一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及金属湿法刻蚀技术领域，具体涉及一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工
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【背景技术】
[0002]申请号为201010286212.2的中国专利提出了一种用于MEMS结构制备的金属湿法刻蚀装置及刻蚀工艺，获得了 6寸硅片内均匀且过刻蚀较小的NiCr图形。但是当NiCr薄膜厚度较大时所获得的NiCr图形仍不理想:由于浸泡在NiCr刻蚀液时间较长，导致NiCr线条严重过刻，边缘发毛；而片面均匀性也随着腐蚀时间加长而下降，边缘区域NiCr线条明显较中间区域NiCr线条偏窄。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的问题是如何提供一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，解决湿法刻蚀较厚的NiCr时容易出现过刻蚀、边缘发毛的问题。
[0004]本发明所提出的技术问题是这样解决的:
光刻前采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr合金薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的薄膜，该薄膜在NiCr刻蚀过程中与光刻胶一道对NiCr薄膜形成良好的保护。
[0005]一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，步骤如下:
①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜；
②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护月吴；
③在保护膜上涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版；
④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形；
⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形；
⑥依次去除光刻胶和保护膜，得到最终所需的NiCr图形。
[0006]进一步地，所述保护膜为氮化硅薄膜。
[0007]进一步地，氮化娃薄膜厚度为20_100nmo
[0008]本发明的有益效果:
在NiCr厚度较大时，采用以上改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺可获得过刻较小，且均匀性良好的刻蚀图形。
[0009]本发明中，保护膜与NiCr薄膜形成紧密的接触，从而能防止产生过刻蚀，刻蚀的图形边缘清晰无毛边，均匀性良好。
【附图说明】
[0010]图1为本发明的工艺流程示意图；
图2为采用本工艺刻蚀后的图形； 图3为只采用氮化硅保护刻蚀后的图形；
图4为传统的只用光刻胶保护刻蚀后的图形；
图中附图标记为:1-硅片，2-NiCr薄膜，3-保护膜，4-光刻胶。
【具体实施方式】
实施例
[0011]下面结合实施例对本发明作进一步描述:
1.采用磁控溅射工艺在6寸硅片I上制备120nm NiCr薄膜2。
[0012]2.采用等离子增强化学气相沉积工艺制备50nm氮化硅保护膜3。图1中a为以上两步工艺后的不意图。
[0013]3.涂覆光刻胶4，采用标准光刻工艺获得如图1中的b所示图形。
[0014]4.采用反应离子刻蚀工艺刻蚀氮化硅保护膜3后得到如图1中的c所示图形。
[0015]5.采用专利201010286212.2所述装置和工艺刻蚀NiCr薄膜2，得到图1中的d所示图形。
[0016]6.采用标准去胶工艺去除光刻胶4 ;采用步骤4所述反应离子刻蚀工艺去除氮化硅保护膜3，得到图1中的e所示图形。
[0017]7.依次采用丙酮、乙醇及去离子水对基片进行超声清洗。
[0018]至此工艺结束。
[0019]刻蚀完的图形如图2所示，采用光刻胶加氮化硅保护，过刻蚀很小，边缘整齐。
[0020]图3为采用只有50nm氮化硅保护刻蚀后的图形，从图中看出，虽然无发毛现象，但是过刻蚀仍然比较厉害，且边缘呈锯齿。
[0021]图4为采用传统的光刻胶保护后刻蚀的图形，从图中看出，过刻蚀严重，且边缘发毛，均匀性差。
[0022]以上所述实施例仅表达了本申请的【具体实施方式】，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请技术方案构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。
【主权项】
1.一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，其特征在于，步骤如下: ①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜； ②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护月吴； ③在保护膜上涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版； ④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形； ⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形； ⑥依次去除光刻胶和保护膜，得到最终所需的NiCr图形。2.根据权利要求1所述的一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，其特征在于，所述保护膜为氮化硅薄膜。3.根据权利要求1所述的一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，其特征在于，氮化娃薄膜厚度为20-100nmo
【专利摘要】本发明公开了一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，步骤如下：①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜；②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护膜；③在保护膜上涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版；④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形；⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形；⑥依次去除光刻胶和保护膜，得到最终所需的NiCr图形。本发明中，保护膜与NiCr薄膜形成紧密的接触，从而能防止产生过刻蚀，刻蚀的图形边缘清晰无毛边，均匀性良好。
【IPC分类】C23F1/02
【公开号】CN105039984
【申请号】CN201510375495
【发明人】黎威志, 吴志明, 赵晖, 谢骞, 蒋亚东
【申请人】电子科技大学
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2015年6月30日