一种进气装置、反应腔室及等离子体加工设备的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种进气装置、反应腔室及等离子体加工设备，其用于根据工艺需求向反应腔室内部的不同区域输送工艺气体，且包括中央进气口、扩散板和第一驱动源，其中，中央进气口的下端与反应腔室的内部连通；扩散板与中央进气口的下端形成水平进气口，且扩散板包括中心柱和至少两个扇叶，至少两个扇叶环绕中心柱间隔设置，且与中心柱可上下摆动地连接；第一驱动源用于单独和/或同时驱动至少两个扇叶向上或向下摆动，以改变扇叶所在平面与中央进气口之间的角度。本发明提供的进气装置不仅可以使不同的工艺均能够获得理想的气体扩散效果，而且还可以使自水平进气口喷出的工艺气体朝各个方向扩散的扩散半径趋于均匀。
【专利说明】一种进气装置、反应腔室及等离子体加工设备
【技术领域】
[0001] 本发明涉及微电子加工【技术领域】，具体地，涉及一种进气装置、反应腔室及等离子 体加工设备。
【背景技术】
[0002] 等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，以 下简称PECVD)技术是被广泛用于沉积高质量薄膜的一种方法，该方法是将基片置于真空 的反应腔室中的间隔设置且相互平行的两个电极板之间，两个电极板中的其中一个电极板 与射频电源连接，其中另一个电极板接地，而且，向两个电极板之间通入工艺气体，在射频 电源开启之后，工艺气体被激发而在两个电极板之间形成等离子体，等离子体会与基片发 生反应，从而在基片表面形成工艺所需的薄膜。
[0003] 图1为现有的应用上述方法的PECVD设备。图2为图1中PECVD设备的进气装置 的扩散板的俯视图。请一并参阅图1和图2，PECVD设备包括反应腔室10,在反应腔室10内 设置有接地的载板11，其作为两个电极板中的下电极板且用以承载多个基片12 ;在反应腔 室10的顶部设置有射频盖板13,其与射频电源（图中未示出）连接，用以作为两个电极板 中的上电极板，并且，在射频盖板13与载板11之间设置有匀流板16,匀流板16与射频盖 板13形成匀流腔室18,且在匀流板16上均匀分布有使匀流腔室18和反应腔室10相连通 的多个出气口 17 ;而且，在反应腔室10的顶部还设置有进气装置，其包括气源（图中未示 出）、中央进气口 14和扩散板15。其中，中央进气口 14设置在射频盖板13的中心位置处， 且与匀流腔室18相连通；扩散板15设置在匀流腔室18内，且位于中央进气口 14的端部下 方，并与中央进气口 14的端部形成水平进气口，并且，在扩散板15上分布有多个垂直进气 口 151，在进行薄膜沉积工艺的过程中，自气源的输出端流出的工艺气体中的一部分气体经 由中央进气口 14和垂直进气口 151进入匀流腔室18的中心区域，并经由出气口 17进入反 应腔室10内的中心区域；其余气体经由中央进气口 14和扩散板15与中央进气口 14的端 部形成的水平进气口进入匀流腔室18,且沿水平方向朝向四周扩散，并经由出气口 17进入 反应腔室10内的边缘区域。
[0004] 在实际应用中，在使用上述PECVD设备时，由于等离子体除了在基片上沉积薄膜 之外，还会在反应腔室的腔室壁和其他零部件上沉积薄膜，该薄膜会在累积一定的厚度之 后掉落污染颗粒，导致基片被污染，从而降低了产品质量。为此，就需要在完成预定次数的 薄膜沉积工艺之后对反应腔室的内部进行清洗。目前，干法清洗（Dry clean)是人们普遍 应用的一种清洗工艺，其在无需打开反应腔室的前提下即可对反应腔室中的腔室内壁和零 部件表面进行清洗。
[0005] 然而，上述PECVD设备在进行薄膜沉积工艺和干法清洗工艺相结合的工艺过程 中，其不可避免地存在以下问题：
