一种用于防止石墨舟定位柱沉积过量氮化硅的装置的制作方法

本实用新型涉及电池生产领域，尤其涉及一种用于防止石墨舟定位柱沉积过量氮化硅的装置。

背景技术：

目前，在太阳能电池生产中大规模采用管式PECVD对电池片表面沉积一层氮化硅减反射膜，随着产业的成熟以及行业对产品品质要求的提高，客户对氮化硅薄膜的膜厚以及折射率均匀性要求越来越高。而影响氮化硅薄膜均匀性的因素包括镀膜设备以及镀膜时作为电池片载体的石墨舟。对电池片进行镀膜时以石墨舟作为载体，由于石墨舟为石墨材质，镀膜时对氮化硅有一定的吸附能力，为了减少电池片镀膜时石墨舟对氮化硅吸附而影响电池片镀膜的均匀性，因此在新的石墨舟上线前会对石墨舟进行预镀膜，以此减少石墨舟对电池片镀膜时均匀性的影响，但由于石墨舟预镀膜时会在石墨舟定位柱处沉积大量的氮化硅，而电池镀膜时主要依靠石墨舟定位柱向电池片传导电流产生电场，氮化硅作为绝缘体沉积在石墨舟定位柱处势必影响电流的传导，进而影响电池片的镀膜时电池片上氮化硅薄膜的均匀性以及薄膜沉积速率。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，避免定位柱处沉积过多的氮化硅，而提供了一种用于防止石墨舟定位柱沉积过量氮化硅的装置，本实用新型通过在石墨舟预镀膜时在定位柱处安装开有沟槽的陶瓷圈，减少定位柱处氮化硅的沉积量，以此提高定位柱导电率。

本实用新型的目的是通过如下措施来实现的：一种用于防止石墨舟定位柱沉积过量氮化硅的装置，包括石墨舟，所述的石墨舟上设有定位腔体，所述的定位腔体周边设有定位孔，所述的定位孔中安装有用于定位电池片的定位柱，所述的定位柱上套装有陶瓷圈，所述的陶瓷圈镶嵌于定位柱上，所述的陶瓷圈侧面底部开设有沟槽，所述的沟槽将陶瓷圈侧面内外通透。

优选的，所述的陶瓷圈内径与定位柱外径相匹配。

优选的，所述的陶瓷圈上的沟槽为一条。

优选的，所述的沟槽的高度与陶瓷圈一致，将陶瓷圈侧壁上下通透。

优选的，所述的沟槽的横截面占陶瓷圈横截面的四分之一。

本实用新型的有益效果是：本实用新型通过在陶瓷圈上开设四分之一的沟槽，陶瓷圈镶嵌在相对面的两个石墨舟定位柱之间，在预镀膜时间不变的情况下，减少氮化硅在石墨舟定位柱的沉积速率以及沉积量，可确保在电池片正常生产镀膜时石墨定位柱高的导电率，减少镀膜时间，提高均匀性，电池镀膜后膜厚折射率均匀性相对较好。

附图说明

图1为防止石墨舟定位柱沉积过量氮化硅的装置的结构示意图。

图2为防止石墨舟定位柱沉积过量氮化硅的装置侧面剖视图。

图3为本实用新型中陶瓷圈的结构示意图。

图中：1-石墨舟，2-定位腔体，3-定位柱，4-定位孔，5-沟槽，6-陶瓷圈。

具体实施方式

为了加深对本实用新型的理解，下面将结合实施例和附图对本实用新型作进一步详述。

实施例1：如图1、图2、图3所示，一种用于防止石墨舟定位柱沉积过量氮化硅的装置，包括石墨舟1，石墨舟上设有定位腔体2，定位腔体周边设有定位孔4，定位孔中安装有用于定位电池片的定位柱3，所述的定位柱上套装有陶瓷圈6，所述的陶瓷圈镶嵌于定位柱上，所述的陶瓷圈内径与定位柱外径相匹配，陶瓷圈侧面底部开设有沟槽5，陶瓷圈上的沟槽为一条，沟槽将陶瓷圈侧面内外通透，沟槽的高度与陶瓷圈一致，将陶瓷圈侧壁上下通透，沟槽的横截面占陶瓷圈横截面的四分之一。经过验证，若陶瓷圈上没有开孔，会导致定位柱上没有氮化硅沉积，电池镀膜后定位柱勾点印边上会发红，如若开孔面积过大，石墨舟定位柱处沉积氮化硅过多，会影响定位柱的导电性，进而影响电池片镀膜时镀膜速率以及电池片镀膜后膜厚折射率的均匀性。

以下为利用陶瓷圈遮盖定位柱预镀膜石墨舟的效果试验统计：