一种微波环境下铝和气体反应制取膜装置的制作方法

本实用新型涉及微波环境下铝和气体反应制取膜装置技术领域，具体为一种微波环境下铝和气体反应制取膜装置。

背景技术：

镀铝膜是通过真空镀铝工艺将高纯度的铝丝在高温(1100-1200℃)下蒸发成气态，之后塑料薄膜经过真空蒸发室时，气态的铝分子沉淀到塑料薄膜表面而形成的光亮金属色彩的薄膜。

镀铝膜是采用特殊工艺在塑料薄膜表面镀上一层极薄的金属铝而形成的一种复合软包装材料，其中最常用的加工方法当数真空镀铝法，就是在高真空状态下通过高温将金属铝融化蒸发，使铝的蒸汽沉淀堆积到塑料薄膜表面上，从而使塑料薄膜表面具有金属光泽。由于它既具有塑料薄膜的特性，又具有金属的特性，是一种廉价美观、性能优良、实用性强的包装材料。

以往的滤膜需要高温的情况下进行反应从而生成滤膜，制备环境危险，制备纯度底。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种化学气相沉积铝薄制取装置，具备能控制气体的比例，提高了制取铝薄膜的效率，解决背景技术提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：。

一种微波环境下铝和气体反应制取膜装置，包括箱体，所述箱体内固定设有微波发生器、波导、反应室和气体压力推进器，所述微波发生器的一端连接所述波导，所述波导的一侧设有三鞘钉调配器，所述波导内固定设有模式转换天线，所述模式转换天线下方设有石英窗口，所述石英窗口下方连接所述反应室，所述波导的一侧设有反应气体进入口，所述反应气体进入口通过管道连接所述气体压力推进器，所述反应室的内部固定设有基片加热器，所述基片加热器的上端固定设有基片，所述基片的上端固定设有等离子体，所述基片加热器下方连接有排气管，所述排气管穿过所述反应室连接所述箱体，所述排气管穿过所述箱体连接外部。

优选的，所述气体压力推进器内管道设有第一气罐、第二气罐、第三气罐和流量器，所述第一气罐、所述第二气罐和所述第三气罐外部均设有流量器。

优选的，所述反应室的两侧设有四个磁场线圈。

优选的，所述反应室底端连接真空泵。

优选的，所述磁场线圈关于反应室对称，所述反应室一边的磁场线圈为N极，所述反应室另一边的磁场线圈为S极。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：该种化学气相沉积铝薄膜制取装置在将气体通入反应室内时能通过流量器智能控制各气体的比例，造成制取铝薄膜的效率提高，制备环境安全，且制备量大纯净。

附图说明

图1为本实用新型一种微波环境下铝和气体反应制取膜装置的结构示意图；

图2为本实用新型一种微波环境下铝和气体反应制取膜装置中气体压力推进器内部的结构示意图。

图中：1-箱体,2-微波发生器,3-三鞘钉调配器,4-波导,5-模式转换天线,6-反应气体进入口,7-气体压力推进器,8-真空泵,9-磁场线圈,10-基片加热器,11-等离子体,12-石英窗口,13-基片,14-排气管，15-流量器，16-第一气罐，17-第二气罐，18-第三气罐，19-反应室。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种微波环境下铝和气体反应制取膜装置，包括箱体1，所述箱体1内固定设有微波发生器2、波导4、反应室19和气体压力推进器7，所述微波发生器2的一端连接所述波导4，所述波导4的一侧设有三鞘钉调配器3，所述波导4内固定设有模式转换天线5，所述模式转换天线5下方设有石英窗口12，所述石英窗口12下方连接所述反应室19，所述反应室19的两侧设有四个磁场线圈9。磁场线圈9可以调节反应室19内的磁场强度，用石墨材料作为碳源，用磁控管溅射装置在气体中以射频能或非流电能作能源，化学溅射石墨靶，制得铝膜。基板温度范围：150℃下，膜的生长速度约1μm/，所述波导4的一侧设有反应气体进入口6，所述反应气体进入口6通过管道连接所述气体压力推进器7，所述反应室19的内部固定设有基片加热器10，所述气体压力推进器7内管道设有第一气罐16、第二气罐17、第三气罐18和流量器15，所述第一气罐18、所述第二气罐17和所述第三气罐16外部均设有流量器15。通过流量器智能控制各气体的比例，可以智能调节进入反应室19内的气体，用来提高制取铝薄膜的效率，所述基片加热器10的上端固定设有基片13，所述基片13的上端固定设有等离子体11，所述基片加热器10下方连接有排气管14，所述排气管14穿过所述反应室19连接所述箱体1，所述排气管14穿过所述箱体1连接外部，所述反应室19底端连接真空泵8，所述磁场线圈9关于反应室19对称，所述反应室19一边的磁场线圈9为N极，所述反应室19另一边的磁场线圈9为S极。

工作原理：微波发生器2产生的微波通过波导4传输进反应室内，波导4外侧的三鞘钉调配器3对于微波进行强化处理，其中气体压力推进器7将第一气罐16、第二气罐17和第三气罐18内的气体经过流量器16一定比例的压进反应室19内，在反应室19内经过磁场线圈9的磁化处理后铝薄膜开始生成，其中反应过后的废气通过真空泵8的作用下经过排气管14排出箱体。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。