无氰化学镀金浴及化学镀金方法与流程

本发明涉及一种无氰化学镀金浴及化学镀金方法。

背景技术：

以往，在印刷电路板或电子部件的安装工序中，作为最终表面处理，有在化学镀镍上形成置换型镀金的ENIG(Electroless Nickel Immersion Gold，化学镀镍浸金)工序。该工序可以在焊接中使用。此外，在该ENIG工序后通过实施厚镀金，也可以在引线键合中使用。

另一方面，通过在基底化学镀镍上化学镀钯并形成镀金的ENEPIG(Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold，化学镀镍镀钯浸金)工序也采用上述的最终表面处理。这一工序特别适用于无铅焊接中。此外也适用于引线键合中。

上述ENIG工序和ENEPIG工序，可以根据被镀物的用途进行选择，两者最终都是实施镀金。但是不同的是，在形成该镀金时，相对于前者以离子化倾向大(氧化还原电位低)的镍为基底，后者以离子化倾向小(氧化还原电位高)的钯为基底。由此，至今为止，分别使用适应各种工序的镀金浴。

此外，作为上述镀金浴，以往的有氰镀金浴被广泛使用，但是考虑到氰的毒性，需要寻找非氰化型镀金浴。

例如，作为上述ENEPIG工序中使用的非氰化型镀金浴，专利文献1中公开了，在印刷电路板的导体部分上，依次形成化学镀镍膜、化学镀钯膜和化学镀金膜时，形成所述化学镀金膜所使用的镀金液由含有水溶性金化合物、还原剂和络合剂的水溶液构成，该还原剂为选自甲醛亚硫酸氢类、雕白粉和肼类中的至少一种。此外，专利文献2中公开了，作为能够在化学镀钯膜上用自身催化还原反应直接析出金膜的化学镀金液，以规定浓度含有非氰的亚硫酸金盐、亚硫酸盐、硫代硫酸盐、水溶性聚氨基羧酸、苯并三唑化合物、含硫的氨基酸化合物和对苯二酚的镀液。

但是，根据被镀物的用途，准备各工序用的镀浴和更换镀浴会花费工序数和费用，从操作性和经济性的观点来看不实用。从而需要在ENIG工序和ENEPIG工序形成镀金中均可使用的镀金浴。

进一步地，上述非氰化型镀金浴，与有氰镀金浴相比，存在容易发生镀浴稳定性和镀覆反应性降低的倾向。从而，非氰化型镀金浴期待兼备镀浴稳定性和镀覆反应性的优选特性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5526440号公报

专利文献2：特开2010-180467号公报

技术实现要素：

本发明着眼于上述的技术问题，其目的在于，实现一种在ENIG工序和ENEPIG工序中都可以使用的无氰化学镀金浴，以及使用该化学镀金浴的化学镀金方法。

解决了上述技术问题的本发明的无氰化学镀金浴为，含有水溶性金盐、还原剂和络合剂，而不含有氰的化学镀金浴，其特征在于，所述还原剂含有甲酸或其盐，以及肼类。

所述无氰化学镀金浴，进一步优选含有具有硝基的化合物。

本发明还包括一种化学镀金方法，其特征在于，使用上述的无氰化学镀金浴，在被镀物的表面上实施化学镀金。该化学镀金方法，所述被镀物的表面为镍或镍合金，即，可以为ENIG工序，或者，所述被镀物的表面为钯或钯合金，即，也可以为ENEPIG工序。

根据本发明，能够提供在ENIG工序和ENEPIG工序中的任意一种中能够使用的无氰化学镀金浴。具体地，在ENIG工序中，在镀镍上形成镀金时，镀镍的腐蚀被抑制。此外在ENIG工序和ENEPIG工序中的任意一种中，金的析出反应性提高，能够实现镀金的厚膜化。例如ENIG工序中，在镀镍上用大约20分钟可以得到0.07μm以上的析出，ENEPIG工序中在镀钯上用大约30分钟可以得到0.05μm以上的析出。

