43、三室CVD 48连接。半导体生产中使用到众多的可燃气体和不可燃气体，采用SS316L EP制成的输送管道具有良好的耐腐蚀性和耐压性，可以安全稳定运输半导体生产所需要的多种气体；n20输送管道231尺寸为3/8"，其余输送管道尺寸根据需要设计为1/4"，使得生产所需的气体流量压力稳定，供应充足，使得生产能够正常进行。本实用新型具有气体流量稳定，供应充足等优点，具有很好的推广价值。
权利要求1.气体管路输送系统，由可燃气体室、不可燃气体室、VMB气体分配室、CVDArea,EtchArea、输送管道组成；其特征在于可燃气体室内设置有C2H2+N2气瓶柜、PH3气瓶柜1#、PH3气瓶柜2#、SiH4+B2H6气瓶柜、SiH4气瓶柜、NH3气瓶柜；不可燃气体室内设置有CL2+HBr气瓶柜、SF6+CF4、N2CHCHF3G. R、Ar+He+N2G. R ；VMB 气体分配室内设置有 BCL3+SiH2CL2 气瓶柜、SiH2CL2VMB^BCL3VMB,S iH4VMB、NH3VMB、CL2VMB ；CVD Area 内设置有 DSF250、5200LPCVD、TEMPLPCVD, SF50、ASM MICR03、P5000、平板 CVD、三室 CVD ；Etch Area 内设置有 Rainbow4420、Rainbow4520>TCP9600>Auto Etch490、Auto Etch590、AURA1000、Auto Etch690、Tegal701、506蚀刻机、AME8330 ;输送管道由C2H2输送管道、PH31#输送管道A、PH31#输送管道B、PH32#输送管道A、PH32#输送管道B、SiH4l#输送管道、B2H6输送管道、SiH42#输送管道、NH3输送管道、CL2输送管道、HBr输送管道、SF6输送管道、CF4输送管道、N2O输送管道、CHF3输送管道、Ar输送管道、He输送管道、BCL3输送管道、SiH2CL2输送管道、SiH2CL2VMB输送管道、BCL3VMB输送管道、SiH4VMB输送管道、NH3VMB输送管道、CL2VMB输送管道组成； 其中C2H2+N2气瓶柜通过C2H2输送管道与三室CVD相连；PH3气瓶柜1#通过PH31#输送管道A、PH31#输送管道B分别与SF50、DSF250连接；PH3气瓶柜2#通过PH32#输送管道A、PH32#输送管道B分别与5200LPCVD、P5000连接；SiH4+B2H6气瓶柜中SiH4通过SiH4l#输送管道与TEMP LPCVD连接，B2H6通过B2H6输送管道与SF50连接；SiH4气瓶柜通过SiH42#输送管道与SiH4VMB连接，SiH4VMB通过SiH4VMB输送管道与CVD Area内设置的DSF250、5200LPCVD、TEMP LPCVD, SF50、ASM MICR03、P5000、平板 CVD、三室 CVD 分别连接；NH3 气瓶柜通过NH3输送管道与NH3VMB连接，NH3VMB通过NH3VMB输送管道与CVD Area内设置的5200LPCVD、TEMP LPCVD, SF50、ASMMICR03、P5000、平板 CVD、三室 CVD 分别连接； CL2+HBr气瓶柜通过CL2输送管道、HBr输送管道分别与CL2VMB、Rainbow4420连接，CL2VMB 通过 CL2VMB 输送管道与 Etch Area 内设置的 Rainbow4420、TCP9600、Auto Etch490、Auto Etch690、AME8330分别连接；SF6+CF4通过SF6输送管道分别与Etch Area内设置的Rainbow4420、TCP9600、Auto Etch490、Auto Etch690、Tegal701、506蚀刻机、AME8330相连，SF6+CF4 通过 CF4 输送管道分别与 Etch Area 内设置的 Rainbow4420、Rainbow4520、TCP9600、Auto Etch490、Auto Etch590、AURA1000、Auto Etch690、506蚀刻机、AME8330 以及 CVD Area内设置的SF50、P5000、平板CVD相连；N20+CHF3G. R通过N2O输送管道分别与CVD Area内设置的DSF250、SF50、平板CVD相连，N20+CHF3G. R通过CHF3输送管道分别与Etch Area内设置的 Rainbow4420、Rainbow4520、Auto Etch590、Auto Etch690、Tegal701 相连；Ar+He+N2G.R 通过 Ar 输送管道分别与 Etch Area 内设置的 Rainbow4520、TCP9600、Auto Etch590、AME8330以及CVD Area内设置的DSF250、SF50相连，Ar+He+N2G. R通过He输送管道分别与Etch Area 内设置的 Rainbow4420、Rainbow4520、Auto Etch490、Auto Etch590、Tegal701相连； BCL3+SiH2CL2气瓶柜通过BCL3输送管道与BCL3VMB连接，BCL3VMB通过BCL3VMB输送管道分别与 Etch Area 内设置的 TCP9600、Auto Etch690、AME8330 连接，BCL3+SiH2CL2 气瓶柜通过S^CL2输送管道与SiH2CL2VMB连接，SiH2CL2VMB通过SiH2CL2VMB输送管道分别与CVDArea 内设置的 5200LPCVD、TEMP LPCVD、三室 CVD 连接。
2.根据权利要求I所述的气体管路输送系统，其特征在于所述输送管道均采用SS316L EP 制成。
3.根据权利要求I所述的气体管路输送系统，其特征在于所述N2O输送管道尺寸为3/8"，其余输送管道尺寸为1/4"。
专利摘要本实用新型涉及一种气体管路输送系统，由可燃气体室、不可燃气体室、VMB气体分配室、CVD Area、Etch Area、输送管道组成；可燃气体室与不可燃气体室内的气体通过由SS316L EP制成的输送管道输送到VMB气体分配室内相应的VMB中，再从相应的VMB中输送到需求相应气体的CVD Area或Etch Area中；或是将可燃气体室与不可燃气体室内的气体直接输送至需求相应气体的CVDArea或Etch Area中；输送管道尺寸除N2O输送管道为3/8″外，其余输送管道尺寸均为1/4″；本实用新型具有气体流量稳定，供应充足的优点。
文档编号C23C16/455GK202688439SQ20122037843
公开日2013年1月23日 申请日期2012年7月31日 优先权日2012年7月31日
发明者马全合, 张磊, 姚煜 申请人:无锡奥维特电子科技有限公司