热化学汽相沉积系统及其操作方法与流程

本发明实施例涉及热化学汽相沉积系统及其操作方法。

背景技术：

化学汽相沉积(cvd)是在半导体制造产业中采用的用于产生膜的化学工艺。通常，将晶圆暴露于一个或多个易失性前体，易失性前体在晶圆上反应或分解以产生沉积的膜。实际上，膜的均匀性影响膜沉积的质量。

技术实现要素：

根据本发明的一些实施例，提供了一种热化学汽相沉积(cvd)系统，包括：底室；上室，存在于所述底室上方，其中，所述上室和所述底室限定了位于它们之间的室间隔；工件支撑件，配置为支撑所述室间隔中的工件；加热器，配置为对所述工件施加热量；以及至少一个屏蔽板，配置为至少部分地为所述底室屏蔽热量。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种热化学汽相沉积(cvd)系统，包括：处理室，具有底壁；工件支撑件，配置为支撑所述处理室中的工件；加热器，配置为对所述工件施加热量；以及至少一个反射器，位于所述加热器和所述处理室的底壁之间，所述反射器具有朝向所述工件的反射表面，其中，所述反射表面对热量具有至少一个反射率。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种用于处理衬底的方法，所述方法包括：在处理室中对衬底施加热量，同时所述热量的至少部分朝向所述处理室的底壁传输；以及为所述处理室的底壁至少部分地屏蔽朝向所述处理室的底壁传输的所述部分的热量。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1是根据本发明的一些实施例的热化学汽相沉积(cvd)系统的示意图。

图2是根据本发明的一些其他的实施例的屏蔽板的平面图。

图3是根据本发明的一些其他的实施例的屏蔽板的分解图。

图4至图6是根据本发明的一些其他的实施例的屏蔽板的平面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

本文中所使用的术语是仅用于描述特定实施例的目的，而不是为了限制本发明。如本文中所使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数“一”，“一个”和“该”旨在也包括复数形式。应当进一步理解，当在本发明中使用术语“包括”和/或“包含”，或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“有”时，指定阐述的部件、区域、整数、步骤、操作、元件、和/或组件的存在，但不排除附加的一个或多个其他部件、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在。

而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。

除非另有规定，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有如本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还应该理解，除非本文清楚地限定，否则，诸如常用的字典中限定的那些的术语应该被理解为具有与其在相关领域和本发明的内容中的意思一致的意思，并且不应该以理想化和过于正式的形式来解释。

参照图1。图1是根据本发明的一些实施例的热化学汽相沉积(cvd)系统100的示意图。如图1所示，热化学汽相沉积系统100包括底室110、上室120、工件支撑件130、加热器140和至少一个屏蔽板150。上室120存在于底室110上方。上室120和底室110形成处理室115并且限定位于底室和上室之间的室间隔s。工件支撑件130配置为支撑位于处理室115的室间隔s中的工件p。加热器140配置为施加热量于工件p。屏蔽板150配置为至少部分地为底室110屏蔽热量。

更具体地，底室110具有朝向室间隔s的上表面111。详细地，处理室115具有底壁116和位于底壁116上的上表面111。此外，上表面111对热量具有非对称的反射率。在一些实施例中，热化学汽相沉积系统100进一步包括至少一个机械部件160。机械部件160存在于底室110上。机械部件160和底室110的组合具有朝向室间隔s的上表面111。底室110上的机械部件160的存在导致对上表面111的热量的非对称反射率。

如图1所示，在工件支撑件130和屏蔽板150之间设置加热器140。在一些实施例中，屏蔽板150至少部分地覆盖底室110的上表面111。更具体地，屏蔽板150至少部分地覆盖机械部件160。在一些实施例中，屏蔽板150是反射器并且具有朝向工件支撑件130的反射表面151，并且反射表面151对热量具有反射率。加热器140和处理室115的底壁116之间存在作为反射器的屏蔽板150。在热化学汽相沉积系统100的操作期间，从加热器140远离工件p发射的热量将会朝向工件p反射。这样，从加热器140远离工件p发射的热量可以通过屏蔽板150的反射表面151以均匀的方式朝向工件p反射，进而促进工件p的均匀的温度分布并且因此工件p设置在室间隔s中。因此，工件p和室间隔s具有均匀的温度分布，因此提高了热化学汽相沉积系统100的性能。