[0006] 其一，由于扩散板15与中央进气口 14的端部形成的水平进气口的通气截面积是 固定的，或者，扩散板15与中央进气口 14的端部之间的垂直距离D是固定的，而且水平进 气口的通气截面积、气体流量和腔室压力这三个参数与工艺气体自水平进气口向四周扩散 的半径（以下简称扩散半径）之间具有一定的对应关系，即，在水平进气口的通气截面积不 变的前提下，气体流量和腔室压力越大，则扩散半径越大；反之，则扩散半径越小，而干法清 洗工艺所采用的气体流量和腔室压力往往高于薄膜沉积工艺所采用的气体流量和腔室压 力，这使得在进行干法清洗工艺时工艺气体的扩散半径比在进行薄膜沉积工艺时工艺气体 的扩散半径大，也就是说，在保证薄膜沉积工艺获得理想的气体扩散效果的前提下，必然无 法保证干法清洗工艺获得理想的气体扩散效果，从而不仅导致干法清洗工艺所采用的工艺 气体的利用率降低，造成设备的运行成本增加，而且还会导致干法清洗工艺的清洗效果较 差，以至于必须通过增加清洗时间才能对反应腔室进行彻底清洗，进而降低了工艺效率。
[0007] 其二，由于扩散板15与中央进气口 14的端部形成的水平进气口在制造和安装过 程中往往具有尺寸误差和安装误差，导致自该水平进气口喷出的工艺气体向各个方向扩散 的扩散半径不均匀，从而使工艺气体经由水平进气口朝向反应腔室各个区域流动的气流量 不均匀，进而给产品质量以及清洗效果带来了不良影响。
【发明内容】
[0008] 本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种进气装置、反 应腔室及等离子体加工设备，其可以调节水平进气口对应于各个方向的通气截面积，从而 不仅可以使不同的工艺均能够获得理想的气体扩散效果，而且还可以使自水平进气口喷出 的工艺气体朝各个方向扩散的扩散半径趋于均匀。
[0009] 为实现本发明的目的而提供一种进气装置，用于根据工艺需求，向反应腔室内部 的不同区域输送工艺气体，所述进气装置包括中央进气口、扩散板和第一驱动源，其中所述 中央进气口的下端与所述反应腔室的内部连通；所述扩散板与所述中央进气口的下端形成 水平进气口，且所述扩散板包括中心柱和至少两个扇叶，所述至少两个扇叶环绕所述中心 柱间隔设置，且与所述中心柱可上下摆动地连接；所述第一驱动源用于单独和/或同时驱 动所述至少两个扇叶向上或向下摆动，以改变所述扇叶所在平面与所述中央进气口之间的 角度。
[0010] 其中，所述第一驱动源的数量与所述扇叶的数量一一对应，并且每个所述第一驱 动源与所述扇叶--对应地连接。
[0011] 其中，在相邻两个所述扇叶之间的间隙的下方设置有遮挡板，在所述中心柱的径 向上，所述遮挡板的长度不小于所述间隙的长度；在垂直于所述中心柱的径向的方向上，所 述遮挡板的长度不小于所述间隙的长度。
[0012] 其中，所述进气装置还包括数量与所述扇叶的数量相对应的第一连杆，每个所述 第一连杆的一端和与之相对应的所述扇叶固定连接；每个所述第一连杆的另一端与所述第 一驱动源的驱动轴连接。
[0013] 其中，所述进气装置还包括第二驱动源，第二驱动源的驱动轴与所述中心柱连接， 在所述第二驱动源的驱动下，所述中心柱带动所述至少两个扇叶相对于所述中央进气口同 时上升或下降，以调节所述水平进气口的通气截面积。
[0014] 其中，所述进气装置还包括第二连杆，所述第二连杆的一端与所述中心柱固定连 接，所述第二连杆的另一端穿过所述中央进气口，并与所述第二驱动源的驱动轴固定连接。
[0015] 其中，在每个所述扇叶的上表面上形成有凸部，并且所述至少两个扇叶上的凸部 组合形成位置与所述中央进气口相对应的圆锥状凸部。
[0016] 其中，在每个所述扇叶上分布有贯穿其厚度的多个垂直进气口。
[0017] 作为另一技术方案，本发明还提供一种反应腔室，其采用了本发明提供的上述进 气装置，用以向反应腔室内部的不同区域输送工艺气体；并且，所述中央进气口设置在所述 反应腔室的腔室顶壁上；所述扩散板位于所述反应腔室内。
