1.一种高纯硅晶体材料精度研磨工艺，其特征在于，它包括以下步骤：
S1、调制研磨浆料，研磨浆料包括金刚石微分、水、助磨剂和活性剂，按质量进行配比调制；
S2、设定研磨回转速度，按刻槽刀具回转线速度表示；
S3、安装，将刻槽工件粘在石墨载体上，将研磨浆料注入到喷淋管中，调整机床的托板位置，使刻槽工件位于刻槽刀具的正下方，将重锤挂安放在机床外的杠杆端头上，调整百分表的位置，使百分表的表头与载物板的上表面接触；
S4、调试，启动机床，观察百分表指针的运动状态，当指针左右摆动平稳时说明稳定性良好，当指针左右摆动不平稳时，说明刻槽刀具未安装好，即刻槽刀具与机床转轴存在同轴度偏差，关闭机床，重新调整刻槽刀具直到百分表指针平稳摆动为止；
S5、研磨，启动机床，盖上外罩，通过刻度尺和细圆环观测工件研磨的进给速度，即每分钟工件研磨的深度，保证技术要求的工件研磨进给速度，当不满足研磨进给速度的范围时，通过更换不同质量的重锤来实现研磨压力的调整，从而达到调整工件研磨速度的目的，通过刻度尺和细圆环观测刻槽工件的还可以观测研磨的深度，达到技术要求的研磨深度时，关闭机床。
2.根据权利要求1所述的一种高纯硅晶体材料精度研磨工艺，其特征在于：所述的研磨浆料中金刚石微粉：水：助磨剂：活性剂为1.5:1:0.01:0.01，其中金刚石微粉的粒径为18～25微米，即粒度为W20#的金刚石微粉磨料。
3.根据权利要求1所述的一种高纯硅晶体材料精度研磨工艺，其特征在于：所述的刻槽刀具的回转线速度为450毫米/秒～550毫米/秒。
4.根据权利要求1所述的一种高纯硅晶体材料精度研磨工艺，其特征在于：所述的工件研磨进给速度为0.03毫米/分～0.1毫米/分。