从技术上讲，为了使屏蔽板150的反射表面151对热量具有一个反射率，将屏蔽板150的反射表面151抛光至一定程度，称为第一抛光层级。换言之，抛光屏蔽板150的反射表面151抛光为具有第一层级。具有第一层级的抛光，从加热器140远离工件p发射的热量可以以均匀的方式朝向工件p反射。

参照图2。图2是根据本发明一些其他的实施例的屏蔽板150的平面图。在一些实施例中，屏蔽板150的反射表面151具有至少两个反射区。例如，如图2所示，屏蔽板150的反射表面151具有至少一个第一反射区151a和至少一个第二反射区151b。第一反射区151a和第二反射区151b对热量具有不同的反射率。

在一些其他实施例中，可通过具有各自的不同尺寸和不同反射率的层压板形成屏蔽板150的反射表面151，从而使得根据实际情况暴露第三反射区、第四反射区和第五反射区等。

另一方面，如上所述，例如，反射表面151具有诸如第一反射区151a和第二反射区151b的至少两个反射区或多个反射区。每个反射区对热量都具有反射率。在一些实施例中，通过对应的反射区的抛光层级确定每个反射区对热量的反射率。如上所述，第一反射区151a具有第一层级的抛光。同样地，第二反射区151b具有第二层级的抛光。这意味着第一反射区151a具有对应于第一层级的抛光的反射率，同时第二反射区151b具有对应于第二层级的抛光的反射率。实际来讲，第二层级的抛光不同于第一层级的抛光。

此外，在一些实施例中，通过对应的反射区的粗糙度确定每个反射区的抛光层级。换言之，每个反射区的粗糙度确定了由对应的反射区朝向工件p反射的来自加热器140的热量的量。在一些实施例中，反射区具有不同的粗糙度。换言之，粗糙度的至少两个是不同的。这意味着，反射区的至少两个的粗糙度是不同的，从而使得对热量的反射率的至少两个是不同的。更具体地，如上所述，第一反射区151a具有第一层级的抛光，同时第二反射区151b具有第二层级的抛光，这里第二层级的抛光不同于第一层级的抛光。

此外，在实际应用中，可以根据实际情况确定屏蔽板150的反射表面151上的反射区的分配。例如，如果检测出工件p的一部分具有比工件p的其他部分更低的温度，那么可以设计反射表面151，从而使得具有较高反射率的反射区(诸如反射区151a)位于与工件p的具有较低温度的部分相对应处。这样，来自加热器140的更多量的热量可以朝向工件p的具有较低温度的部分反射。同时，具有较低反射率的反射区(诸如反射区151b)位于与工件p的具有较高温度的其他部分相对应处。这样，来自加热器140的更少量的热量可以朝向工件p的具有较高温度的部分反射。结果，减少了工件p的具有较低温度的部分和工件p的具有相对较高温度的其他部分之间的温度差异。因此，有助于工件p的均匀的温度分布以及由此有助于其中设置有工件p的室间隔s的均匀的温度分布。结果，工件p和室间隔s具有均匀的温度分布，提高了热化学汽相沉积系统100的性能。

为了简洁的目的，假设第一层级的抛光对应于较高的反射率同时第二层级的抛光对应于相对较低的反射率。例如，如果检测出工件p的一部分具有比工件p的其他部分的更低的温度，那么可以设计反射表面151，从而使得第一反射区151a位于与工件p的具有较低温度的部分相对应处。相反，第二反射区151b位于与工件p的具有较高温度的部分相对应。结果，减少了具有较低温度的工件p的部分和具有相对较高温度的工件p的其他部分之间的温度差异。这样，有助于工件p的均匀的温度分布并且因此有助于其中设置有工件p的室间隔s的均匀的温度分布。因此，工件p和室间隔s具有均匀的温度分布，提高了热化学汽相沉积系统100的性能。

