应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置的制作方法

本实用新型涉及ITO靶材生产技术领域，特别一种烧结窑上的辅助装置。

背景技术：

随着科技的迅速发展，电子行业在市场中占据巨大的份额，电子行业市场中很多电子产品都用到了平面显示器，例如平面显示器、液晶电脑、液晶电视等等。ITO靶材是三氧化二铟和二氧化锡的混合物，是ITO薄膜制备的重要原料，ITO靶材因其具有较高的耐热冲击性能、导热率和机械强度，并且电阻率较低，还能够提高电子产品的使用寿命，因此作为主要材料应用于平面液晶显示器的制造，在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。ITO靶材坯体制备成型后需要经过烧结才能作为基础材料生产电子产品。

烧结窑是ITO靶材坯体制备过程中要与烧结坯体的主要设备，采用传统的工艺在烧结窑内进行ITO靶材烧结时，通常将靶坯直接放置在炉膛内支架上水平放置的承烧板上，然后一起放进烧结窑中进行烧结，由于靶坯与承烧板相接触的部位几乎不透氧，会导致靶坯烧结不充分，靶材成型效果差，该方法已逐渐被淘汰。为提高烧结时的透氧率，通常在ITO靶材坯体底部和承烧板之间垫一层氧化铝、刚玉或刚玉莫来石垫片，再将靶材放到垫片上进行烧结，该方法可以在一定程度上提高靶材烧结时的透氧率，但靶材在高温下和垫片接触的地方会产生共融体，对靶材的底部会形成污染，且留有印记，后续磨削量大，增加了工艺成本；另外，垫片上也会沾染ITO粉末，凹凸不平，后续使用会增大摩擦力，导致ITO坯体收缩时阻力增大而断裂，降低ITO靶材的烧结成品率。

技术实现要素：

本实用新型需要解决的技术问题是提供一种应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置，在提高烧结过程中透氧率的基础上，进一步提高ITO靶材的成品率。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案如下。

应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置，包括水平设置在烧结窑内支架上的支撑座，所述支撑座的上端面倾斜设置，倾斜设置的支撑座上端面上放置有用于承载ITO靶材坯体的承烧板，承烧板的上端面上匀布有若干条贯穿承烧板前后、用于流过氧气气流的沟槽；位于较低端的支撑座倾斜上端面端部设置有承托承烧板和ITO靶材坯体的挡块。

上述应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置，多条沟槽间平行且呈水平状设置。

上述应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置，所述沟槽的纵截面为长方形状，沟槽顶部的宽度小于相邻沟槽间承烧板顶端面的宽度。

上述应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置，所述支撑座倾斜设置的上端面的倾斜度为30～60°。

由于采用了以上技术方案，本实用新型所取得技术进步如下。

本实用新型通过设置倾斜、并带有沟槽的承烧板来承载ITO靶材坯体，可使氧气通过水平设置的沟槽与靶材坯体接触，提高了透氧率；另外，由于承烧板倾斜设置，靶材坯体放置在承烧板上也倾斜设置，并配合挡块支撑，此时靶材坯体的重力得到了水平方向上的分解，因此大大降低了坯体与承烧板之间的摩擦力，有利于靶材坯体的收缩，进一步减少了烧结时间，提高了靶材坯体的烧结成品率以及烧结密度。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

其中：1.炉膛，2.支撑座，3.承烧板，31.沟槽，4.ITO靶材坯体，5.挡块，6.支架。

具体实施方式

下面将结合附图和具体实施例对本实用新型进行进一步详细说明。

用于烧结ITO靶材坯体的烧结窑，烧结窑的炉膛1内设置有多层支架6，用于放置待烧结的ITO靶材坯体。

一种应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置，其结构如图1所示，包括支撑座2和承烧板3。支撑座水平设置在烧结窑内的支架6上，支撑座的上端面倾斜设置，倾斜度为30～60°，承烧板3放置在倾斜设置的支撑座上端面上，用于承载ITO靶材坯体4；位于较低端的支撑座倾斜上端面端部设置有挡块5，用于承托承烧板和ITO靶材坯体4，放置承烧板和ITO靶材坯体与支撑座上端面之间发生相对滑动。

承烧板的上端面上匀布有若干条沟槽31，沟槽31贯穿承烧板前后，用于流过氧气气流的；为提高氧气流通的顺畅性，本实用新型中的多条沟槽间平行且呈水平状设置，并且沟槽31的纵截面为长方形状，沟槽顶部的宽度小于相邻沟槽间承烧板顶端面的宽度。当然，为提高透氧率，沟槽顶部的宽度也可以大于相邻沟槽间承烧板顶端面的宽度。

本实用新型使用时，首先将支撑座固定在支架上，然后将承烧板带沟槽的端面朝上放置在支撑座上，再将待烧结的ITO靶材坯体放置在承烧板上进行烧结即可。烧结过程中，ITO靶材坯体与承烧板间的接触压力较小，利于ITO靶材坯体的收缩，而氧气气流从沟槽穿过，提高了透氧率，进一步地减少了烧结的时间，提高了烧结的成品率。