专利名称：气体输送系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导 体制造装置，尤其是用于输送反应物气体到处理腔室的系统。
背景技术：
在半导体制造工艺中，多个场合需要使用反应物气体。例如在化学气相沉积(CVD)中，不同反应物的反应物气体同时被输送给反应腔内的一个或多个衬底，并且在预设的温度和压力下彼此反应以在衬底上生长薄膜。又如在原子层沉积(ALD)中，交替并重复地向反应腔内的衬底输送不同的反应物气体形成分子单层薄膜，以与前一种反应物形成的分子单层进行反应，直至达到目标厚度。或者在等离子体干法蚀刻工艺中，蚀刻气体与惰性气体同时被输送至反应腔，在电场的作用下，蚀刻气体轰击衬底，以物理和/或化学作用削减衬底的厚度。参见图I所示的现有的气体输送系统与反应腔连接的示意图，反应气体或者惰性气体首先通过过滤器，再通过流量调节阀门后进入反应腔。然而，在某些工艺中，前级管道(foreline)中的气体会出现返流的情况，返流气体进入过滤器之后，可能会导致过滤器的污染，导致其过滤效果下降，一方面缩短过滤器的使用寿命、使得生产成本上升；另一方面导致进入反应腔的反应气体带有杂质，影响局部放电性能以及成品率，严重时可能会导致衬底的报废。
实用新型内容本实用新型针对现有技术中前级管道气体返流造成杂质污染的问题，对气体输送系统进行改进。本实用新型所采用的技术方案是一种气体输送系统，包括连接至气源的气体入口、连接至反应腔的气体出口；连接于气体入口与气体出口之间的过滤器；连接于过滤器与气体出口之间的流量控制阀；连接于过滤器与流量控制阀之间的止回阀。通过以上技术方案的实施，本实用新型所达到的优点是止回阀能够阻挡返流气体，使得返流气体不会对过滤器造成影响，能够保证过滤器的性能不受影响，一方面降低由于更换过滤器带来的成本增加，另一方面确保后续生产中气体的纯净,使得其局部放电性能不受影响，保证生产的成品率。
通过附图中所示的本实用新型的优选实施例的更具体说明，本实用新型的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本实用新型的主旨。图I为现有的气体输送系统与反应腔连接的示意图；图2为本实用新型提出的气体输送系统与反应腔连接的示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例作详细说明本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式，但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。参见图2所示的本申请提出的气体输送系统，它包括连接至气源的气体入口 I、连接至反应腔3的气体出口 2 ;连接于气体入口 I与气体出口 2之间的过滤器4，用于过滤气体中的杂质；连接于过滤器4与气体出口 2之间的流量控制阀5，该流量控制阀5可以仅为开关阀，用于打开和切断气流，也可以为能够调整流量，用于调整进入反应腔的气体的流量；连接于过滤器4与流量控制阀5之间的止回阀(单向阀)6。为了实现反应，所述反应腔3上通常连接有多条上述气体输送系统，多条气体输送系统连接至各种不同的气源，气源为各种不同的反应气体或者惰性气体，本实施例仅以两条气体输送系统为例，但并不构成对实施方式的限制。·[0013]本气体输送装置，由于具有了止回阀6，即使出现气体返流的情况，返流气体因为受到止回阀6的阻挡，并不会进入过滤器4，不会对过滤器4造成影响，能够保证过滤器4的性能不受影响，一方面降低由于更换过滤器4带来的成本增加，另一方面确保后续生产中气体的纯净，使得其局部放电性能不受影响，保证生产的成品率。本实用新型虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定权利要求，任何本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本实用新型的保护范围应当以本实用新型权利要求所界定的范围为准。
权利要求1.一种气体输送系统，包括连接至气源的气体入口、连接至反应腔的气体出口 ；连接于气体入口与气体出口之间的过滤器；连接于过滤器与气体出口之间的流量控制阀；其特征在于，该气体输送系统还包括连接于过滤器与流量控制阀之间的止回阀。
2.如权利要求I所述的气体输送系统，其特征在于所述反应腔上连接有多条气体输送系统，多条气体输送系统分别连接至不同气源。
3.如权利要求2所述的气体输送系统，其特征在于所述气源为反应物气体或者惰性气体。
专利摘要本实用新型涉及半导体制造装置，尤其是一种气体输送系统，它包括连接至气源的气体入口、连接至反应腔的气体出口；连接于气体入口与气体出口之间的过滤器；连接于过滤器与气体出口之间的流量控制阀；连接于过滤器与流量控制阀之间的止回阀。本实用新型的优点是止回阀能够阻挡返流气体，使得返流气体不会对过滤器造成影响，能够保证过滤器的性能不受影响，一方面降低由于更换过滤器带来的成本增加，另一方面确保后续生产中气体的纯净，使得其局部放电性能不受影响，保证生产的成品率。
文档编号C23C16/455GK202758844SQ20122043491
公开日2013年2月27日 申请日期2012年8月29日 优先权日2012年8月29日
发明者郑修锋, 解毅, 朱义党, 胡可绿, 王华钧, 忻圣波 申请人:上海宏力半导体制造有限公司