本实用新型涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种适用于磁控溅射装置的组合式溅射靶材及磁控溅射装置。
背景技术：
磁控溅射技术广泛应用于材料表面装饰、材料表面改性及光学器件制作等多种领域。磁控溅射的原理为：在真空状态下，当磁控溅射靶材被施加一个负电位、被镀膜的工件加正电位时，在磁控溅射靶材所在的真空室内形成电场，然后向真空室内充入工艺载气(如Ar)，在一定压力和温度下，正电位与负电位之间会产生放电现象，电子沿环形轨道运动，撞击工艺载气(Ar)分子，产生等离子体放电，同时，磁控溅射靶材上的磁铁产生磁场，磁场施加于电场之中，在电场和磁场作用下工艺载气(Ar)产生的离子撞击磁控溅射靶材表面，使得作为阴极的磁控溅射靶材的原子溅射出去，在被镀膜的工件表面上就形成了一层薄膜。
在集成电路制造过程中，通常会用到磁控溅射技术给晶圆镀镆，在通过磁控溅射给晶圆镀膜的同时，磁控溅射装置的反应腔和溅射靶材上也会沉积薄膜，为避免在给晶圆镀膜时，溅射靶材上沉积的薄膜脱落覆盖在晶圆上，影响镀膜质量，通常会对溅射靶材的边缘进行喷砂处理，增大溅射靶材边缘的粘附性，因此，当溅射靶材的边缘的粘附性不够时，溅射靶材边缘的再沉积膜开始剥落时，就需要更换新的溅射靶。但是由于机械性能的要求，溅射靶材必须在保证足够的厚度才能确保背板与溅射靶材之间焊接的牢固性，所以溅射靶材边缘的粘附性不足以支撑到溅射靶材充分利用，溅射靶材上的再沉积膜就开始剥落，在溅射靶材还没有被充分利用时就需要对其进行更换，影响了溅射靶材的使用效率，造成溅射靶材的浪费。
技术实现要素：
根据现有技术中存在的上述问题，现提供一种旨在保证溅射靶材得到充分利用的组合式溅射靶材及磁控溅射装置，适用于磁控溅射装置，包括：
溅射靶材，为圆台结构；
喷砂组件，包括一环状的套环，所述套环可拆卸地套设于所述溅射靶材的侧壁上；
所述套环的外表面做喷砂处理。
较佳的，上述组合式溅射靶材中，所述套环与所述溅射靶材使用相同的材料制成。
较佳的，上述组合式溅射靶材中，所述套环通过螺钉可拆卸地固定在所述溅射靶材上。
较佳的，上述组合式溅射靶材中，还包括用于支撑所述溅射靶材的背板，所述溅射靶材固定设置于所述背板的中间位置。
较佳的，上述组合式溅射靶材中，所述溅射靶材的顶面为溅射面；
所述溅射靶材的底面与所述背板贴合固定。
较佳的，上述组合式溅射靶材中，所述溅射靶材焊接于所述背板上。
还包括，一种磁控溅射装置，其中，安装有上述任一所述的组合式溅射靶材。
上述技术方案的有益效果是：通过在溅射靶材上套设一个外表面做喷砂处理的套环替代直接在溅射靶材上做喷砂处理，当溅射靶材边缘的粘附性不足时，更换外围套环，继续使用原溅射靶材，保证溅射靶材的充分利用，避免浪费。
附图说明
图1是本实用新型的较佳的实施例中，一种组合式溅射靶材结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。
本实用新型的较佳的实施例中，如图1所示，一种组合式溅射靶材，适用于磁控溅射装置，包括：
溅射靶材1，为圆台结构；
喷砂组件，包括一环状的套环2，套环2可拆卸地套设于溅射靶材1的侧壁上；
套环2的外表面做喷砂处理。
上述技术方案中，通过在溅射靶材1上套设一个外表面做喷砂处理的套环2替代直接在溅射靶材1上做喷砂处理，当组合式溅射靶材溅射靶材边缘的粘附性不足时，通过更换外围套环2来保证组合式溅射靶材的侧壁上具有足够粘附性，不必更换整个溅射靶材，保证溅射靶材得到充分的利用，避免浪费，减少生产成本。
本实用新型的较佳的实施例中，套环2与溅射靶材1使用相同的材料制成。
上述技术方案中，由于套环2具有一定的厚度，在溅射过程中，反应室内的运动离子会轰击套环2，使套环2上的原子被溅射出来，沉积到晶圆表面，套环2与溅射靶材1使用相同的材料可避免沉积到晶圆表面的薄膜中掺杂杂质，影响镀膜质量。
本实用新型的较佳的实施例中，套环2通过螺钉可拆卸地固定在溅射靶材1上。方便在套环2表面粘附性不足时对套环2进行更换。
本实用新型的较佳的实施例中，还包括用于支撑溅射靶材1的背板3，溅射靶材1固定设置于背板3的中间位置。
本实用新型的较佳的实施例中，溅射靶材1的顶面为溅射面；
溅射靶材1的底面与背板3贴合固定。
本实用新型的较佳的实施例中，溅射靶材1焊接于背板2上。
本实用新型的技术方案中，还包括，一种磁控溅射装置，该磁控溅射装置安装上述的组合式溅射靶材。
以上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本实用新型说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本实用新型的保护范围内。