半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具的制作方法

本实用新型涉及洗净喷砂遮蔽技术领域，具体涉及一种半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具。

背景技术：

因对沉积环部件表面有粗糙度要求，需要对沉积环部件表面进行喷砂处理，在对洗净再生中的沉积环部件进行喷砂遮蔽保护时，通常是采用耐高温胶带对沉积环部件非喷砂区域进行保护，但是手工裁剪耐高温胶带会导致保护区域边缘不齐整，且耐高温胶带无法重复利用，增加生产成本；在喷砂过程中，操作压力过大容易造成耐高温胶带破损，喷砂面产生印迹，用胶带覆盖的部件会有残胶留在表面，造成对沉积环部件的污染，清洗困难。

技术实现要素：

为解决现有技术中存在的缺陷，本实用新型提供一种半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具，不会使被保护的沉积环部件表面留下残胶，可以重复利用，且提高了喷砂范围的精度。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具，包括外遮蔽保护圈和内遮蔽保护圈，所述外遮蔽保护圈和内遮蔽保护圈独立设置；所述外遮蔽保护圈为圆环状结构，其包括相连接的凸台A和外挡圈；所述内遮蔽保护圈包括相连接的凸台B和内挡圈，凸台B和内挡圈的连接处设有多个卡接槽，所述凸台B中设有中间把手。

进一步的，所述外遮蔽保护圈置于待洗净喷砂件上，凸台A覆盖在待洗净喷砂件的外遮蔽件上。

进一步的，所述内遮蔽保护圈置于待洗净喷砂件上，凸台B覆盖在待洗净喷砂件的内遮蔽件上。

进一步的，所述的外遮蔽保护圈和内遮蔽保护圈均采用不锈钢材质。

进一步的，所述卡接槽与待洗净喷砂件上设置的凸起连接，所述凸起的数量与卡接槽的数量相对应。

本实用新型的有益效果是：本实用新型无需手工裁剪，与待洗净喷砂件连接简便，提高了对非喷砂区域保护的精度，且本实用新型采用不锈钢材质，高温高压不会变形融化，不会在待洗净喷砂件的任何部分留下残胶，污垢等副产物，进而避免了对待洗净喷砂件造成污染的情况；用不锈钢材质制成的本治具，无需每次使用前手工裁剪，可重复利用，节省了人力和物力，且操作简便，精度高。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图；

图2为本实用新型外遮蔽保护圈俯视图；

图3为本实用新型外遮蔽保护圈局部剖视图；

图4为本实用新型内遮蔽保护圈结构示意图；

图5为本实用新型内遮蔽保护圈局部剖视图；

图6为本实用新型内遮蔽保护圈、外遮蔽保护圈与待洗净喷砂件连接的局部剖视图。

图中附图标记如下：1、外遮蔽保护圈，2、内遮蔽保护圈，3、凸台A，4、外挡圈，5、凸台B，6、内挡圈，7、待洗净喷砂件，8、外遮蔽件，9、内遮蔽件，10、中间把手，11、卡接槽。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述。

实施例1

一种半导体钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂专用保护治具，包括外遮蔽保护圈1和内遮蔽保护圈2，所述外遮蔽保护圈1和内遮蔽保护圈2独立设置；所述外遮蔽保护圈1为圆环状结构，其包括相连接的凸台A3和外挡圈4；所述内遮蔽保护圈2包括相连接的凸台B5和内挡圈6，凸台B5和内挡圈6的连接处设有多个卡接槽11，所述凸台B5中设有中间把手10。外遮蔽保护圈1置于待洗净喷砂件7上，凸台A3覆盖在待洗净喷砂件7的外遮蔽件8上，对待洗净喷砂件7的外部区域进行有效的遮蔽与保护；内遮蔽保护圈2置于待洗净喷砂件7上，凸台B5覆盖在待洗净喷砂件7的内遮蔽件9上，对待洗净喷砂件7的内部区域进行有效的遮蔽与保护；通过外遮蔽保护圈1与内遮蔽保护圈2露出需要洗净喷砂的区域，喷砂后将本治具取下。所述卡接槽11与待洗净喷砂件7上设置的凸起配合连接，所述凸起的数量与卡接槽11的数量相对应，优选的，本实施例中卡接槽11的数量为3个；外遮蔽保护圈1和内遮蔽保护圈2均采用不锈钢材质。

该治具是专门为英特尔公司提供的半导体设备钨化硅装置沉积环部件洗净喷砂保护的专用治具。

以上所述，仅为本实用新型创造较佳的具体实施方式，但本实用新型创造的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型创造披露的技术范围内，根据本实用新型创造的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型创造的保护范围之内。