在一些实施例中，通过对应的反射区的材料的性质确定对每个反射区的热量的反射率。更具体地，每个反射区包括材料，材料确定了对对应的反射区的热量的反射率。在一些实施例中，作为子反射器的反射区由不同的材料制成。换言之，材料的至少两种是不同的，从而使得对热量的反射率的至少两个是不同的。更具体地，第一反射区151a和第二反射区151b包括不同的材料，从而使得对第一反射区151a的热量的反射率不同于对第二反射区151b的热量的反射率。

此外，如上所述，可根据实际情况确定反射表面151上的反射区的分配。为了简洁的目的，假设第一反射区151a包括的材料对应于对热量的较高的反射率，同时第二反射区151b包括的材料对应于对热量的相对较低的反射率。例如，如果检测出工件p的部分具有比工件p的其他部分的更低的温度，那么可以设计反射区151，从未使得反射区151a位于与工件p的具有较低温度的部分相对应处。相反，第二反射区151b位于与工件p的具有相对较高温度的部分相对应处。结果，减少了工件p的具有较低温度的部分和工件p的具有相对较高温度的其他部分之间的温度差异。这样，有助于工件p的均匀的温度分布并且因此有助于其中设置有工件p的室间隔s的均匀的温度分布。因此，工件p和室间隔s具有均匀的温度分布，提高了热化学汽相沉积系统100的性能。

在一些实施例中，第一反射区151a包括的材料可以是金属。相反，第二反射区151b包括的材料可以是陶瓷。相对来讲，相比于陶瓷，金属对热量具有更高的反射率。这意味着，更多量的热量将通过金属朝向工件p反射，并且相对更少量的热量将通过陶瓷朝向工件p反射。更具体地，在一些其他实施例中，反射表面151的反射区包括的材料可以是例如铝、铝合金、诸如氧化铝(al2o3)的陶瓷、碳化硅(sic)、石英、碳化硅涂覆的碳或聚四氟乙烯(特氟龙)等。另一方面，关于反射表面151的反射区包括的不同的材料，可以相应地采用诸如如涂覆、喷砂、切割和/或用于实现不同程度的粗糙度的方法的不同的表面处理过程。此外，在表面处理的情况下，可根据实际情况采用镍的化学涂覆、诸如氧化铝涂覆的阳极处理、氧化钇(y2o3)的涂覆、氟化钇(yf3)的涂覆、碳化硅的涂覆、聚四氟乙烯的涂覆和涂覆的各种类型。

参照图3。图3是根据本发明一些其他的实施例的屏蔽板150的开发图。在实际应用中，不像图2所示的作为单片的屏蔽板150，可通过层压多个辅助板形成屏蔽板150。例如，如图3所示，通过辅助板1501、辅助板1502和辅助板1503形成屏蔽板150。辅助板1501、辅助板1502和辅助板1503具有彼此不同的反射率。此外，辅助板1501具有比辅助板1502更小的表面，同时辅助板1502具有比辅助板1503更小的表面。当辅助板1501层压在辅助板1502上时，辅助板1502的未被辅助板1501覆盖的部分暴露成为第二反射区151b。此外，当辅助板1502层压在辅助板1503上时，辅助板1503的未被辅助板1502覆盖的部分暴露成为第一反射区151a。此外，辅助板1501的表面可以是第三反射区151c。

参照图4。图4是根据本发明一些其他的实施例的屏蔽板150的平面图。在一些实施例中，屏蔽板150包括多个反射区段153。反射区段153是子反射器。作为子反射器的反射区段153彼此可拆卸地连接。实际上，反射区段153的至少一个是扇形面、多边形面、环形面或它们的组合的形状。此外，反射区段153的分配取决于反射区的分配。这意味着在反射区段153的每个片上可以分配至少一个反射区。换言之，作为子反射器的至少一个反射区段153具有第一反射区151a和第二反射区151b。如图4所示，扇形形状的反射区段153是彼此分离的。

