专利名称：降低表面复合减反膜电池的工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池结构及制作工艺技术领域，尤其是一种降低表面复合减反 膜电池的工艺。
背景技术：
晶体硅太阳能工艺开发中会引入RIE制绒工艺(等离子体反应刻蚀)相对于一般 使用的化学液体腐蚀制绒可以增加其光吸收量，一般制绒后反射率可控制在10%以下，ARC 后反射率可控制在4%以下，但同时会增加硅片的表面损伤，加剧其表面复合，从而降低电 池的Voc，Isc等性能。所以工艺中一般要处理好ARC镀膜前的处理，在对电池片正面做好 其ARC (表面减反射膜)的减反调节的同时做好其表面的钝化效果。传统电池工艺制作流程为硅片-RIE制绒-扩散-去PSG+刻边-表面减反膜处 理-丝网印刷_烧结，一般是直接对硅片进行绒面处理以增加广吸收，这一方法在化学腐蚀 的理论下，不会对电池表面造成制绒损伤；但RIE制绒是采用干法刻蚀原理，其工艺过程会 在硅片表面造成刻蚀损伤，由于损伤层的存在会造成电池性能的降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了解决RIE制绒对硅片表面造成的刻蚀损伤，本 发明提供一种降低表面复合减反膜电池的工艺。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种降低表面复合减反膜电池的工 艺，其特征是具有如下工艺步骤a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边 处理；c.再对硅片表面进行减反和/或钝化处理；d.再在减反和/或钝化处理后的硅片表 面进行RIE制绒；e.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。作为本发明的另一个技术方案，一种降低表面复合减反膜电池的工艺，具有如下 工艺步骤a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面 进行钝化处理；d.再在钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.再在制绒后的硅片表面进 行减反处理；f.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。本发明的有益效果是，本发明降低表面复合减反膜电池的工艺，通过对传统电池 工艺流程步骤改变，改变了传统电池的结构，不直接在硅片表面进行制绒而是在ARC (表面 减反射膜)层上进行制绒，这样制绒后可达到同样的表面限光效果，同时也不会在硅片表 面造成刻蚀损伤，达到了提升电池效率的目标。
下面结合附图对本发明进一步说明。图1是现有太阳能电池的结构示意图；图2是本发明实施例一的结构示意图。其中=LSiN膜，2. RIE 制绒层，3. ARC 层。
具体实施例方式实施例一如图2所示是本发明实施例一的结构示意图，降低表面复合减反膜电池的工艺， 具有如下工艺步骤a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对 硅片表面进行减反钝化膜处理；d.再在减反和/或钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒； e.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。上述实施例一中的减反钝化膜采用SiN膜，厚度为Ium;减反膜工艺完成后进行 RIE制绒工艺，直接在SiN表面形成RIE制绒层2。在此工艺流程下RIE制绒后的反射率可以达到以下，达到最佳光吸收效果。实施例二降低表面复合减反膜电池的工艺，具有如下工艺步骤a.硅片进行扩散处理； b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行钝化膜处理；d.再在钝化处理 后的硅片表面进行RIE制绒；e.再在制绒后的硅片表面进行减反膜处理；f.最后进行丝网 印刷，烧结制成成品。上述实施例二中的钝化膜采用SiO2膜，厚度为Ium;减反膜采用SiN膜，厚度为 SOnm ；此工艺是在SiO2层上进行RIE制绒，再用SiN膜进行覆盖，采用SiO2钝化可以达到更 好的表面钝化效果，再加上RIE制绒和SiN膜的表面减反处理，同样可以达到以下的表 面反射率，同时由于采用了 SiO2膜又增加了表面钝化效果可进一步提升电池效率。改变工艺顺序后，其制绒结构的位置也改变了，从而保证了其表面的复合不增加， 同时应用其RIE制备为出来的微结构应用在ARC膜上，从而保证电池的光吸收。以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完 全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术 性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求
一种降低表面复合减反膜电池的工艺，其特征是具有如下工艺步骤a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行减反和/或钝化处理；d.再在减反和/或钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。
2.根据权利要求1所述的降低表面复合减反膜电池的工艺，其特征是具有如下工艺 步骤a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行钝化处理；d.再在钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒； e.再在制绒后的硅片表面进行减反处理；f.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。
全文摘要
本发明涉及太阳能电池结构及制作工艺技术领域，尤其是一种降低表面复合减反膜电池的工艺，其具有如下工艺步骤a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行减反和/或钝化处理；d.再在减反和/或钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。本发明通过对传统电池工艺流程步骤改变，改变了传统电池的结构，不直接在硅片表面进行制绒而是在ARC(表面减反射膜)层上进行制绒，这样制绒后可达到同样的表面限光效果，同时也不会在硅片表面造成刻蚀损伤，达到了提升电池效率的目标。
文档编号H01L31/18GK101976703SQ20101023825
公开日2011年2月16日 申请日期2010年7月28日 优先权日2010年7月28日
发明者吴国强, 陈亮 申请人:常州天合光能有限公司