技术总结
本发明涉及一种n‑型In6Se7基热电半导体的制备工艺，其设计要点是在In6Se7合金中采用S元素等摩尔替换Se元素，构成三元热电半导体，化学式为In6S0.5Se6.5；其制备工艺为：根据化学式称量相应量的In、S、Se三种元素，在1050～1150℃下真空熔炼48小时。熔炼后的铸锭粉碎球磨，球磨后的粉末经放电等离子火花烧结成形，最高烧结温度为550℃，烧结压力60Mpa，保温时间40分钟，制备得到In6S0.5Se6.5热电半导体。该热电半导体在850K时，Seebeck系数α＝‑220.11(μV/K)，电导率σ＝9.91×103Ω‑1.m‑1，热导率κ＝0.48(W.K‑1.m‑1)，最大热电优值ZT＝0.85。材料优点：无污染，无噪音，可应用于中高温发电元器件制作，具有运行可靠，寿命长，制备工艺简单等优点。
技术研发人员：崔教林
受保护的技术使用者：宁波工程学院
技术研发日：2016.03.03
技术公布日：2018.12.07