技术总结
本实用新型提供了一种石墨表面沉积碳化硅的装置系统，包括净化第一工位和反应第一工位，其中，所述净化第一工位安装有石墨净化炉，所述反应第一工位安装有CVD反应炉，石墨净化炉和CVD反应炉均为上固定结构，即所述石墨净化炉的炉筒和CVD反应炉的炉筒分别通过支架固定在地面上，石墨净化炉的炉底盘和CVD反应炉的炉底盘分别坐落在一升降台上，升降台通过上升使得炉筒和炉底盘紧密配合。
技术研发人员：蒋文武;蒋立民;田新;于伟华;张春伟
受保护的技术使用者：江苏协鑫特种材料科技有限公司
文档号码：201621040511
技术研发日：2016.09.05
技术公布日：2017.02.22