附图说明

图1和图2是表示实施例中镀镍表面的腐蚀的有无的SEM(Scanning Electron Microscope)观察照片。

具体实施方式

本发明的发明人为了解决所述技术问题，进行了深入研究。其结果发现，在为作为还原剂含有甲酸或其盐、以及肼类的置换还原型的无氰化学镀金浴时，能够不发生基底镀镍等的过量腐蚀，提高金的析出反应性，能够在ENIG工序和ENEPIG工序的两者中使用，从而完成了本发明。以下，也将本发明的无氰化学镀金浴称为“化学镀金浴”或“镀金浴”。下述中，对本发明的无氰化学镀金浴中所含有的各化合物进行说明

(A)肼类

肼类是特别有利于提高在钯上的镀层析出性的化合物，促进ENEPIG工序中镀钯上的镀金形成。此外，肼类也有助于保持良好的镀层外观，其结果是有助于确保良好的焊接性和引线键合接合性(W/B接合性)。另一方面，肼类在ENIG工序中，必要以上地促进镀镍上的置换反应的进行，会导致镀镍的过度腐蚀。但是如后述，通过并用甲酸或其盐，能够抑制该镀镍的过度腐蚀。

作为所述肼类，可以使用肼，一水合肼等的水合肼，碳酸肼、硫酸肼、硫酸二肼、盐酸肼等的肼盐，吡唑类、三唑类、酰肼类等的肼的有机衍生物等。作为所述吡唑类，除吡唑外，可以使用3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑啉酮等的吡唑衍生物。作为所述三唑类，可以使用4-氨基-1,2,4-三唑、1,2,3-三唑等。作为酰肼类，可以使用己二酸二酰肼、马来酸酰肼、碳酰肼等。优选为一水合肼等的水合肼、硫酸肼。这些化合物能够单独或2种以上合并使用。

上述肼类的合计浓度，优选为0.1-5g/L。更优选为0.3-3g/L。

(B)甲酸或其盐

甲酸或其盐，具有抑制上述肼类导致的过量置换反应的效果。以下，也将“甲酸或其盐”总称为甲酸类。特别地，在ENIG工序中的镀金时，能够抑制作为基底的Ni膜的过度腐蚀。另一方面，不与上述肼类并用而仅使用甲酸类的情况下，特别是在ENEPIG工序中，容易发生金的析出反应性降低。具体地，在作为基底的镀钯上金的析出反应性差，难以确保镀金的膜厚。从而，有必要与上述肼类并用。通过并用肼类和甲酸类，上述镀镍的过度腐蚀被抑制，并且也有助于焊接性和W/B接合性。

作为所述甲酸的盐，例如可举出甲酸钾、甲酸钠等的甲酸的碱金属盐；甲酸镁、甲酸钙等的甲酸的碱土金属盐；甲酸的铵盐、四级铵盐、包含一级～三级胺的胺盐等。本发明中，甲酸或其盐能够单独或2种以上合并使用。

上述甲酸类的合计浓度优选以在1-100g/L的范围内含有。为了使上述效果充分发挥，优选为1g/L以上，更优选为5g/L以上，进一步优选为10g/L以上。另一方面，过量含有时镀浴容易变得不稳定，优选为如上述的100g/L以下。

也就是说本发明中，作为还原剂通过并用肼类与甲酸类，在ENIG工序的镀金处理中，肼类导致的镍腐蚀性(置换反应)被甲酸类抑制，能够抑制作为镀金基底的镀镍的腐蚀。另一方面，ENEPIG工序的镀金处理中，由于肼类在镀钯上的高反应性，相比甲酸单独使用的情况促进镀金的形成，使镀金的厚膜化成为可能。这是由于促进了还原反应的结果。

本发明的镀金浴，除了上述肼类和甲酸类之外，必须含有水溶性金盐和络合剂且不含有氰。此外如下述，也可以使用肼类和甲酸类以外的还原剂。以下，从上述水溶性金盐开始依次进行说明。