[0018] 其中，在所述腔室顶壁上设置有贯穿其厚度的连接孔，所述连接孔的数量和位置 与所述扇叶的数量和位置一一对应；并且，每个所述第一连杆的一端和与之相对应的所述 扇叶固定连接；每个所述第一连杆的另一端穿过相应的所述连接孔与所述第一驱动源的驱 动轴连接。
[0019] 其中，所述反应腔室还包括第一波纹管，所述第一波纹管的数量与所述第一连杆 的数量相对应，且每个所述第一波纹管套制在相应的所述第一连杆上，并且所述第一波纹 管的下端与相应的所述连接孔的上端密封连接，所述第一波纹管的上端与所述第一连杆密 封连接。
[0020] 其中，所述反应腔室还包括第二波纹管，所述第二波纹管套制在所述第二连杆上， 且所述第二波纹管的下端与所述中央进气口的上端密封连接，所述第二波纹管的上端与所 述第二连杆密封连接，且在所述第二波纹管的内部形成与所述中央进气口相连通的密封空 间，并且所述气源的输出端与所述密封空间相连通。
[0021] 作为另一技术方案，本发明还提供一种等离子体加工设备，包括反应腔室，所述反 应腔室采用了本发明提供的上述反应腔室。
[0022] 本发明具有以下有益效果：
[0023] 本发明提供的进气装置，其通过借助第一驱动源同时驱动所有扇叶向上或向下摆 动，而改变扇叶所在平面与中央进气口之间的坚直间距，可以根据工艺需要从整体上调节 水平进气口的通气截面积，进而可以调节工艺气体的扩散半径，以保证不同的工艺均能够 获得理想的气体扩散效果。和/或，通过借助第一驱动源单独驱动至少两个扇叶向上或向 下摆动，而改变相应的扇叶所在平面与中央进气口之间的角度，可以根据工艺需要单独调 节对应于该扇叶方向的水平进气口的通气截面积，从而可以实现对流经水平进气口的工艺 气体的气流量进行分区控制，以使工艺气体朝各个方向扩散的扩散半径趋于均匀，进而可 以提高工艺均匀性。
[0024] 本发明提供的反应腔室，其通过采用本发明提供的上述进气装置，不仅可以使不 同的工艺均能够获得理想的气体扩散效果，而且还可以使自水平进气口喷出的工艺气体朝 各个方向扩散的扩散半径趋于均匀，从而可以提高工艺均匀性。
[0025] 本发明提供的等离子体加工设备，其通过采用本发明提供的上述反应腔室，不仅 可以使不同的工艺均能够获得理想的气体扩散效果，而且还可以使自水平进气口喷出的工 艺气体朝各个方向扩散的扩散半径趋于均匀，从而可以提高工艺均匀性。
【专利附图】
【附图说明】
[0026] 图1为现有的应用上述方法的PECVD设备；
[0027] 图2为本发明第一实施例提供的进气装置的结构示意图；
[0028] 图3A为图2中进气装置的扩散板的俯视图；
[0029] 图3B为图2中进气装置的扩散板的剖视图；
[0030] 图3C为图2中进气装置的扩散板的立体图；
[0031] 图4为图2中进气装置的遮挡板的俯视图；
[0032] 图5为本发明第二实施例提供的进气装置的结构示意图；
[0033] 图6为工艺气体流经水平进气口的流向的分布图；
[0034] 图7A为本发明提供的反应腔室的结构示意图；以及
[0035] 图7B为图7A中局部区域A的放大图。
【具体实施方式】
[0036] 为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明 提供的进气装置、反应腔室及等离子体加工设备进行详细描述。
