一种航天器用金属件表面的热控处理方法与流程

文档序号:12110058阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种航天器用金属件表面的热控处理方法,其特征在于,包含以下步骤:

步骤1)样件准备:将待处理金属件打磨抛光后,置于真空室内的样品台上,将样品台的高度调节至孪生靶垂直线相交的位置,金属件接高压脉冲电源的高压脉冲输出端;

步骤2)抽真空:首先打开机械泵和旁抽阀,当真空度抽至9-11Pa,打开闸板阀及分子泵,关闭旁抽阀,提高抽气速率进入高真空;真空度达到3×10-3Pa以下时,开始通入高纯度的Ar2和O2

步骤3)溅射清洗:首先打开射频电源,控制功率在150~400W,以在真空室内形成射频气体等离子体,同时打开偏压电源,以实现零件表面的离子溅射清洗,去除表面的残余氧化物等杂质;

步骤4)离子注入:同时打开高功率脉冲磁控溅射电源与高压脉冲电源,将离子加速到10keV以上的能量而注入到零件表面,以在金属件的近表面形成一层Al离子注入层,从而增强表面层的结合力;

步骤5)薄膜沉积:同时打开高功率脉冲磁控溅射电源与偏压电源,在样件表面进行Al2O3薄膜沉积。

2.根据权利要求1所述的一种航天器用金属件表面的热控处理方法,其特征在于,所述步骤2)中的Ar2流量控制在20~80sccm,O2流量控制在5~50sccm之间。

3. 根据权利要求1所述的一种航天器用金属件表面的热控处理方法,其特征在于,所述步骤3)中偏压电源的偏压频率为50~150 HZ,偏压脉宽为5~40μs,偏压幅值为4~10 kV,时间为90~200 min。

4. 根据权利要求1所述的一种航天器用金属件表面的热控处理方法,其特征在于,所述步骤4)中调节高功率溅射频率为100~300 Hz,高功率溅射脉宽为5~40 μs,高功率溅射延时为0~10μs,高功率溅射功率为400~800W;调节高压脉冲为40~100 μs,高压延时为5~50 μs,高压幅值为10~50 kV,时间为300~500 min。

5. 根据权利要求1所述的一种航天器用金属件表面的热控处理方法,其特征在于,所述步骤5)中调节高功率溅射频率为1500~3000 Hz,高功率溅射脉宽为10~60 μs,高功率溅射延时为80~120μs,高功率溅射功率为300~600W;调节偏压脉冲为20~70 μs,偏压延时为5~30 μs,高压幅值为80~150 V,时间为1000~1600 min。

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