技术特征：
技术总结
一种磁控溅射制备铁电薄膜的方法，包括：S1：向反应腔室中安置单个溅射靶材和衬底；S2：在室温温度下对所述靶材进行溅射，得到原子和/或原子团；S3：在电场和磁场的作用下所述靶材和所述衬底之间的所述原子和/或原子团沉积在所述衬底上，得到预成型铁电薄膜；S4：将所述预成型铁电薄膜进行退火处理，得到铁电薄膜。通过在反应腔室中设置单个溅射靶材，在室温温度下进行溅射，并磁控沉积，来制备铁电薄膜。解决了现有技术中单靶溅射时对温度的过高要求，以及在双靶溅射时对仪器的严苛要求。
技术研发人员：廖佳佳;周益春;廖敏;姜杰;曾斌建;彭强祥
受保护的技术使用者：湘潭大学
技术研发日：2018.09.12
技术公布日：2019.02.19