晶片防腐蚀抛光装置的制作方法

本实用新型涉及晶片的抛光领域，尤其涉及一种晶片防腐蚀抛光装置。

背景技术：

在半导体晶片的制备过程中，包括切片、研磨、抛光和清洗，晶片的抛光分为粗抛和精抛，所采用的方法通常为化学机械抛光（CMP，chemical mechanical polishing）。

现有技术的化学机械抛光装置结构100请参阅图1，包括一陶瓷盘110、粘贴于陶瓷盘110上的TP盘120、抛光垫130、供药器140以及升降头150，TP盘120包括一底盘121和一固定环122，底盘121起到吸附和固定晶片200的作用，固定环122用于固定晶片200且防止晶片200在抛光时与抛光垫130摩擦而造成的碎片、跑片，固定环122采用玻璃纤维制备而成。抛光垫130采用PU布材质，并贴在抛光机上的不锈钢盘（图上未示出）上。在化学机械抛光过程中，抛光垫130随着不锈钢盘旋转，抛光垫130用于承载抛光液并对晶片200进行磨削，供药器140用于抛光液的供给。

抛光工作准备前，将TP盘120用去离子冲洗干净，并将晶片200从卡塞里取出，放入TP盘120中，然后将陶瓷盘110粘贴TP盘120的一面朝下放置于抛光垫130上的固定位置，并将升降头150下压在陶瓷盘110上，请参阅图2，使陶瓷盘110与抛光垫130更紧密贴合，并提供一定的压力，压力可根据实际情况进行调整。由于晶片200是吸附在TP盘120上的，在抛光完成后又需要从TP盘120取出放入卡塞中，因此，TP盘120的尺寸会比晶片200稍微大一些。当正常抛光时，吸附层一开始是正常的去离子水。但是在抛光过程中，由于TP盘120比晶片200大，晶片200与TP盘120边缘部分会积留较多的抛光液，从而导致抛光液容易渗透到晶片200的背面，抛光液有腐蚀性，能够腐蚀晶片200，渗透到背面后对晶片200的背面产生腐蚀作用，从而影响晶片200的产品质量。

一些改进技术通过改变其加工方法或者增加保护膜的方法，以达到晶片背面与药液隔绝的作用，从而彻底杜绝产生晶片背面的腐蚀，但效率低且成本高。最新的改进技术CN 102263024A采用TP盘喷洒还原剂阻止腐蚀晶片背面的方法，还是存在一定的局限性，由于TP盘是具有一定弹性的，且是孔洞结构，当升降头给陶瓷盘施加一定压力后，就会使吸附的还原剂被挤出，无法阻止抛光药液腐蚀晶片背面，另外，在抛光前，喷洒还原剂增加了工艺步骤，延长了加工时间且增加了成本。

因此，有必要设计一种新的晶片防腐蚀抛光装置以解决上述技术问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服上述技术问题，提出一种新的晶片防腐蚀抛光装置。

为实现前述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种晶片防腐蚀抛光装置，用于给晶片进行抛光，所述抛光装置包括一陶瓷盘、粘贴于陶瓷盘下表面的一TP盘、用于接触晶片进行抛光的一抛光垫、用于喷洒药剂的一供药器以及位于陶瓷盘上方用于给陶瓷盘施加压力的一升降头，所述晶片夹设于TP盘和抛光垫之间，所述TP盘采用负泊松比材料制备而成。

作为本实用新型的进一步改进，所述TP盘包括用于吸附晶片的一底盘和沿着底盘边缘凸出的、用于固定晶片的一固定环。

作为本实用新型的进一步改进，所述底盘为圆形盘，其横截面半径为晶片横截面半径的1.05-1.2倍。

作为本实用新型的进一步改进，所述底盘的中轴线和晶片的中轴线处于同一直线上。

本实用新型提出了一种晶片防腐蚀抛光装置，其采用负泊松比材料来制备TP盘，利用负泊松比材料的受力特性，达到晶片抛光时防腐蚀的效果。

附图说明

图1为现有技术的第一结构示意图。

图2为图1的装置受A方向压力时的第二结构示意图。

图3为本实用新型晶片防腐蚀抛光装置的第一结构示意图。

图4为图3的装置受C方向压力时的第二结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例对技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图3，本实用新型提出一种晶片防腐蚀抛光装置300，用于给晶片400进行抛光，抛光装置300包括一陶瓷盘310、粘贴于陶瓷盘310下表面的一TP盘320、用于接触晶片400进行抛光的一抛光垫330、用于喷洒药剂的一供药器340以及位于陶瓷盘310上方用于给陶瓷盘310施加压力的一升降头350，晶片400夹设于TP盘320和抛光垫330之间，TP盘320采用负泊松比材料制备而成。

在本实施例中，TP盘320包括用于吸附晶片的一底盘321和沿着底盘321边缘凸出的、用于固定晶片400的一固定环322。

负泊松比（NegativePoisson’s Ratio）材料，具备以下特性：受拉伸时， 材料在弹性范围内横向发生膨胀；而受压缩时，材料的横向反而发生收缩。

请参阅图4，采用负泊松比材料制造的TP盘320，粘贴在陶瓷盘310上，在抛光过程中，升降头350下降压在陶瓷盘上，并提供C方向的压力。TP盘320在受到该压力时，横向产生B方向压力，TP盘320横向发生收缩，使底盘321的直径变小，从而减少晶片400侧缘与固定环322之间的间隙，从而减少间隙处抛光液的残留、减少抛光液的渗透，降低晶片400背面腐蚀的比例。

为了使得上述的挤压作用力恰到好处，底盘321被设置为圆形盘，其横截面半径为晶片横截面半径的1.05-1.2倍，这种尺寸关系使得在受力时，间隙能够被压缩至不存在，达到了最佳的防腐蚀效果。

本实用新型提出了一种晶片防腐蚀抛光装置300，其采用负泊松比材料来制备TP盘320，利用负泊松比材料的受力特性，达到晶片抛光时防腐蚀的效果。

尽管为示例目的，已经公开了本实用新型的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本实用新型的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。