技术总结
本发明提供一种无需提升涡电流传感器的振荡频率、内部电路的放大率及励磁电压，并且即使不在研磨台内的不同位置设置灵敏度不同的多个传感器，也可以正确检测半导体晶片等基板上的金属薄膜（或导电性薄膜）的涡电流传感器。该涡电流传感器为配置于形成有金属膜或导电性膜的基板W的附近、检测金属膜或导电性膜上形成的涡电流的涡电流传感器（50），其构成为，将卷绕了导线或导电体的尺寸不同的多个线圈（63A、63B）互相分离配置为外侧的线圈（63B）包围内侧的线圈（63A），多个线圈（63A、63B）各自分别检测金属膜或导电性膜上形成的涡电流。
技术研发人员：高桥太郎;多田光男
受保护的技术使用者：株式会社荏原制作所
文档号码：201310110317
技术研发日：2013.03.29
技术公布日：2017.03.01