[0037] 图2为本发明第一实施例提供的进气装置的结构示意图。图3A为图2中进气装 置的扩散板的俯视图。图3B为图2中进气装置的扩散板的剖视图。图3C为图2中进气装 置的扩散板的立体图。请一并参阅图2、图3A、图3B和图3C，进气装置用于根据工艺需求， 向反应腔室内部的不同区域输送工艺气体，进气装置包括中央进气口 211、扩散板30和第 一驱动源33。其中，中央进气口 211的下端与反应腔室的内部连通；扩散板30与中央进气 口 211的下端形成水平进气口，并且扩散板30包括中心柱302和至少两个扇叶303,其中至 少两个扇叶303环绕中心柱302间隔设置，且与中心柱302可上下摆动地连接。在本实施 例中，扇叶303的数量为四个，且每个扇叶303借助铰链306与中心柱302可上下摆动地连 接，并且每个扇叶303上分布有贯穿其厚度的多个垂直进气口 307,在进行工艺的过程中， 工艺气体经由中央进气口 211和其与扩散板30形成的水平进气口朝向反应腔室的边缘区 域流动，以及经由垂直进气口 307朝向反应腔室的中心区域流动。容易理解，扇叶303所在 平面应与中央进气口 211的端部相对设置。
[0038] 第一驱动源33用于单独和/或同时驱动至少两个扇叶303向上或向下摆动，以改 变扇叶303所在平面与中央进气口 211之间的角度。通过借助第一驱动源33同时驱动所 有扇叶303向上或向下摆动，而改变扇叶303所在平面与中央进气口 211之间的坚直间距， 可以根据工艺需要从整体上调节水平进气口 211的通气截面积，进而可以调节工艺气体的 扩散半径，以保证不同的工艺均能够获得理想的气体扩散效果。和/或，通过借助第一驱动 源33单独驱动至少两个扇叶303向上或向下摆动，而改变相应的扇叶303所在平面与中央 进气口 211之间的角度，可以根据工艺需要单独调节对应于该扇叶303方向的水平进气口 的通气截面积，从而可以实现对流经水平进气口 211的工艺气体的气流量进行分区控制， 以使工艺气体朝各个方向扩散的扩散半径趋于均匀，进而可以提高工艺均匀性。
[0039] 在本实施例中，第一驱动源33的数量与扇叶303的数量一一对应，并且每个第一 驱动源33和扇叶303 -一对应地连接，即，第一驱动源33的数量为四个（图2中仅示出2 个），并且第一驱动源33和与之一一对应的扇叶303连接的具体方式为：进气装置还包括 数量与扇叶303的数量相对应的第一连杆31，每个第一连杆31的一端和与之相对应的扇叶 303采用诸如螺纹连接或焊接等的方式固定连接，例如，如图3A所示，第一连杆31的一端可 以固定在扇叶303上表面上的位置304 ;第一连杆31的另一端与第一驱动源33的驱动轴 332连接。当然，在实际应用中，第一连杆31的一端可以与扇叶303的任意位置固定连接， 只要在第一驱动源33的驱动下，第一连杆31能够带动扇叶303向上或向下摆动即可。
[0040] 在本实施例中，在每个扇叶303的上表面上形成有凸部301，并且至少两个扇叶上 的凸部301组合形成与中央进气口 211相对应的圆锥状凸部，组合后圆锥状凸部的整体形 状如图3C所示。借助该圆锥状凸部，可以增加扩散板30的强度，以防止气流的冲击力使扩 散板30变形或损坏。
[0041] 此外，相邻两个扇叶303之间的间隙305应在保证相邻两个扇叶303能够进行相 对运动的前提下尽可能地减小，以最大限度地减小间隙305对工艺气体的气流量的影响。 优选地，在相邻两个扇叶303之间的间隙305的下方设置有遮挡板34,并且在中心柱302的 径向方向上，遮挡板34的长度L1不小于间隙305的长度L ;在垂直于中心柱302的径向方 向上，遮挡板34的长度D1不小于间隙305的长度D。借助遮挡板34,可以阻挡自中央进气 口 211中流出的工艺气体中的一部分气体直接自该间隙305流出，从而可以避免反应腔室 20的中心区域的气流量相对于边缘区域过大。在实际应用中，遮挡板34可以固定在中心柱 302上，且与位于其上方的间隙305之间保持一定间距，以使其不会影响扇叶303的上下摆 动，并且，为了尽可能地减小遮挡板34对流经垂直进气口 307的工艺气体的影响，在保证能 够阻挡工艺气体自间隙305直接流出的前提下，应最大限度地减小遮挡板34在中心柱302 的径向方向上的长度L1。
[0042] 需要说明的是，第一驱动源33和与之对应的扇叶303之间的连接方式并不局限于 本实施例提供的上述连接方式，在实际应用中，第一驱动源和与之对应的扇叶之间的连接 方式可以根据具体情况任意设置，只要第一驱动源能够驱动相应的扇叶上、下摆动即可。
