技术特征：
1.一种降低透明cpi基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：s1，240～260℃下，在聚酰亚胺薄膜表面沉积sio2层，沉积完成后冷却至室温，并静置于真空环境中；s2，在所述sio2层磁控溅射ito膜层，所述ito膜层厚度与聚酰亚胺薄膜的吸收波长相适应。2.根据权利要求1中所述降低透明cpi基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述s1步骤中，采用磁控溅射法在聚酰亚胺薄膜表面沉积sio2层。3.根据权利要求2中所述降低透明cpi基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述s1步骤中，所述sio2层的厚度为50～60nm。4.根据权利要求1中所述降低透明cpi基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述s1步骤中，真空环境中静置时间为0.5～1h。5.根据权利要求1中所述降低透明cpi基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述ito膜层的厚度为40～200nm，所述聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应的色相图区域包括y、c、g、b区域，且所述ito膜层的厚度与聚酰亚胺薄膜的吸收波长相适应。6.根据权利要求5中所述降低透明cpi基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应色相为y区域，所述ito膜层的厚度为40～80nm。7.根据权利要求1中所述降低透明cpi基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应色相为c区域，所述ito膜层的厚度为80～120nm。8.根据权利要求1中所述降低透明cpi基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应色相为g区域，所述ito膜层的厚度为120～160nm。9.根据权利要求1中所述降低透明cpi基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的吸收波长所对应色相为b区域，所述ito膜层的厚度为160～200nm。10.根据权利要求1中所述降低透明cpi基膜黄色指数的工艺方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的黄色指数yi<4，透过率大于85％。
技术总结
本发明公开了一种降低透明CPI基膜黄色指数的工艺方法，包括如下步骤：S1，240～260℃下，在聚酰亚胺薄膜表面沉积SiO2层，沉积完成后冷却至室温，并静置于真空环境中；S2，在SiO2层表面磁控溅射ITO膜层，ITO膜层的厚度与聚酰亚胺薄膜的吸收波长相适应。本发明通过在聚酰亚胺薄膜表面依次设置SiO2层和ITO膜层，形成复合涂层结构，使复合涂层结构与聚酰亚胺薄膜的吸收波长形成互补，在保证透射率不降低的同时，使整体膜层的黄色指数显著降低。使整体膜层的黄色指数显著降低。使整体膜层的黄色指数显著降低。
技术研发人员：屠国力 田楠 林养唐 任毅 屠楠
受保护的技术使用者：深圳市氟德特科技有限公司
技术研发日：2022.09.06
技术公布日：2022/12/29