专利名称：物理气相沉积成膜设备工艺腔套件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体集成电路制造设备，特别是涉及一种物理气相沉积成膜设备工艺腔套件。
背景技术：
在半导体行业中，物理气相沉积成膜工艺是一项应用非常广泛的工艺方法，腔体的优劣直接关系成膜质量。目前使用的工艺腔套件的压环(cover ring)采用双环中空的结构，双环结构主要用于套件位置固定，防止套件错位的功能。如图1所述为现有工艺腔套件在加热台工艺位置时的结构剖面图，包括静电吸附加热台(E-chuck heater) 11、娃片(wafer) 12、陶瓷环(Depo-ring) 13、压环(Cover-ring) 14 及挡板(Low shield) 15,其中，硅片12放置在静电吸附加热台11的上方，在所述静电吸附加热台11外周有一环形凹槽，在所述的环形凹槽中安装有一陶瓷环13，在所述陶瓷环13上可分离的安装有一压环(Cover-ring) 14,所述压环14采用双环中空的结构，在压环14的下方，所述挡板15 (Low-shield)的顶端不接触的设置在所述压环14的双环中间，所述挡板15为环形，所述挡板15的底端接地。此时，在所述硅片12、陶瓷环13及压环14上积累了大量的电荷16。如图2，为现有的工艺腔套件在加热台放电位置时的结构剖面图，此时压环14随着静电吸附加热台11的移动与挡板15相接触，电荷16从压环14移动到挡板15上，实现放电。但是，在现有技术中，当工艺腔套件使用次数过度时，会导致套件严重变形。在成膜沉积时，随着压环14上电荷16的不断积累，造成压环14双环与挡板15之间造成尖端放电，形成高电流流过压环14，击穿成膜硅片12，严重时会击碎硅片12。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种物理气相沉积成膜设备工艺腔套件结构，能防止成膜时工艺腔套件尖端放电击穿成膜硅片。为解决上述技术问题，本实用新型提供的一种物理气相沉积成膜设备工艺腔套件，其特征在于，包括压环、定位螺杆、陶瓷绝缘子、挡板及螺帽，其中所述定位螺杆的顶端固定在所述压环上，所述定位螺杆的底端穿过所述陶瓷绝缘子，并在所述定位螺杆的底端加装螺帽，用于限制挡板的移动，所述陶瓷绝缘子固定安装在所述挡板上。进一步的，还包括静电吸附加热台、硅片及陶瓷环，其中硅片放置在静电吸附加热 台上方，陶瓷环固定安装在所述静电吸附加热台的凹槽上，所述压环固定在所述陶瓷环上。进一步的，所述定位螺杆为两个。进一步的，所述陶瓷绝缘子为两个。本实用新型的物理气相沉积成膜设备工艺腔套件，能有效的避免压环双环与挡板之间造成尖端放电，形成高电流流过压环，击穿成膜硅片，严重时会击碎硅片的情况，提高工艺可靠性，节约成本。以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明图1是现有的工艺腔套件在加热台工艺位置时的结构剖面图；图2是现有的工艺腔套件在加热台放电位置时的结构剖面图；图3是本实用新型工艺腔套件在加热台工艺位置时的结构剖面图；图4是本实用新型工艺腔套件在加热台放电位置时的结构剖面图；图5是本实用新型工艺腔套件平面结构示意图。主要结构
静电吸附加热台11硅片12陶瓷环13 压环14 挡板15电荷16静电吸附加热台21硅片22陶瓷环23 压环24挡板25定位螺杆26陶瓷绝缘子27螺帽28电荷29
具体实施方式
为使贵审查员对本实用新型的目的、特征及功效能够有更进一步的了解与认识，以下配合附图详述如后。如图3所示，为本实用新型工艺腔套件在加热台工艺位置时的结构剖面图，包括静电吸附加热台(E-chuck heater) 21、娃片(wafer) 22、陶瓷环(Depo-ring) 23、压环(Cover-ring) 24、挡板(Low shield) 25、定位螺杆26、陶瓷绝缘子27及螺帽28，其中硅片22放置在静电吸附加热台21的上方，在所述静电吸附加热台21外周有一环形凹槽，在所述的环形凹槽中固定安装有一陶瓷环23，在所述陶瓷环23上可分离的安装有一压环(Cover-ring) 24，所述压环24采用单环结构，所述定位螺杆26的顶端固定在所述压环24上，所述定位螺杆26的底端穿过所述陶瓷绝缘子27并在所述定位螺杆26的底端加装螺帽28，用于限制挡板25的移动。所述陶瓷绝缘子27固定安装在挡板25上，所述挡板25为环形，。由于增加了定位螺杆26，固定了压板24及挡板25之间的相对位置，杜绝了两者接触短路的可能，避免了硅片被放电击穿的风险。所述定位螺杆为26为两个。如图4所述，为本实用新型工艺腔套件在加热台放电位置时的结构剖面图，此时压环24随着静电吸附加热台21的移动与挡板25相接触，电荷29从压环24移动到挡板25上，实现放电。如图5结合图3所示，为本实用新型工艺腔套件的平面结构示意图，如图所示陶瓷环23设置在所述静电吸附加热台21的外周凹槽内，所述压环24可分离的安装在所述陶瓷环23上。以上通过具体实施例对本实用新型进行了详细的说明，但这些并非构成对本实用新型的限制。在不脱离本实用新型原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种物理气相沉积成膜设备工艺腔套件，其特征在于，包括压环、定位螺杆、陶瓷绝缘子、挡板及螺帽，其中所述定位螺杆的顶端固定在所述压环上，所述定位螺杆的底端穿过所述陶瓷绝缘子，并在所述定位螺杆的底端加装螺帽，用于限制挡板的移动，所述陶瓷绝缘子固定安装在所述挡板上。
2.如权利要求1所述的物理气相沉积成膜设备工艺腔套件，其特征在于还包括静电吸附加热台、硅片及陶瓷环，其中硅片放置在静电吸附加热台上方，陶瓷环固定安装在所述静电吸附加热台的环形凹槽上，所述压环可分离的安装在所述陶瓷环上。
3.如权利要求1所述的物理气相沉积成膜设备工艺腔套件，其特征在于，所述定位螺杆为两个。
4.如权利要求1所述的物理气相沉积成膜设备工艺腔套件，其特征在于，所述陶瓷绝缘子为两个。
专利摘要本实用新型公开了一种物理气相沉积成膜设备工艺腔套件，包括压环、定位螺杆、陶瓷绝缘子、挡板及螺帽，其中所述定位螺杆的顶端固定在所述压环上，所述定位螺杆的底端穿过所述陶瓷绝缘子，并在所述定位螺杆的底端加装螺帽，用于限制挡板的移动，所述陶瓷绝缘子固定安装在所述挡板上。本实用新型能有效的避免压环双环与挡板之间造成尖端放电，形成高电流流过压环，击穿成膜硅片，严重时会击碎硅片的情况，提高工艺可靠性，节约成本。
文档编号C23C14/22GK202898518SQ201220501259
公开日2013年4月24日 申请日期2012年9月28日 优先权日2012年9月28日
发明者李文军, 费强, 刘善善 申请人:上海华虹Nec电子有限公司