[0043] 还需要说明的是，在本实施例中，第一驱动源33的数量与扇叶303的数量一一对 应，并且每个第一驱动源33和扇叶303 -一对应地连接，但是本发明并不局限于此，在实际 应用中，第一驱动源33的数量也可以少于扇叶303的数量，也就是说，同一第一驱动源33 也可以驱动至少两个扇叶303同时上下摆动。
[0044] 图5为本发明第二实施例提供的进气装置的结构示意图。请参阅图5,本实施例 提供的进气装置与第一实施例相比，同样包括中央进气口 211、扩散板30和第一驱动源33。 由于上述部件和装置的结构和功能在第一实施例中已有了详细的描述，在此不再赘述。
[0045] 下面仅对本实施例与第一实施例的不同点进行描述。具体地，进气装置还包括第 二驱动源40和第二连杆43。其中，第二连杆43的一端与中心柱302固定连接，第二连杆43 的另一端穿过中央进气口 211，并与第二驱动源40的驱动轴固定连接；第二驱动源40用于 驱动中心柱302上升或下降，以使其带动至少两个扇叶303相对于中央进气口 211同时上 升或下降。在实际应用中，可以结合使用第一驱动源33和第二驱动源40, S卩，首先借助第二 驱动源40从整体上调节至少两个扇叶303所在平面与中央进气口 211的下端之间的垂直 间距，即，在整体上调节水平进气口的通气截面积；而后再独立调节不同扇叶303与中央进 气口 211的下端之间的角度，以对水平进气口的通气截面积进行分区控制。例如，在完成一 次薄膜沉积工艺之后，且进行干法清洗工艺之前，可以首先借助第二驱动源40驱动中心柱 302相对于中央进气口 211下降，从而带动各个扇叶303同时下降；在其下降至适当位置处 后，借助第一驱动源33调节不同扇叶303与中央进气口 211的下端之间的角度，从而可以 在获得理想的气体扩散效果的基础上，使自水平进气口喷出的气体朝各个方向扩散的扩散 半径趋于均匀，工艺气体在水平进气口处的气流量的分布如图6所示。
[0046] 需要说明的是，第二驱动源和中心柱之间的连接方式并不局限于本实施例提供的 上述连接方式，在实际应用中，其可以根据具体情况任意设置，只要第二驱动源能够驱动中 心柱作升降运动即可。
[0047] 作为另一个技术方案，图7A为本发明提供的反应腔室的结构示意图。图7B为图 7A中局部区域A的放大图。请一并参阅图7A和图7B，反应腔室20包括腔室顶壁21、射频 电源26、载板23、匀流板25、保护罩27和进气装置。其中，载板23设置在反应腔室20中并 接地，用以作为下电极板以及承载多个被加工工件24 ;腔室顶壁21与射频电源26连接，用 以作为上电极板（即，射频盖板）；在腔室顶壁21与载板23之间设置有匀流板25,其与腔 室顶壁21形成匀流腔室22,并且在匀流板25上均匀分布有多个出气口 251，用以将匀流腔 室22与反应腔室20相连通。保护罩27设置在腔室顶壁21的上方，且将位于腔室顶壁21 上的射频电源26等的零部件包覆在其中，以防止射频向外界辐射。
[0048] 进气装置采用了上述各实施例提供的进气装置，用以向反应腔室20内部的不同 区域输送工艺气体；并且，中央进气口 211设置在反应腔室20的腔室顶壁21上；扩散板30 位于反应腔室20内。而且，第一驱动源33和第二驱动源40分别设置在保护罩27的上方。
[0049] 下面对本实施例中第一驱动源33和第二驱动源40分别与扩散板30之间的连接 方式进行详细地描述。具体地，在腔室顶壁21上设置有贯穿其厚度的连接孔212,连接孔 212的数量和位置与扇叶303的数量和位置一一对应；第一连杆32的一端采用诸如螺纹连 接或焊接等的方式与相应的扇叶303固定连接；第一连杆31的另一端自下而上穿过相应的 连接孔212并借助第一联轴器331与第一驱动源33的驱动轴连接；第二连杆43的一端采 用诸如螺纹连接或焊接等的方式与中心柱302固定连接，另一端自下而上穿过中央进气口 211并借助第二联轴器402与第二驱动源40的驱动轴固定连接。