在热化学汽相沉积系统100的操作期间，反射区段153可拆卸地连接以形成具有不同反射区的反射表面151。这样，根据实际情况可以替代反射区段153的每个单片。例如，如果检测出部分工件p的一部分具有比工件p的其他部分更低的温度，可用对热量具有较高反射率的反射区的反射区段153替代位于与工件p的具有较低温度的部分对应的反射区段153，从而使得来自加热器140的更多热量将朝向工件p的具有较低温度的部分反射。相反，如果检测出工件p的一部分具有比工件p的其他部分的更高的温度，可用对热量具有较低反射率的反射区的反射区段153替代位于与工件p的具有较高温度的部分对应的反射区段153，从而使得来自加热器140的更少热量将朝向工件p的具有较高温度的部分反射。这样，有助于工件p的均匀的温度分布并且因此有助于其中设置有室间隔s的工件p的均匀的温度分布。因此，工件p和室间隔s具有均匀的温度分布，提高了热化学汽相沉积系统100的性能。

由于可以根据实际情况通过替代对热量具有合适的反射率的任何反射区段153来调整屏蔽板150对热量的反射率，因此可以便利地控制工件p的温度分布并且因此便利地控制室间隔s。结果，工件p和室间隔s具有均匀的温度分布，因此以简单且便利的方式提高了热化学汽相沉积系统100的性能。

此外，如果检测出工件p存在不均匀的温度分布，不是作为整体替代屏蔽板150，替换相关的反射区段153已可以帮助实现工件p的均匀的温度分布并且因此帮助实现其中设置有工件p的室间隔s的均匀的温度分布。因此，有效地减少了用于对屏蔽板150的热量的反射率的调整所涉及的时间和成本。换言之，相应地增加了热化学汽相沉积系统100的效率。

例如，在一些实施例中，反射区段153的至少一个具有第一反射区151a，同时反射区段153的至少另一个具有第二反射区151b。这样，屏蔽板150的反射表面151具有第一反射区151a和第二反射区151b两者。这意味着，如果检测出工件p存在不均匀的温度分布，如上所述可以合适地替代相关的反射区段153以实现工件p的均匀的温度分布并且由此实现其中设置有工件p的室间隔s的均匀的温度分布。

在一些实施例中，如图4所示，根据实际情况，反射区段153的至少一个具有第一反射区151a和第二反射区151b两者。这样，屏蔽板150的反射表面151上的第一反射区151a和第二反射区151b的分配可以更灵活，以更精确的方式满足实际情况。

参照图5。图5是根据本发明一些其他的实施例的屏蔽板150的平面图。再如图5所示，屏蔽板150包括多个反射区段153。根据实际情况，每个反射区段153可以是多边形的形状。同样地，在热化学汽相沉积系统100的操作期间，反射区段153可拆卸地连接以形成具有不同反射区的屏蔽板150的反射表面151。

同样地如上所述，反射区包括第一反射区151a和第二反射区151b，其中第一反射区151a具有第一层级的抛光，同时第二反射区151b具有第二层级的抛光。多边形形状的每个反射区段153具有至少一个第一反射区151a和/或至少一个第二反射区151b。这样，屏蔽板150的反射表面151上的第一反射区151a和第二反射区151b的分配可以更灵活，以更精确的方式满足实际情况。

参照图6。图6是根据本发明一些其他的实施例的屏蔽板150的平面图。再如图6所示，屏蔽板150包括多个反射区段153。根据实际情况，每个反射区段153可以是环形截面的形状。同样地，在热化学汽相沉积系统100的操作期间，可拆卸地连接反射区段153以形成具有不同反射区的屏蔽板150的反射表面151。

同样地如上所述，反射区包括第一反射区151a和第二反射区151b，其中第一反射区151a具有第一层级的抛光，同时第二反射区151b具有第二层级的抛光。环形截面形状的每个反射区段153具有至少一个第一反射区151a和/或至少一个第二反射区151b。这样，屏蔽板150的反射表面151上的第一反射区151a和第二反射区151b的分配可以更灵活，以更精确的方式满足实际情况。

