一种石墨表面沉积碳化硅的装置系统的制作方法

本实用新型涉及无机非金属材料制备技术领域，特别是一种石墨表面沉积碳化硅的装置系统。

背景技术：

在石墨件表面沉积碳化硅，通常采用甲基三氯硅烷为前驱体，发生化学气相沉积反应后得到碳化硅涂层，副产HCl气体。在某些特定的应用中，要求碳化硅涂层结合致密，可以阻止石墨件的部分杂质进入反应系统；另外，还要求碳化硅涂层结合紧密，耐磨性能好。例如，制备颗粒硅的流化床反应器通常具用石墨内衬，且在石墨内衬表面涂覆碳化硅涂层。

技术实现要素：

实用新型目的：本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种石墨表面沉积碳化硅的装置系统。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种石墨表面沉积碳化硅的装置系统，包括净化第一工位和反应第一工位，所述净化第一工位安装有石墨净化炉，所述反应第一工位安装有CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)反应炉，石墨净化炉和CVD反应炉均为上固定结构，即所述石墨净化炉的炉筒和CVD反应炉的炉筒分别通过支架固定在地面上，石墨净化炉的炉底盘和CVD反应炉的炉底盘分别设置在一升降台上，石墨净化炉的炉底盘的升降台通过上升使得石墨净化炉的炉筒和炉底盘紧密配合，CVD反应炉的炉底盘的升降台通过上升使得CVD反应炉的炉筒和炉底盘紧密配合。

进一步地，所述升降台的底部设有滚轮。

所述系统还包括净化第二工位，净化第一工位和净化第二工位之间通过轨道连接，轨道从净化第二工位一直延伸到净化第一工位的石墨净化炉下方，所述石墨净化炉的升降台限定在轨道内移动，石墨净化炉的升降台通过轨道将石墨净化炉的炉底盘从净化第一工位移动到净化第二工位。

所述系统还包括反应第二工位，反应第一工位和反应第二工位之间通过轨道连接，轨道从反应第二工位一直延伸到反应第一工位的CVD反应炉下方，所述CVD反应炉的升降台限定在轨道内移动，CVD反应炉的升降台通过轨道将CVD反应炉的炉底盘从反应第一工位移动到反应第二工位。

所述石墨净化炉的炉筒和炉底盘通过法兰螺栓固定密封连接。所述CVD反应炉的炉筒和炉底盘通过法兰螺栓固定密封连接。

所述系统还包括行车轨道，行车轨道包括抓手，所述抓手用于将净化后的石墨件通过行车轨道转移至CVD反应炉炉底盘的升降台上。

在实际的工作期间，所述净化第一工位(即石墨净化炉(3)的初始位置)的升降台连同炉底盘移动到净化第二工位的位置，在所述炉底盘上放置好需要沉积碳化硅的石墨件，连同升降台整体移动至净化第一工位，上升升降台，使得所述炉底盘与炉筒紧密配合，并通过法兰螺栓固定密封连接，并按净化程序净化石墨件。净化程序完成后，松开法兰螺栓，降低升降台至最低位，沿轨道移动升降台至净化第二工位，此时反应第一工位(即CVD反应炉的初始位置)的升降台连同反应炉底盘也移动至反应第二工位，通过行车的抓手等将净化后的石墨件转移至反应第一工位的炉底盘的升降台上，将升降台移动到反应第一工位，并上升升降台直至与反应炉炉筒紧密配合，通过法兰螺栓密封连接，并进行沉积反应。碳化硅涂层沉积完成后，通过降低升降台至最低位，通过轨道将带有底盘和石墨件的升降台移动到第二工位，得到石墨表面沉积碳化硅的复合材料。

有益效果：本实用新型提出一种新的石墨表面沉积碳化硅的装置系统，装置布局合理，投资成本低，操作简单，能够在石墨表面制备出结合紧密的碳化硅涂层。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做更进一步的具体说明，本实用新型的上述或其他方面的优点将会变得更加清楚。

图1是本实用新型的结构示意图。

图2为炉筒和升降台结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型作详细说明。

实施例1：

如图1和图2所示，本实用新型包括净化第一工位1和反应第一工位2，其中，所述净化第一工位1安装有石墨净化炉3，所述反应第一工位2安装有CVD反应炉5，石墨净化炉3和CVD反应炉5均为上固定结构，即所述石墨净化炉3的炉筒和CVD反应炉5的炉筒分别通过支架固定在地面上，石墨净化炉3的炉底盘和CVD反应炉5的炉底盘分别设置在一升降台上，升降台12通过上升使得炉筒10和炉底盘11紧密配合。

所述升降台的底部设有滚轮。

本系统还包括净化第二工位4，净化第一工位1和净化第二工位4之间通过轨道连接，轨道从净化第二工位4一直延伸到净化第一工位1的石墨净化炉3下方，所述石墨净化炉3的升降台限定在轨道内移动，石墨净化炉3的升降台通过轨道将石墨净化炉3的炉底盘从净化第一工位1移动到净化第二工位4。

本系统还包括反应第二工位6，反应第一工位2和反应第二工位6之间通过轨道连接，轨道从反应第二工位6一直延伸到反应第一工位2的CVD反应炉5下方，所述CVD反应炉5的升降台限定在轨道内移动，CVD反应炉5的升降台通过轨道将CVD反应炉5的炉底盘从反应第一工位2移动到反应第二工位6。

所述炉筒10的顶部包括封头9，所述封头9、所述炉筒10和炉底盘11通过法兰螺栓固定密封连接。

本系统还包括行车轨道7，所述行车轨道7包括抓手8，所述抓手8用于将净化后的石墨件通过行车轨道7的行车转移至CVD反应炉5炉底盘的升降台上。

本实用新型提供了一种石墨表面沉积碳化硅的装置系统，具体实现该技术方案的方法和途径很多，以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以实现。