[0050] 此外，由于在进行薄膜沉积等的工艺过程中，往往需要使反应腔室20保持真空状 态，这就需要分别对中央进气口 211和连接孔212进行密封，为此，在本实施例中，反应腔室 20还包括第一波纹管32和第二波纹管41。其中，第二波纹管41套制在第二连杆43上，且 第二波纹管41的下端与中央进气口 211的上端密封连接，第二波纹管41的上端与第二连 杆43密封连接，以在第二波纹管41的内部形成与中央进气口 211相连通的密封空间，并且 气源的输出端42与密封空间相连通。在工艺过程中，自气源的输出端42流出的工艺气体 经由密封空间、中央进气口 211以及垂直进气口和/或水平进气口进入匀流腔室22中，而 后经由出气口 251进入反应腔室20中。第一波纹管32的数量与第一连杆31的数量相对 应，且每个第一波纹管32套制在相应的第一连杆31上，并且第一波纹管32的下端与相应 的连接孔212的上端密封连接，第一波纹管32的上端与第一连杆31密封连接，从而实现连 接孔212的密封。
[0051] 需要说明的是，中央进气口 211和连接孔212的密封方式也并不局限于本实施例 提供的上述密封方式，在实际应用中，中央进气口 211和连接孔212的密封方式可以根据具 体情况任意设置，只要能够保证在工艺时反应腔室保持真空状态即可。
[0052] 还需要说明的是，在实际应用中，反应腔室20可以应用于平板式直接法、TFT玻璃 镀膜或者其他化学气相沉积的PECVD系统。而且，反应腔室的结构也并不局限于本实施例 提供的反应腔室20的上述结构，只要反应腔室借助进气装置能够在工艺时获得理想的气 体扩散效果，且使在各个被加工工件上沉积的薄膜的厚度趋于均匀即可，而不必限制反应 腔室的结构。
[0053] 综上所述，本实施例提供的反应腔室，其通过采用本实施例提供的上述进气装置， 不仅可以使不同的工艺均能够获得理想的气体扩散效果，而且还可以使自水平进气口喷出 的工艺气体朝各个方向扩散的扩散半径趋于均匀，从而可以提高工艺均匀性。
[0054] 作为另一个技术方案，本发明还提供一种等离子体加工设备，其包括反应腔室，该 反应腔室采用了本发明实施例提供的上述反应腔室。
[0055] 本实施例提供的等离子体加工设备，其通过采用本发明实施例提供的上述反应腔 室，不仅可以使不同的工艺均能够获得理想的气体扩散效果，而且还可以使工艺气体朝各 个方向扩散的扩散半径趋于均匀，从而可以提高工艺均匀性。
[0056] 可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施 方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精 神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1. 一种进气装置，用于根据工艺需求，向反应腔室内部的不同区域输送工艺气体，其特 征在于，所述进气装置包括中央进气口、扩散板和第一驱动源，其中 所述中央进气口的下端与所述反应腔室的内部连通； 所述扩散板与所述中央进气口的下端形成水平进气口，且所述扩散板包括中心柱和至 少两个扇叶，所述至少两个扇叶环绕所述中心柱间隔设置，且与所述中心柱可上下摆动地 连接； 所述第一驱动源用于单独和/或同时驱动所述至少两个扇叶向上或向下摆动，以改变 所述扇叶所在平面与所述中央进气口之间的角度。
2. 根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述第一驱动源的数量与所述扇叶 的数量一一对应，并且每个所述第一驱动源与所述扇叶一一对应地连接。