从结构上讲，如图1至图3，图5至图6所示，屏蔽板150具有位于其中的开口154。如图1所示，热化学汽相沉积系统100进一步包括至少一个顶针170。顶针170至少通过屏蔽板150的开口154连接至工件支撑件130，并且也通过底壁116。因此，工件支撑件130位于工件p和屏蔽板150之间。

实际上讲，化学汽相沉积(cvd)是在半导体制造产业中采用的用于产生膜的化学工艺。通常，将衬底暴露于一个或多个易失性前体，易失性前体在衬底上反应或分解以产生沉积的膜。在一些实施例中，如上所述的工件p是衬底。参考如上所述的热化学汽相沉积系统100，本发明的实施例进一步提供了用于处理衬底的方法。该方法包括以下步骤(应该理解，除非明确说明，可根据实际情况调整以下所述的步骤和子步骤的顺序，或者甚至在同时执行或同时部分地执行以下所述的步骤和子步骤)：

(1)在处理室115中对衬底施加热量，同时将至少部分的热量朝向处理室115的底壁116传输。

(2)为处理室115的底壁116至少部分地屏蔽朝向处理室115的底壁116传输的所述部分热量。

更具体地，在热化学汽相沉积系统100的操作期间，将来自加热器140的至少部分的热量朝向处理室115的底壁116传输。然而，由于至少部分地屏蔽处理室115的底壁116，处理室115的底壁116未接收来自加热器114的热量。因此，处理室115的底壁116未反射来自加热器140的热量。

此外，处理室115的底壁116未接受来自加热器140的热量，至少部分地屏蔽处理室115的底壁116的步骤(2)进一步包括以下子步骤：

(2.1)至少部分地反射朝向处理室115的底壁116传输的所述部分的热量。

更具体地，朝向处理室115的底壁116的来自加热器140的部分热量朝向衬底反射，而不是到达处理室115的底壁116。因此，保持了处理室115中的温度，并且因此保持了热化学汽相沉积系统100的操作效率。此外，为了促进衬底的均匀的温度分布和处理室115(衬底设置在其中)的均匀的温度分布，朝向处理室115的底壁116传输的所述部分的热量被非均匀的反射表面151部分地反射。

由于非均匀的反射表面151非均匀地反射了热量，可以根据实际情况调整非均匀性，从而使得，如上所述，反射到衬底的热量可以导致衬底的均匀的温度分布并且因此导致处理室115(衬底设置在其中)的均匀的温度分布。因此，衬底具有均匀的温度分布并且处理室115具有均匀的温度分布，提高了热化学汽相沉积系统100的性能。

根据本发明的各个实施例，在热化学汽相沉积系统操作期间，加热器远离工件发射的热量将朝向工件反射。这样，加热器远离工件发射的热量将通过屏蔽板的反射表面以均匀的方式朝向工件反射，这促进了工件的均匀的温度分布并且因此促进了其中设置有工件的室间隔中的均匀的温度分布。因此，工件和室间隔具有均匀的温度分布，提高了热化学汽相沉积系统的性能。

根据本发明的各个实施例，热化学汽相沉积系统包括底室、上室、工件支撑件，加热器和至少一个屏蔽板。底室上方存在上室，其中室间隔限定在上室和底室之间。工件支撑件配置为在室间隔中支撑工件。加热器配置为对工件应用热量。屏蔽板配置为至少部分地为底室屏蔽热量。

根据本发明的各个实施例，热化学汽相沉积系统包括处理室、工件支撑件、加热器和至少一个反射器。处理室具有底壁。工件支撑件配置为在处理室中支撑工件。加热器配置为对工件应用热量。在加热器和处理室的底壁之间存在反射器。反射器具有朝向工件的反射表面，其中反射表面对热量具有至少一个反射率。

根据本发明的各个实施例，用于操作热化学汽相沉积系统的方法包括在处理室中对工件应用热量，同时朝向处理室的底壁传输至少部分的热量，并且为处理室的底壁至少部分地屏蔽朝向处理室的底壁传输的所述部分热量。