首先本发明的化学镀金浴，作为金源含有水溶性金盐。如上述的水溶性金盐为非氰，具体地，可以举出金的亚硫酸盐、硫代硫酸盐、硫氰酸盐、硫酸盐、硝酸盐、甲磺酸盐、四氨络合物、氯化物、溴化物、碘化物、氢氧化物、氧化物等。这些化合物能够单独或2种以上合并使用。镀浴中的水溶性金盐的合计浓度优选以金(Au)浓度计为0.3-5g/L，特别优选为0.5-4g/L。不足0.3g/L时，存在析出速度变慢的情况。另一方面，超过5g/L时，存在稳定性降低的情况，即使增加量效果也基本没有变化，此外费用也会变高。

本发明的化学镀金浴，作为还原剂，除了上述肼类和甲酸类之外，还可以含有以下还原剂。即，可举出抗坏血酸、异抗坏血酸(赤藻糖酸)等的抗坏血酸或其盐(钠盐、钾盐、铵盐等)；对苯二酚、甲基对苯二酚等的对苯二酚或其衍生物；邻苯三酚、邻苯三酚单甲醚、邻苯三酚-4-甲酸、邻苯三酚-4,6-二甲酸、没食子酸等的邻苯三酚或其衍生物等。这些化合物能够单独或2种以上合并使用。本发明中，作为还原剂，上述肼类和甲酸类的并用是必须的，例如，在后述的实施例No.10中示出了，即使将作为上述肼类和甲酸类以外的还原剂的抗坏血酸与甲酸类并用，其也无法得到期望的特性。

镀金浴中的肼类和甲酸类以外的上述还原剂合计浓度优选为0.5-50g/L，特别优选为1-10g/L。

本发明的化学镀金浴含有络合剂。作为络合剂为具有溶出金属(例如镍、钯等)的络合作用的络合剂，优选为具有金的络合作用的络合剂。作为优选的所述具有溶出金属的络合作用的络合剂，可举出羟基乙酸、二甘醇酸、乳酸、苹果酸、柠檬酸、葡萄糖酸、葡庚糖酸(ヘプトグルコン酸)等的羟基羧酸或其盐(钠盐、钾盐、铵盐等)；甘氨酸、氨基二羧酸、氨基三乙酸、EDTA、羟乙基乙二胺三乙酸、二乙烯三胺五乙酸、聚氨基羧酸等的氨基羧酸或其盐(钠盐、钾盐、铵盐、盐酸盐、硫酸盐等)；HEDP(羟基乙烷-1,1-二膦酸)、氨基三甲基磺酸、乙二胺四甲基磺酸等的亚磷酸系螯合剂或其盐(钠盐、钾盐、铵盐、盐酸盐、硫酸盐等)；乙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺等的胺系螯合剂及其盐(盐酸盐、硫酸盐等)等。这些化合物能够单独或2种以上合并使用。

此外，作为优选的具有金的络合作用的络合剂，可举出亚硫酸钠、亚硫酸钾、亚硫酸铵、亚硫酸氢钠、亚硫酸氢钾、亚硫酸氢铵、焦亚硫酸钠、焦亚硫酸钾、焦亚硫酸铵、硫代硫酸钠、硫代硫酸钾、硫代硫酸铵、乙内酰脲化合物、酰亚胺化合物等。这些化合物能够单独或2种以上合并使用。更优选使用亚硫酸钠、亚硫酸铵等。

镀金浴中，所述具有溶出金属的络合作用的络合剂与所述具有金的络合作用的络合剂的合计浓度优选为1-200g/L，特别优选为10-150g/L。

本发明的化学镀金浴，优选还含有具有硝基的化合物。通过含有该具有硝基的化合物，即使不含有氰，对镀覆反应性，即金的析出反应性也无损害，能够充分确保镀浴稳定性。作为该作用机理，可认为硝基捕获金使其稳定化。与之相对，不含有硝基的例如邻苯二酚或苯甲酸中未显示出稳定性的效果。

