一种喷嘴环焊接组件的渗氮工艺的制作方法

文档序号:11146930阅读:409来源:国知局

本发明涉及用于喷嘴环的生产工艺,具体涉及了一种喷嘴环焊接组件的渗氮工艺。



背景技术:

为增加喷嘴环中运动部件叶片和拨叉的耐磨性,叶片和拨叉在焊接之前需进行渗氮以增加零件表面硬度。但渗氮后叶片和拨叉脆性增大,使焊接性能降低,致使叶片和拨叉在焊接后造成开裂。故发明此工艺在安装盘、叶片和拨叉焊接成整体后进行整体渗氮,而整体一同渗氮会导致大小不同的部件出现硬度不均匀的情况。



技术实现要素:

为解决上述技术问题,我们提出了一种喷嘴环焊接组件的渗氮工艺,其目的:使焊接后的喷嘴环焊接组件进行渗氮处理,且使大小部件的硬度均匀。

为达到上述目的,本发明的技术方案如下:

一种喷嘴环焊接组件的渗氮工艺,包括以下步骤,具体如下:

A.将喷嘴环焊接组件放置在渗氮设备内的渗氮腔中;

B.通过进气管道向渗氮设备内的渗氮腔中注入氮气,直至氮气浓度达到850PMM为止;

C.以每小时145-155℃的升温速度将渗氮设备内的渗氮腔升温至520℃,保温2个小时;

D,以520℃保温两小时后,再以每小时145-155℃的升温速度将渗氮设备内的渗氮腔升温至570℃,保温17个小时;

E、停止加热,渗氮后的喷嘴环焊接组件随渗氮设备内的渗氮腔冷却至室温;

其中,在步骤B-E过程中,氮气浓度的浓度始终为850PMM。

优选的,以每小时150℃的升温速度将渗氮设备内的渗氮腔升温至520℃,保温2个小时。

优选的,以520℃保温两小时后,再以每小时150℃的升温速度将渗氮设备内的渗氮腔升温至570℃,保温17个小时。

优选的,渗氮后的喷嘴环焊接组件的渗氮层厚度为0.2-0.35mm。

优选的,渗氮后的喷嘴环焊接组件的渗氮层厚度为0.275mm。

通过上述技术方案,本发明通过温度控制和氮气浓度的浓度控制,使焊接后的喷嘴环焊接组件进行渗氮处理,且使大小部件的硬度均匀。

具体实施方式

所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

下面对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

实施例1.

一种喷嘴环焊接组件的渗氮工艺,包括以下步骤,具体如下:

A.将喷嘴环焊接组件放置在渗氮设备内的渗氮腔中;

B.通过进气管道向渗氮设备内的渗氮腔中注入氮气,直至氮气浓度达到850PMM为止;

C.以每小时145℃的升温速度将渗氮设备内的渗氮腔升温至520℃,保温2个小时;

D,以520℃保温两小时后,再以每小时145℃的升温速度将渗氮设备内的渗氮腔升温至570℃,保温17个小时;

E、停止加热,渗氮后的喷嘴环焊接组件随渗氮设备内的渗氮腔冷却至室温;

其中,在步骤B-E过程中,氮气浓度的浓度始终为850PMM。

渗氮后的喷嘴环焊接组件的渗氮层厚度为0.35mm,通过温度控制和氮气浓度的浓度控制,使焊接后的喷嘴环焊接组件进行渗氮处理,且使大小部件的硬度均匀。

实施例2.

一种喷嘴环焊接组件的渗氮工艺,包括以下步骤,具体如下:

A.将喷嘴环焊接组件放置在渗氮设备内的渗氮腔中;

B.通过进气管道向渗氮设备内的渗氮腔中注入氮气,直至氮气浓度达到850PMM为止;

C.以每小时150℃的升温速度将渗氮设备内的渗氮腔升温至520℃,保温2个小时;

D,以520℃保温两小时后,再以每小时150℃的升温速度将渗氮设备内的渗氮腔升温至570℃,保温17个小时;

E、停止加热,渗氮后的喷嘴环焊接组件随渗氮设备内的渗氮腔冷却至室温;

其中,在步骤B-E过程中,氮气浓度的浓度始终为850PMM。

渗氮后的喷嘴环焊接组件的渗氮层厚度为0.275mm,通过温度控制和氮气浓度的浓度控制,使焊接后的喷嘴环焊接组件进行渗氮处理,且使大小部件的硬度均匀。

实施例3.

一种喷嘴环焊接组件的渗氮工艺,包括以下步骤,具体如下:

A.将喷嘴环焊接组件放置在渗氮设备内的渗氮腔中;

B.通过进气管道向渗氮设备内的渗氮腔中注入氮气,直至氮气浓度达到850PMM为止;

C.以每小时155℃的升温速度将渗氮设备内的渗氮腔升温至520℃,保温2个小时;

D,以520℃保温两小时后,再以每小时155℃的升温速度将渗氮设备内的渗氮腔升温至570℃,保温17个小时;

E、停止加热,渗氮后的喷嘴环焊接组件随渗氮设备内的渗氮腔冷却至室温;

其中,在步骤B-E过程中,氮气浓度的浓度始终为850PMM。

渗氮后的喷嘴环焊接组件的渗氮层厚度为0.2mm,通过温度控制和氮气浓度的浓度控制,使焊接后的喷嘴环焊接组件进行渗氮处理,且使大小部件的硬度均匀。

以上所述的仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。

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