根据本发明的一些实施例，提供了一种热化学汽相沉积(cvd)系统，包括：底室；上室，存在于所述底室上方，其中，所述上室和所述底室限定了位于它们之间的室间隔；工件支撑件，配置为支撑所述室间隔中的工件；加热器，配置为对所述工件施加热量；以及至少一个屏蔽板，配置为至少部分地为所述底室屏蔽热量。

在上述热化学汽相沉积系统中，所述底室具有朝向所述室间隔的上表面，并且所述上表面对热量具有非对称反射率。

在上述热化学汽相沉积系统中，所述屏蔽板至少部分地覆盖所述底室的上表面。

在上述热化学汽相沉积系统中，还包括：至少一个机械部件，存在于所述底室上，其中，所述机械部件和所述底室的组合具有朝向所述室间隔的上表面，并且所述上表面对热量具有非对称反射率。

在上述热化学汽相沉积系统中，所述屏蔽板至少部分地覆盖所述机械部件。

在上述热化学汽相沉积系统中，所述屏蔽板具有朝向所述工件支撑件的反射表面，并且所述反射表面对热量具有反射率。

在上述热化学汽相沉积系统中，所述屏蔽板具有朝向所述工件支撑件的反射表面，并且所述反射表面具有至少两个反射区，并且所述反射区对热量具有不同的反射率。

在上述热化学汽相沉积系统中，所述屏蔽板具有朝向所述工件支撑件的反射表面，并且所述反射表面具有至少两个反射区，并且所述反射区具有不同的粗糙度。

在上述热化学汽相沉积系统中，所述屏蔽板具有朝向所述工件支撑件的反射表面，所述反射表面具有至少两个反射区，并且所述反射区由不同的材料制成。

在上述热化学汽相沉积系统中，所述屏蔽板包括多个彼此可拆卸地连接的反射区段。

在上述热化学汽相沉积系统中，所述反射区段的至少一个是扇形、多边形、环形或它们的组合的形状。

在上述热化学汽相沉积系统中，所述屏蔽板中具有开口；以及还包括：至少一个顶针，至少通过所述屏蔽板的开口连接至所述工件支撑件。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种热化学汽相沉积(cvd)系统，包括：处理室，具有底壁；工件支撑件，配置为支撑所述处理室中的工件；加热器，配置为对所述工件施加热量；以及至少一个反射器，位于所述加热器和所述处理室的底壁之间，所述反射器具有朝向所述工件的反射表面，其中，所述反射表面对热量具有至少一个反射率。

在上述热化学汽相沉积系统中，所述反射表面具有至少一个第一反射区和至少一个第二反射区，所述第一反射区具有第一抛光层级并且所述第二反射区具有不同于所述第一抛光层级的第二抛光层级。

在上述热化学汽相沉积系统中，所述反射器包括多个彼此可拆卸地连接的子反射器，并且至少一个所述子反射器具有所述第一反射区和所述第二反射区。

在上述热化学汽相沉积系统中，所述反射器包括至少两个彼此可拆卸地连接的子反射器，并且所述子反射器由不同的材料制成。

在上述热化学汽相沉积系统中，还包括：至少一个顶针，至少通过所述底壁连接至所述工件支撑件。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种用于处理衬底的方法，所述方法包括：在处理室中对衬底施加热量，同时所述热量的至少部分朝向所述处理室的底壁传输；以及为所述处理室的底壁至少部分地屏蔽朝向所述处理室的底壁传输的所述部分的热量。

在上述方法中，所述至少部分地屏蔽包括：至少部分地反射朝向所述处理室的底壁传输的所述部分的热量。

在上述方法中，通过非均匀的反射表面至少部分地反射朝向所述处理室的底壁传输的所述部分的热量。

以上论述了若干实施例的部件，使得本领域的技术人员可以更好地理解本发明的各个方面。本领域技术人员应该理解，可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他的处理和结构以用于达到与本发明所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点。本领域技术人员也应该意识到，这些等效结构并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。