50，所述有机溶剂为乙二醇，将钻石粉与有机溶剂混合后放入小型超声波清洗机内超声震荡15分钟，即得抛光液。
[0094]实施例12
[0095]根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，步骤(3)中，取步骤(2)得到的抛光液5滴(0.25ml)，滴在步骤(I)得到的抛光盘上，在温度为28°C、湿度40%条件下，转速为40转/min的抛光盘对磷酸二氘钾晶体进行抛光，抛光方式为往复推拉运动。
[0096]实施例13
[0097]根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，步骤(3)中，取步骤(2)得到的抛光液3滴(0.15ml)，滴在步骤(I)得到的抛光盘上，在温度为26°C、湿度40%条件下，转速为30转/min的抛光盘对磷酸二氘钾晶体进行抛光，抛光方式为反向转动。
[0098]实施例14
[0099]根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，所述分析纯试剂为分析纯醋酸乙酯试剂。
[0100]实施例15
[0101]根据实施例14所述抛光方法，其区别在于，所述分析纯试剂为分析纯醋酸丙酯试剂。
[0102]实施例16
[0103]根据实施例14所述抛光方法，其区别在于，所述分析纯试剂为分析纯醋酸丁酯试剂。
[0104]实施例17
[0105]根据实施例14所述抛光方法，其区别在于，所述分析纯试剂为分析纯乙酸丙酯试剂。
[0106]实施例18
[0107]根据实施例14所述抛光方法，其区别在于，所述分析纯试剂为分析纯乙酸丁酯试剂。
[0108]实施例19
[0109]根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，对磷酸二氘钾晶体镀膜，具体步骤包括:
[0110]将去除表面污物的磷酸二氘钾晶体放入镀膜机，启动镀膜机，设置镀膜程序，调整温度至100°c，进行真空蒸镀，所镀膜系为:AR/AR@1064±10nm，要求R〈0.5%，其中，AR为增透膜，R为反射率。
[0111]实施例20
[0112]根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，对磷酸二氘钾晶体镀膜，具体步骤包括:
[0113]将去除表面污物的磷酸二氘钾晶体放入镀膜机，启动镀膜机，设置镀膜程序，调整温度至90°C，进行真空蒸镀，所镀膜系为:AR/AR@1064±10nm，要求R〈0.5%，其中，AR为增透膜，R为反射率。
【主权项】
1.一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法，其特征在于，具体步骤包括: (1)制作抛光盘 a、将纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物加热，纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物完全溶化时搅拌均匀，纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物表面沸腾时停止加热；其中，纯光学沥青的纯度范围为95% -100%，纯光学沥青与蜂蜡的重量比范围为1:1-1:3，纯光学沥青与石蜡的重量比范围为1:3-1:5 ； b、将步骤(a)得到的纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物倒入平盘中，自然冷却至室温; c、将步骤(b)得到的载有纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物的平盘在60-80°C条件下预热 10_30min ； d、利用平板将步骤(c)预热后得到的载有纯光学沥青与蜂蜡的混合物的平盘压平，冷却至室温，去除平板，即得抛光盘； (2)配制抛光液 将钻石粉与有机溶剂混合均匀，钻石粉与有机溶剂的质量比范围为1:200—1:300 ;即得抛光液； (3)抛光 取将步骤(2)得到的抛光液2-5滴，滴在步骤(I)得到的抛光盘上，在温度为25-28°C、湿度< 40%条件下，转速为1-40转/min的抛光盘对磷酸二氘钾晶体进行抛光，在抛光过程中检验磷酸二氘钾晶体抛光表面平行差、平面度、表面质量，使磷酸二氘钾晶体抛光表面平行差〈10”，磷酸二氘钾晶体抛光表面平面度优于λ/10，磷酸二氘钾晶体抛光表面表面质量优于20/10。
