涡电流传感器以及研磨方法和装置与流程

文档序号:12006299阅读:来源:国知局
涡电流传感器以及研磨方法和装置与流程

技术特征:
1.一种涡电流传感器,其特征在于,该涡电流传感器配置于形成有导电性膜的基板的附近,检测所述导电性膜上形成的涡电流,该涡电流传感器构成为,将卷绕了导线的尺寸不同的多个线圈互相分离地配置为外侧的线圈包围内侧的线圈,各个所述多个线圈分别构成检测所述导电性膜上形成的涡电流的检测线圈,所述涡电流传感器,具备有与交流信号源相连接、在所述导电性膜上形成涡电流的多个励磁线圈,所述多个励磁线圈互相分离地配置为外侧的励磁线圈包围内侧的励磁线圈。2.根据权利要求1所述的涡电流传感器,其特征在于,所述涡电流传感器,具备有分别与所述多个检测线圈串联连接的多个虚设线圈,所述多个虚设线圈互相分离配置为外侧的虚设线圈包围内侧的虚设线圈。3.根据权利要求1所述的涡电流传感器,其特征在于,将列定义为对于基板的垂直方向、层定义为对于基板的平行方向时,所述多个检测线圈中的至少1个由导线卷绕为1列多层的线圈构成。4.根据权利要求1所述的涡电流传感器,其特征在于,将列定义为对于基板的垂直方向、层定义为对于基板的平行方向时,所述多个励磁线圈中的至少1个由导线卷绕为1列多层的线圈构成。5.根据权利要求2所述的涡电流传感器,其特征在于,将列定义为对于基板的垂直方向、层定义为对于基板的平行方向时,所述多个虚设线圈中的至少1个由导线卷绕为1列多层的线圈构成。6.根据权利要求1所述的涡电流传感器,其特征在于,所述励磁线圈弯曲地形成为越接近半径方向外侧越靠近基板。7.一种涡电流传感器,其特征在于,该涡电流传感器配置于形成有导电性膜的基板的附近,检测所述导电性膜上形成的涡电流,该涡电流传感器构成为,将卷绕了导线的尺寸不同的多个线圈相对于基板在垂直方向上下配置,各个所述多个线圈分别检测所述导电性膜上形成的涡电流。8.根据权利要求7所述的涡电流传感器,其特征在于,所述多个线圈,由线圈外径小的线圈和线圈外径大的线圈构成,或者将线圈的内径与外径的算术平均定义为线圈中心直径的话,由线圈中心直径小的线圈和线圈中心直径大的线圈构成。9.根据权利要求8所述的涡电流传感器,其特征在于,将所述线圈外径小的线圈和所述线圈外径大的线圈分别多个串联连接,被串联连接的线圈外径小的线圈和被串联连接的线圈外径大的线圈配置为任意一方夹着另一方。10.根据权利要求8所述的涡电流传感器,其特征在于,将所述线圈中心直径小的线圈和所述线圈中心直径大的线圈分别多个串联连接,被串联连接的线圈中心直径小的线圈和被串联连接的线圈中心直径大的线圈配置为任意一方夹着另一方。11.根据权利要求7所述的涡电流传感器,其特征在于,所述多个线圈构成分别检测所述导电性膜上形成的涡电流的检测线圈。12.根据权利要求11所述的涡电流传感器,其特征在于,所述涡电流传感器具有与交流信号源相连接、在所述导电性膜上形成涡电流的多个励磁线圈,所述多个励磁线圈相对于基板在垂直方向上下配置。13.根据权利要求11所述的涡电流传感器,其特征在于,所述涡电流传感器具有与所述多个检测线圈分别串联连接的多个虚设线圈,所述多个虚设线圈相对于基板在垂直方向上下配置。14.根据权利要求11所述的涡电流传感器,其特征在于,将列定义为对于基板的垂直方向、层定义为对于基板的平行方向时,所述多个检测线圈中的至少1个由导线卷绕为1列多层的线圈构成。15.根据权利要求12所述的涡电流传感器,其特征在于,将列定义为对于基板的垂直方向、层定义为对于基板的平行方向时,所述多个励磁线圈中的至少1个由导线卷绕为1列多层的线圈构成。16.根据权利要求13所述的涡电流传感器,其特征在于,将列定义为对于基板的垂直方向、层定义为对于基板的平行方向时,所述多个虚设线圈中的至少1个由导线卷绕为1列多层的线圈构成。17.根据权利要求12所述的涡电流传感器,其特征在于,所述励磁线圈弯曲地形成为越接近半径方向外侧越靠近基板。18.一种研磨方法,其特征在于,将作为研磨对象的基板按压于旋转的研磨台上的研磨面,研磨所述基板上的导电性膜,所述基板的研磨中,伴随所述研磨台的旋转,通过设置在该研磨台上的涡电流传感器扫描基板的被研磨面,监视通过扫描所述基板的被研磨面而得到的所述涡电流传感器的输出,根据该涡电流传感器的输出变化监视所述导电性膜的膜厚,所述涡电流传感器具有卷绕了导线的尺寸不同的多个线圈,所述多个线圈互相分离地配置为外侧的线圈包围内侧的线圈,各个所述多个线圈分别构成检测所述导电性膜上形成的涡电流的检测线圈,各个所述多个检测线圈分别检测包含基板被研磨面上的第1区域和含有该第1区域、大于第1区域的第2区域的2个以上区域的涡电流,或者分别检测基板的被研磨面各区域的涡电流,所述涡电流传感器,具备有与交流信号源相连接、在所述导电性膜上形成涡电流的多个励磁线圈,所述多个励磁线圈互相分离地配置为外侧的励磁线圈包围内侧的励磁线圈。19.根据权利要求18所述的研磨方法,其特征在于,所述多个线圈分别构成外径大的传感器和外径小的传感器,监视所述外径大的传感器的输出,根据输出的变化检测研磨终点,检测到所述研磨终点后,进行监视所述外径小的传感器的输出、检测残留在部分基板上的膜的残膜监视。20.根据权利要求18所述的研磨方法,其特征在于,将线圈的内径与外径的算术平均定义为线圈中心直径的话,所述多个线圈由线圈中心直径小的线圈和线圈中心直径大的线圈构成,具有所述线圈中心直径小的线圈的传感器构成传感器径小的传感器,具有所述线圈中心直径大的线圈的传感器构成传感器径大的传感器,监视所述线圈中心直径大的传感器的输出,根据输出的变化检测研磨终点,检测到所述研磨终点后,进行监视所述线圈中心直径小的传感器的输出、检测残留在部分基板上的膜的残膜监视。
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