作为上述具有硝基的化合物，例如可举出具有硝基的芳香族化合物。作为该具有硝基的芳香族化合物，例如可举出硝基苯；硝基苯酚、4-硝基儿茶酚等具有硝基和羟基的芳香族化合物；硝基甲苯、硝基二甲苯、硝基苯乙烯等的具有硝基和烷基的芳香族化合物；硝基苯胺、4-硝基-1,2-苯二胺等的具有硝基和胺基的芳香族化合物；硝基苯硫酚、2,4-二硝基苯磺酸等的硝基苯磺酸等的具有硝基和含硫基团的芳香族化合物。进一步地，作为具有硝基和羧基的硝基苯甲酸，例如可举出2-硝基苯甲酸、3,5-二硝基苯甲酸、3,4-二硝基苯甲酸、进一步具有氨基的5-氨基-2-硝基苯甲酸等。此外，可举出具有硝基的同时，具有卤素基团、酯基、醚基、羰基、醛基等的芳香族化合物。此外作为以上具有硝基的芳香族化合物的盐，可使用铵盐、钠盐、钾盐等。

例如上述硝基苯甲酸的情况下，硝基位于羧基的邻位上时，稳定性的效果提高所以优选使用。即，稳定性的效果的大小顺序为2-硝基苯甲酸＞3-硝基苯甲酸＞4-硝基苯甲酸。

作为上述具有硝基的化合物，除了上述具有硝基的芳香族化合物之外，还可以使用具有硝基的脂肪族化合物。

更优选为同时具有硝基和供电子基团的化合物，特别是同时具有硝基和供电子基团的芳香族化合物。具有供电子基团时，硝基的稳定性的效果提高。硝基为两个相邻的硝基的情况下，两个硝基形成为夹子形(トラップする形)，由此稳定性的效果提高。作为所述供电子基团，例如可举出羟基、烷基、氨基、含硫基团、羧基、酯基、卤素基团、醚基等。优选为具有以上中的一种以上。

上述具有硝基的化合物，可以将上述各种化合物单独或2种以上合并使用。上述具有硝基的化合物的合计浓度，优选在例如0.0010-5g/L的范围内。上述合计浓度为0.0010g/L以下时，很难得到上述效果。上述合计浓度更优选为0.005g/L以上，更优选为0.010g/L以上。另一方面，上述具有硝基的化合物的浓度过高时，作为基底的镀镍的表面变得容易腐蚀。从而上述合计浓度，优选为如上述5g/L以下，更优选为4g/L以下，进一步优选为3g/L以下。

本发明的化学镀金浴的pH优选为5-10。低于该范围时，金的析出速度容易降低，另一方面，超过上述范围时，镀浴容易变得不稳定。上述pH更优选为6-9。

本发明的化学镀金浴，在不影响本发明的目的的范围内，可以适当含有公知的pH调节剂、pH缓冲剂和其他的添加剂。作为上述pH调节剂，例如作为酸可举出盐酸、硫酸、硝酸、磷酸、羧酸等，作为碱可举出氢氧化钠、氢氧化钾、氨水等。此外，作为上述pH缓冲剂，可举出柠檬酸、酒石酸、苹果酸、邻苯二甲酸等的羧酸；正磷酸、亚磷酸、次磷酸、焦磷酸等的磷酸，或它们的钾盐、钠盐、铵盐等的磷酸盐；硼酸、四硼酸等。此外，作为金属阳离子掩蔽剂，可举出苯并三唑、甲基苯并三唑等的唑类，邻二氮杂菲、联吡啶、水杨酸盐等。此外作为辅助络合剂，可举出EDTA、EDTMP等的氨基羧酸、铵盐、氯化物等。此外作为稳定剂，例如可举出含硫杂环化合物(2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并恶唑等)、含氮杂环化合物(苯并三唑、N-羟基苯并三唑等)等。

