一种用于Mg-Gd-Er-Zn-Zr合金中LPSO相的调控制备方法

文档序号:3317042阅读:438来源:国知局
一种用于Mg-Gd-Er-Zn-Zr合金中LPSO相的调控制备方法
【专利摘要】一种用于Mg-Gd-Er-Zn-Zr合金中LPSO相的调控制备方法,属于热处理【技术领域】。将Mg-Gd-Er-Zn-Zr合金热处理炉中温300℃~350℃保温15~60min,70℃热水淬火;然后置于热处理炉高温480℃~520℃保温3~8h,70℃热水淬火;最后置于次高温400℃~460℃保温12~50h,70℃热水淬火。不仅可以达到调控合金中LPSO相的体积分数及一维尺寸,同时可以有效地消除铸造合金中的成分偏析。经过该调控工艺后,得到LPSO相的体积分数为3.2~45.67%,一维尺寸范围25~120微米,同时可以明显消除铸造合金中的成分偏析与粗大初生组织,明显提高合金力学性能。
【专利说明】—种用于Mg-Gd-Er-Zn-Zr合金中LPSO相的调控制备方法

【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于调控Mg-Gd-Er-Zn-Zr合金的LPSO相含量和一维尺寸的工艺,属于热处理【技术领域】。

【背景技术】
[0002]镁合金因其具有低密度,高比强、比刚度,高阻尼性能以及电磁屏蔽性能,被誉为“21世纪的绿色工程材料”,被视为在汽车轻量化领域取代钢铁材料的希望。然而,由于镁合金缺乏有效的强化相及对第二相体积控制的有效控制手段,造成力学性能无法达到主要承载结构材料的需求,应用受到了极大的限制。
[0003]日本学者Kawamura在2001年通过快速凝固/粉末冶金的方法,制备了含有LPSO相的Mg-Zn-Y合金,具有优异的综合力学性能(Y.Kawamura, K.Hayashi, A.1noue.Mater.Trans.42 (2001) 1171-1174)。然而该制备方法由于制备过程复杂,成本高昂,而且无法大规模制备,应用受到限制。通过进一步研究发现,在特定RE稀土镁合金中,当Zn/RE原子比符合一定的范围时,会形成不同的LPSO相。然而,这种伴随这种LPSO相的往往是粗大的Mg-RE二元相,这种连续粗大的组织与基体界面结合十分不好,同时,由于在铸造合金无法避免的合金成分偏析,造成LPSO相分布不均匀,也无法完全发挥LPSO相对合金基体的强化作用。此外,大多数镁合金都需要经过热变形加工后使用,LPSO相的含量与一维尺寸及分布,对后续热变形加工中的动态再结晶机制有着重要的影响,直接关系到合金最终状态的性能。
[0004]因此,如何消除粗大连续的初生组织,同时控制LPSO相的体积分数以及一维尺寸,是提高此类合金的性能的关键所在。本发明中涉及一种新的热处理工艺,他不同于常规的热处理手段,而是采用一种多步热处理工艺,其效果明显优于目前的普通热处理工艺。与目前常规热处理工艺相比,该工艺可以充分消除铸造合金中的成分偏析,最大程度上消除铸造合金中粗大连续的第二相,同时,可以控制合金中LPSO相的形貌与体积分数,做到简单有效的调控合金中LPSO相的体积分数和一维尺寸,消除粗大初生组织,显著提高了Mg-Gd-Er-Zn(Zr)合金的力学性能,为改善镁及镁合金的性能提供了一种有效的热处理新技术。


【发明内容】

[0005]本发明提供了一种用于调控Mg-Gd-Er-Zn-Zr合金的LPSO相含量和一维尺寸的热处理工艺。
[0006]本发明的特征在于一种新的热处理工艺、方法。该发明适用于Mg-Gd-Er-Zn-Zr合金,其成分范围为:Gd:0~18wt %,Er:0~18wt % , Gd+Er: 5~18wt % ,优选同时含有Gd,Er的合金体系,O < Zn/(Gd+Er)原子比或摩尔比 1,Zr含量为O~0.6wt%,余量为Mg ;将满足上述条件的铸造合金进行切割,第一步将合金置于热处理炉中,中温300°C~350°C保温15~60min,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火;然后置于热处理炉高温480°C~520°C保温3~8h,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火;最后置于热处理炉次高温400°C~460°C保温12~50h,随炉冷却至350°C时,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火,得到含有LPSO相的合金样品。
[0007]采用本发明热处理工艺之后,消除了铸造合金中存在的成分偏析现象,使合金中粗大的初生相分解,稀土元素与锌元素均匀扩散在基体中,降低合金层错能,利于后续变形热加工时的动态再结晶的发生。特别是经过该热处理工艺之后,可得层片状LPS0,可以调控合金中LPSO相的体积分数(3.2~45.76 % ),同时可以对LPSO相的一维尺寸进行控制,得到一维尺寸< 50微米,50至100微米以及> 100微米的LPSO相。均匀分布的LPSO相有利于阻碍合金基面位错的滑移,显著提高合金强度和塑性。本发明对难以控制的Mg-Gd-Er-Zn(Zr)合金的LPSO相含量和一维尺寸提供了一个全新的,便捷有效,切实可行的热处理工艺和方法,可以有效的调控该体系合金中LPSO相的含量、一维尺寸。
[0008]本发明的特点和有益效果
[0009]1.消除了铸造Mg-Gd-Er-Zn (Zr)合金中的成分偏析,有效改善合金的组织和性倉泛。
[0010]2.中温保温后,可以使LPSO相在合金基体中更加均匀的析出与生长,有利于对合金基体的强化。
[0011 ] 3.合金在经过本发明所示方法热处理之后,可以调控LPSO相的一维尺寸,以及体积分数(范围可达3.2~45.67% ),使其均匀分布在基体中,从而阻碍合金中基面位错的滑移,提高合金的性能。

