1.一种n-型In6Se7基热电半导体的制备工艺，其特征在于在In6Se7半导体中采用S元素等摩尔替换Se元素，构成三元热电半导体，该三元热电半导体的化学式为In6S0.5Se6.5；其制备工艺是根据化学式In6S0.5Se6.5将In、S、Se三种元素放置在石英管内真空熔炼合成，熔炼合成温度为1050～1150℃，合成时间35～45小时，然后将真空石英管内的三元化合物随炉冷却至700～800℃后立即在水中淬火，将淬火后的铸锭粉碎、球磨，球磨时间10小时，球磨干燥后的粉末经放电等离子烧结制备，烧结温度为500～600℃，烧结压力55～65MPa，烧结时间35～45分钟，制备得到In6S0.5Se6.5热电半导体。
2.根据权利要求1所述的n-型In6Se7基热电半导体的制备工艺，其特征在于所述In6S0.5Se6.5热电材料的合成温度为1100℃，烧结温度为550℃，烧结压力60MPa，在烧结温度下保温40分钟。
3.根据权利要求1所述的n-型In6Se7基热电半导体的制备工艺，其特征在于将所述三种元素先在高真空手套箱中配料，后直接放置在石英管中用石蜡封口，取出后迅速真空封装。