2.根据权利要求1所述抛光方法，其特征在于，所述磷酸二氘钾晶体的抛光方法，具体步骤还包括: (4)去除磷酸二氘钾晶体表面污物、镀膜 去除步骤(3)抛光后得到的磷酸二氘钾晶体表面污物，镀膜，即得。
3.根据权利要求1所述抛光方法，其特征在于，步骤a中，将纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物放入铝锅，利用功率为1000W电炉加热；步骤b中，将载有纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物的平盘水平放置超静室内，自然冷却至室温；步骤C中，将载有纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物的平盘在60-80°C条件下水中预热10-30min。
4.根据权利要求1所述抛光方法，其特征在于，步骤(I)中，所述平盘为周围有报纸围成圆筒的铸铁平盘；步骤d中，所述平板为光滑圆玻璃板。
5.根据权利要求1所述抛光方法，其特征在于，步骤(2)中，所述有机溶剂为无水乙醇、无水丙醇或乙二醇中的任一种；所述钻石粉的规格为Wl?W0.125。
6.根据权利要求5所述抛光方法，其特征在于，所述钻石粉的规格为W0.25。
7.根据权利要求1所述抛光方法，其特征在于，步骤(2)中，将钻石粉与有机溶剂混合后放入小型超声波清洗机内超声震荡10-20分钟；步骤(3)中，抛光方式为反向转动或往复推拉运动；利用光学比较测角仪测试磷酸二氘钾晶体抛光表面平行差，利用激光平面干涉仪测试磷酸二氘钾晶体抛光表面平面度，利用10倍放大镜目测磷酸二氘钾晶体抛光表面质量。
8.根据权利要求2所述抛光方法，其特征在于，步骤(I)所述制作抛光盘之前对磷酸二氘钾晶体进行磨砂，具体步骤包括:利用石蜡或者石蜡、松香混合胶将磷酸二氘钾晶体粘结在KDP套圈的中心，在砂纸上进行磨砂。
9.根据权利要求8所述抛光方法，其特征在于，步骤(4)中，去除磷酸二氘钾晶体表面污物，具体步骤包括: e、利用功率为250W的红外灯对经过步骤(3)得到的磷酸二氘钾晶体加热，直至石蜡或者石蜡、松香混合胶溶化，将磷酸二氘钾晶体取出，冷却至室温； f、将磷酸二氘钾晶体放入培养皿，向培养皿加入分析纯试剂至淹没磷酸二氘钾晶体，将磷酸二氘钾晶体浸泡I小时，用高级脱脂棉或无尘软布将磷酸二氘钾晶体表面的污物擦去; g、利用分析纯试剂对磷酸二氘钾晶体进行第二次浸泡，浸泡时间为30分钟，用高级脱脂棉或无尘软布蘸取分析纯乙酸乙酯试剂多次擦拭磷酸二氘钾晶体表面，直至磷酸二氘钾晶体两抛光面无任何污物；所述分析纯试剂为分析纯乙酸乙酯试剂、分析纯醋酸乙酯试剂、分析纯醋酸丙酯试剂、分析纯醋酸丁酯试剂，分析纯乙酸丙酯试剂、分析纯乙酸丁酯试剂的任一种。
10.根据权利要求2任一所述抛光方法，其特征在于，步骤(4)中，对磷酸二氘钾晶体镀膜，具体步骤包括:将去除表面污物的磷酸二氘钾晶体放入镀膜机，启动镀膜机，设置镀膜程序，调整温度至80-100°C，进行真空蒸镀，所镀膜系为:AR/AR@1064± 10nm，要求R〈0.5%，其中，AR为增透膜，R为反射率。
【专利摘要】本发明涉及一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法，包括：(1)制作抛光盘，其中，将纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物加热，纯光学沥青的纯度范围为95％-100％，纯光学沥青与蜂蜡的重量比范围为1：1-1：3,纯光学沥青与石蜡的重量比范围为1：3-1：5；(2)配制抛光液，将钻石粉与有机溶剂混合均匀，钻石粉与有机溶剂的质量比范围为1:200—1:300，即得抛光液；(3)抛光。抛光后的磷酸二氘钾晶体，平行度优于10秒，平面度优于λ/10633nm,波前畸变优于λ/8633nm,表面质量优于20/10，使用温度范围为-40～+50℃，达到了高性能激光系统的使用要求。
【IPC分类】B24D18-00, B08B3-04, B24B29-02, B24B49-12, B24B7-22
【公开号】CN104589194
【申请号】CN201510043754
【发明人】李光烈, 刘学勇
【申请人】山东阳谷恒晶光电有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年1月28日