本发明的化学镀金浴，进一步地，可以添加铊化合物、砷化合物和铅化合物中的一种以上。这些化合物具有提高镀金速度和作为结晶调节剂的作用。作为该化合物，具体地可举出构成化合物的金属(砷、铊、铅)的碳酸盐、醋酸盐、硝酸盐、硫酸盐、盐酸盐等。镀金浴中的上述结晶调节剂的浓度，以金属浓度计例如优选合计为0.1-100mg/L，更优选合计为0.2-50mg/L，进一步优选合计为0.2-20mg/L。

本发明也规定了使用上述无氰化学镀金浴进行化学镀金的方法。实施镀金的被镀物，可举出其表面为镍或镍合金。在上述ENIG工序中，可举出被镀物的表面为化学镀镍或化学镀镍合金(以下称为“化学镀镍系”)的情况。作为所述镍合金，可举出镍-磷合金、镍-硼合金等。

实施镀金的被镀物，其表面也可以为钯或钯合金。在上述ENEPIG工序中，可举出被镀物的表面为化学镀钯或化学镀钯合金(以下称为“化学镀钯系”)的情况。作为所述钯合金，可举出钯-磷合金等。

ENIG工序中，例如在构成电极的Al或Al基合金、Cu或Cu基合金上形成化学镀镍系，接着在其上形成化学镀金，ENEPIG工序中，例如在构成电极的Al或Al基合金、Cu或Cu基合金上形成化学镀镍系，接着形成化学镀钯系，接着在其上形成化学镀金，上述化学镀镍系或化学镀钯系的形成，可以采用通常进行的方法。

上述ENIG工序和ENEPIG工序中的任意一项中，化学镀金的形成，除了使用本发明的无氰化学镀金浴之外，可以采用通常进行的条件。例如可举出在本发明的化学镀金浴中接触3-20分钟左右。作为该接触，可以使用浸渍等以往公知的方法。化学镀金浴的使用温度，优选为40-90℃。不足上述范围时，有析出速度降低的可能，另一方面，超过上述范围时，有镀浴不稳定的可能。上述使用温度优选为50-80℃。

本发明的化学镀金浴以及使用该化学镀金浴的化学镀金方法，适合用于对印刷电路基板、陶瓷基板、半导体基板、IC封装等的电子部件的布线电路安装部分或端子部分进行镀金处理的情况。特别适合用于对晶片上的Al电极或Cu电极，以焊接和引线键合(W/B)接合为目的的UBM(Under Barrier Metal)形成技术中。通过使用本发明的镀金浴，能够稳定进行作为UBM形成技术的一部分的化学镀金的形成，其结果是可以实现稳定的膜特性。

本申请主张2015年7月28日申请的日本发明专利申请第2015-148523号为基础的优先权。2015年7月28日申请的日本发明专利申请第2015-148523号的说明书的全部内容作为参考引入到本申请。

实施例

接下来，通过举出实施例对本发明进行具体说明，本发明不受下述实施例的限制，可在适应上下文的宗旨范围内进行适当的变更实施，这些均包含在本发明的技术范围内。

[用于镀金的膜厚测定、镀镍的腐蚀有无的确认以及镀金外观观察的样品的制作]

〔ENIG工序的样品〕

上述镀金的膜厚测定等使用的ENIG工序的样品，用以下的方法得到。即，准备作为电极的Al基合金的Al-Cu形成的TEG晶片，在该电极上，使用化学镀镍浴(上村工业株式会社制NPR-18)，通过化学镀法形成5.0μm厚度的镀镍，接下来，使用如表1所示的化学镀金浴，实施化学镀金。以下将该样品称为“ENIG工序的样品I”。

