1.高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射复合共沉积方法，其特征在于，所述复合共沉积方法所使用的装置为复合沉积装置，包括真空室、两个溅射靶、样品台、复合共沉积电源、质量流量控制器、加热电源、机械泵、分子泵和真空计；
2.根据权利要求1所述的高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射复合共沉积方法，其特征在于：所述复合沉积装置还设有人机交互界面、循环水路和机械泵与分子泵；所述人机交互界面用于控制高功率脉冲磁控溅射电路、调制脉冲磁控溅射电路和偏压电路相关溅射参数，包括溅射频率，脉宽以及脉冲延时；所述循环水路用于对溅射靶、分子泵和真空室进行冷却；所述机械泵与分子泵用于对真空室抽真空。
3.根据权利要求1所述的高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射复合共沉积方法，其特征在于：所述真空室设有工作气体和氩气两个入口，管路上分别设有控制阀，并与质量流量控制器相连接。
4.根据权利要求1所述的高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射复合共沉积方法，其特征在于：所述样品台内部设有加热装置，通过加热电源供电加热。
5.根据权利要求1所述的高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射复合共沉积方法，其特征在于：所述步骤1中两个溅射靶的靶材为同质靶材或异质靶材。
6.根据权利要求1所述的高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射复合共沉积方法，其特征在于：所述步骤2中通入氩气的流量是5sccm～200sccm。
7.根据权利要求3所述的高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射复合共沉积方法，其特征在于：所述工作气体是氮气或氧气或乙炔。
8.根据权利要求1所述的高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射复合共沉积方法，其特征在于：所述步骤5中工作气体的流量是5sccm～200sccm。