3. 根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，在相邻两个所述扇叶之间的间隙的 下方设置有遮挡板，在所述中心柱的径向上，所述遮挡板的长度不小于所述间隙的长度；在 垂直于所述中心柱的径向的方向上，所述遮挡板的长度不小于所述间隙的长度。
4. 根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述进气装置还包括数量与所述扇 叶的数量相对应的第一连杆，每个所述第一连杆的一端和与之相对应的所述扇叶固定连 接；每个所述第一连杆的另一端与所述第一驱动源的驱动轴连接。
5. 根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述进气装置还包括第二驱动源，第 二驱动源的驱动轴与所述中心柱连接，在所述第二驱动源的驱动下，所述中心柱带动所述 至少两个扇叶相对于所述中央进气口同时上升或下降，以调节所述水平进气口的通气截面 积。
6. 根据权利要求5所述的进气装置，其特征在于，所述进气装置还包括第二连杆，所述 第二连杆的一端与所述中心柱固定连接，所述第二连杆的另一端穿过所述中央进气口，并 与所述第二驱动源的驱动轴固定连接。
7. 根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，在每个所述扇叶的上表面上形成有 凸部，并且所述至少两个扇叶上的凸部组合形成位置与所述中央进气口相对应的圆锥状凸 部。
8. 根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，在每个所述扇叶上分布有贯穿其厚 度的多个垂直进气口。
9. 一种反应腔室，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的进气装置，用以向反 应腔室内部的不同区域输送工艺气体；并且，所述中央进气口设置在所述反应腔室的腔室 顶壁上；所述扩散板位于所述反应腔室内。
10. 根据权利要求9所述的反应腔室，其特征在于，在所述腔室顶壁上设置有贯穿其厚 度的连接孔，所述连接孔的数量和位置与所述扇叶的数量和位置一一对应；并且，每个所述 第一连杆的一端和与之相对应的所述扇叶固定连接；每个所述第一连杆的另一端穿过相应 的所述连接孔与所述第一驱动源的驱动轴连接。
11. 根据权利要求10所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括第一波纹管， 所述第一波纹管的数量与所述第一连杆的数量相对应，且每个所述第一波纹管套制在相应 的所述第一连杆上，并且所述第一波纹管的下端与相应的所述连接孔的上端密封连接，所 述第一波纹管的上端与所述第一连杆密封连接。
12. 根据权利要求9所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括第二波纹管， 所述第二波纹管套制在所述第二连杆上，且所述第二波纹管的下端与所述中央进气口的上 端密封连接，所述第二波纹管的上端与所述第二连杆密封连接，且在所述第二波纹管的内 部形成与所述中央进气口相连通的密封空间，并且所述气源的输出端与所述密封空间相连 通。
13. -种等离子体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用了权利要 求9-12任意一项权利要求所述的反应腔室。
【文档编号】C23C16/455GK104099583SQ201310121123
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2013年4月9日 优先权日:2013年4月9日
【发明者】杨斌, 郑友山 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司