〔ENEPIG工序的样品〕

上述镀金的膜厚测定等使用的ENEPIG工序的样品，用以下的方法得到。即，准备作为电极的Al基合金的Al-Cu形成的TEG晶片，在该电极上，使用化学镀镍浴(上村工业株式会社制NPR-18)，通过化学镀法形成5.0μm厚度的镀镍，接下来在该镀镍上，使用化学镀钯浴(上村工业株式会社制TFP-30)，通过化学镀法形成0.05μm厚度的镀钯，进一步地，使用如表1所示的化学镀金浴，实施化学镀金。以下将该样品称为“ENEPIG工序的样品I”。

上述ENIG工序和ENEPIG工序的各样品制作中进行的化学镀金的进一步条件如下所述。即，化学镀金浴中，作为金源使用亚硫酸金钠溶液(Au浓度＝100g/L)，后述表1中示出了化学镀金浴中的Au浓度。此外，作为铊(Tl)化合物使用碳酸铊，后述表1中示出了化学镀金浴中的Tl浓度。所述化学镀金浴的温度为75℃，在所述化学镀金浴中的浸渍，ENIG工序的样品I的情况下进行20分钟，ENEPIG工序的样品I的情况下进行30分钟，形成镀金。并且，后述的表1的No.1、2、4和6的ENEPIG工序的样品I中，由于能够提前确保镀金的膜厚，因此浸渍时间为20分钟。

[ENIG工序或ENEPIG工序中镀金的膜厚测定]

将上述ENIG工序的样品I和ENEPIG工序的样品I形成的镀金的膜厚用荧光X射线膜厚仪测定。并且，特别是，将ENEPIG工序中的镀钯上的镀金的膜厚为0.05μm以上的情况评价为可适用于ENEPIG工序的镀金浴。

[通过SEM观察镀镍腐蚀的有无]

针对将ENIG工序的样品I的镀金用剥金液除去而露出的镀镍表面，用SEM在倍率5000倍下观察，确认腐蚀痕的有无。而后将确认到腐蚀痕的样品评价为镀镍腐蚀性“有”，将没有确认到腐蚀痕的样品评价为镀镍腐蚀性“无”。作为参考图1和图2中示出了SEM观察照片。图1为没有确认到镀镍的腐蚀痕的本发明实施例的照片，图2为确认到镀镍的腐蚀痕的比较例的照片。

[镀金的外观观察]

将上述ENIG工序的样品I和ENEPIG工序的样品I的镀金表面用肉眼观察。而后，呈现均匀金色的镀层外观的样品评价为“良好”，不是金色而是变为红色的镀层外观评价为“不良”。

[焊接性和引线键合(W/B)性评价用样品的制作]

〔ENIG工序的样品〕

焊接性和W/B性评价中使用的ENIG工序的样品，准备上村工业株式会社BGA基板(焊盘直径)，在该基板上，与上述ENIG工序的样品I相同地，使用化学镀镍浴(上村工业株式会社制NPR-18)，通过化学镀法形成5.0μm厚度的镀镍，接下来，使用如表1所示的化学镀金浴，实施化学镀金。以下将该样品称为“ENIG工序的样品II”。

〔ENEPIG工序的样品〕

焊接性和W/B性评价中使用的ENEPIG工序的样品，准备上村工业株式会社BGA基板(焊盘直径φ0.5mm)，在该基板上，与上述ENEPIG工序的样品I相同地，使用化学镀镍浴(上村工业株式会社制NPR-18)，通过化学镀法形成5.0μm厚度的镀镍，接下来在该镀镍上，使用化学镀钯浴(上村工业株式会社制TFP-30)，通过化学镀法形成0.05μm厚度的镀钯，进一步地，使用如表1所示的化学镀金浴，实施化学镀金。以下将该样品称为“ENEPIG工序的样品II”。

[焊接性的评价]

使用上述ENIG工序的样品II和ENEPIG工序的样品II，使用Dage社制Bondtester SERIES 4000每一个条件评价为20分。具体地，表1的各No.中依次测定以下合计4个条件×20＝80分的焊接强度，