【专利附图】

【附图说明】
[0012]图1是本发明实施例1中的初生相和LPSO分布形貌。
[0013]图2是本发明实施例2中的初生相和LSPO分布形貌。

【具体实施方式】
[0014]下面结合实施例对本发明做进一步说明书,但本发明并不限于以下实施例。
[0015]实施例1
[0016]第一步将Mg-12Gd-2Er-lZn-0.6Zr合金置于热处理炉中,300°C保温30min,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火;然后置于热处理炉中480°C保温3h,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火;最后置于次高温420°C保温12h,随炉冷却至350°C时,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火,得到合金中含有初生第二相的体积分数为5.61%,LPSO相体积分数为6.32%,一维尺寸约50微米(附图1)。
[0017]实施例2
[0018]第一步将Mg-12Gd-2Er-lZn-0.6Zr合金置于热处理炉中,320°C保温60min,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火;然后置于热处理炉中520°C保温8h,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火;最后置于次高温460°C保温50h,随炉冷却至350°C时,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火,得到合金中含有初生第二相的体积分数为0.12%,LPS0相体积分数为45.67%,一维尺寸为约为120微米(附图2)。
[0019]实施例3
[0020]第一步将Mg-12Gd-2Er-lZn-0.6Zr合金置于热处理炉中,300°C保温60min,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火;然后置于热处理炉中500°C保温8h,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火;最后置于次高温440°C保温24h,随炉冷却至350°C时,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火,得到合金中含有初生第二相的体积分数为0.8%, LPSO相体积分数为18.44%,相一维尺寸约为100微米。
[0021]实施例4
[0022]第一步将Mg-8Gd-6Er-lZn-0.6Zr合金置于热处理炉中,300°C保温30min,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火;然后置于热处理炉中480°C保温5h,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火;最后置于次高温420°C保温18h,随炉冷却至350°C时,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火,得到合金中含有初生第二相的体积分数为2.74%, LPSO相体积分数为11.65%,一维尺寸约为75微米。
[0023]实施例5
[0024]第一步将Mg-8Gd-6Er-lZn-0.6Zr合金置于热处理炉中,300°C保温30min,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火;然后置于热处理炉中500°C保温8h,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火;最后置于次高温460°C保温18h,随炉冷却至350°C时,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火,得到合金中含有初生第二相的体积分数为1.15%, LPSO相体积分数为16.53%,相一维尺寸约为100微米。
【权利要求】
1.一种用于Mg-Gd-Er-Zn-Zr合金中LPSO相的调控制备方法,其特征在于, 其合金成分范围为:Gd:0~18wt%,Er:0~18wt% , Gd+Er:5~18wt% ,优选同时含有Gd,Er的合金体系,0<Zn/(Gd+Er)原子比或摩尔比≤1,Zr含量为O~0.6wt%,余量为Mg ;将满足上述条件的铸造合金进行切割,第一步将合金置于热处理炉中,中温300°C~350°C保温15~60min,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火;然后置于热处理炉高温480°C~520°C保温3~8h,取 出后迅速置于70°C热水中进行淬火;最后置于热处理炉次高温400°C~460°C保温12~50h,随炉冷却至350°C时,取出后迅速置于70°C热水中进行淬火,得到含有LPSO相的合金样品。
2.按照权利要求1的方法制备得到的含有LPSO相Mg-Gd-Er-Zn-Zr合金。
【文档编号】C22C23/06GK104178713SQ201410342875
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2014年7月17日 优先权日:2014年7月17日
【发明者】杜文博, 温凯, 刘轲, 王朝辉, 李淑波 申请人:北京工业大学
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