使用ENIG工序的样品II，下述回流次数为1次的情况；

使用ENEPIG工序的样品II，下述回流次数为1次的情况；

使用ENIG工序的样品II，下述回流次数为5次的情况；以及

使用ENEPIG工序的样品II，下述回流次数为5次的情况。

作为该焊接强度，求出断裂模式的焊接断裂率。焊接形成和焊接强度的测定条件如下所示。本实施例中，将焊接断裂率为85％以上的情况评价为焊接性“良”，焊接断裂率不足85％的情况评价为焊接性“不良”。

〔焊料形成和焊接强度测定的条件〕

测定方式：焊球拉拔测试

焊球：千住金属制φ0.6mm Sn-3.0Ag-0.5Cu

回流装置：田村制作所制TMR-15-22LH

回流条件：Top 240℃

回流环境：空气

回流次数：1次或5次

烧瓶：千住金属制529D-1(RMA型)

测试速度：5000μm/秒

焊安装后的老化(半田マウント後エージング)：1小时

[引线键合(W/B)性的评价]

使用上述ENIG工序的样品II和ENEPIG工序的样品II，通过TPT社制半自动引线键合器HB16进行引线键合，由Dage社制Bondtester SERIES 4000每一个条件评价为20分。具体地，表1的各No.中依次测定在使用ENIG工序的样品II的情况下和使用ENEPIG工序的样品II的情况下，合计2个条件×20＝40分的引线键合强度(W/B强度)，算出其平均值的W/B平均强度和标准差。进一步地，以其为基准求出变异系数(＝标准差÷平均值×100)。引线键合形成条件和引线键合性评价的条件如下所示。并且将W/B平均强度为8gf以上，且变异系数为15％以下的情况评价为引线键合性“良”，将上述W/B平均强度和变异系数中的至少一项在上述范围外的情况评价为引线键合性“不良”。

〔引线键合形成和引线键合性评价的条件〕

毛细管：B1014-51-18-12(PECO)

引线：1Mil-Gold

阶段温度：150℃

超声波(mW)：250(1st)，250(2nd)

键合时间(毫秒)：200(1st)，50(2nd)

拉力(gf)：25(1st)，50(2nd)

步长(第一到第二的长度)：0.700mm

测定方式：拉线测试

测试速度：170μm/秒

并且，在本实施例中，将上述焊接性和上述引线键合性均为“良”的情况，评价焊接性和W/B性“良好”，将上述焊接性和上述引线键合性有一项“不良”的情况，评价焊接性和W/B性“不良”。

[镀浴稳定性的评价]

将表1所示的各镀浴组成的化学镀金浴在70℃的温度下放置一个月，评价镀浴的稳定性。放置一个月也不分解的化学镀金浴评价为“稳定”，未经过一个月就分解的化学镀金浴评价为“不稳定”。

其结果合并记载于表1。

表1

由表1可知如下情况。No.1-6中，使用将规定的甲酸类和肼类并用的镀金浴进行镀金，镀金的膜厚在ENEPIG工序的情况下也能够充分保证，且ENIG工序中镀镍的腐蚀也得到抑制，得到良好的镀外观。此外，这些实施例均能够良好地进行焊接和引线键合接合。并且，由No.1-3和No.4的对比可以看出，从确保充分的镀浴稳定性的观点来看，优选为还含有具有硝基的化合物的镀金浴。此外，由No.3和No.5的对比可以看出，优选地甲酸类的含量为推荐的上限以下(100g/L以下)。

相对于此，No.7-10不含有规定的甲酸类和肼类中的任意一个，发生缺陷。具体地，No.7和No.8由于不含有甲酸类，发生镀镍的腐蚀。其结果是焊接性和W/B性变差。此外No.9为不含有肼类的例子。该例子中，ENEPIG工序中的镀金的膜厚变薄。此外No.10为用抗坏血酸代替肼类作为还原剂，与甲酸类并用的例子。在该例中，ENEPIG工序中的镀金的膜厚变薄。此外No.9和10中镀金的外观变为红色。这样的变为红色产生不良的原因是焊接性和W/B性变差。