过程涉及在相反方向上(如由箭头618所指示的)把基板604传送通过中空阴极源602。在一些实施例中，支撑件601包括平移机制，诸如传送带系统，其在中空阴极源602保持静止时平移基板604。在其它实施例中，中空阴极源602在基板604保持静止时平移。
[0054]在一些实施例中，第二膜616包括与膜603基本上相同的材料。在其它实施例中，第二膜616包括与膜603不同的材料。在第二膜616包括不同材料的情况下，中空阴极源602被配置为在沉积膜603时形成第一类型的离子和/或其它反应性化学组分，并且在沉积第二膜616时形成第二类型的离子和/或其它反应性化学组分。例如，可以向中空阴极源602供给第一反应性气体，以形成二氧化硅材料的膜603，并且可以向中空阴极源602供给第二反应性气体，以形成氮化硅材料的第二膜616，或者反过来也可以。
[0055]在一些实施例中，使用多个中空阴极源，以便均匀地覆盖基板的三维表面。图7示出了中空阴极系统700的示意图，该系统包括串行布置以用于把膜703沉积到基板704上的中空阴极源702a、702b、702c和702d。在一些实施例中，系统700包括相对于中空阴极源702a、702b、702c和702d支撑并定位基板704的支撑件701。基板704具有三维表面606，该表面包括区域712、714和716。
[0056]中空阴极源702a、702b、702c和702d每个都分别具有有效表面710a、710b、710c和710d，这些表面补偿表面606的三维形状。特别地，与中空阴极源702b和702c当中每一个相比而言，中空阴极源702a在X和y方向上都具有偏移位置，以便使中空阴极源702a足够靠近表面706的区域714，从而在区域714上提供与区域716上相同厚度的膜703。类似地，与中空阴极源702b和702c当中每一个相比而言，中空阴极源702d在X和y方向上都具有偏移位置，以便使中空阴极源702a足够靠近表面706的区域712，从而在区域712上提供与区域716上相同厚度的膜703。其结果是在表面706的区域712、714和716上具有均匀厚度的膜703。在一些实施例中，有效表面710a、710b、710c和710d每个都位于离表面706相同的距离处。在一些实施例中，提供给中空阴极源702a、702b、702c和702d当中每一个的气流被改变，以便控制到表面706的不同区域712、714和716上的沉积速率。应当指出，可以使用任何合适数量的中空阴极源，以便提供具有足够均匀厚度的膜703。
[0057]在一些情况下，基板704与阴极源702a、702b、702c和702d的相对位置可以改变。例如，支撑件701可以包括平移基板704的平移机制，诸如传送带系统，该机制对于沉积过程在中空阴极源702a、702b、702c和702d下面准确定位基板704，并且在沉积过程之后除去基板704。在一种实施例中，基板704在方向708和718上平移。例如，在沉积过程之前基板704可以在方向708上平移，然后在沉积过程完成之后可以在方向718上平移。在其它实施例中，在沉积过程之前和之后基板都在方向708上平移。在一些实施例中，系统700被用来把第二膜(未示出)沉积到膜703上。
[0058]根据一些实施例，多个基板被同时处理，这在其中吞吐量是重要因素的一些制造情形下会是有益的。图8示出了中空阴极系统800的示意图，该系统包括并行布置以用于把膜803a、803b和803c分别沉积到基板804a、804b和804c上的中空阴极源802a、802b和802c。在一些实施例中，系统800包括支撑件801a、80lb和801c，这些支撑件分别支撑和定位基板804a、804b和804c。中空阴极源802a具有符合基板804a的弯曲表面806a的有效表面810a。中空阴极源802b具有符合基板804b的弯曲表面806b的有效表面810b。中空阴极源802c具有符合基板804c的弯曲表面806c的有效表面810c。在一些实施例中，表面806a、806b和806c与基板804a、804b和804c的形状相同。在其它实施例中，表面806a、806b和806c当中一个或多个具有不同的形状。
[0059]如所示出的，中空阴极源802a、802b和802c并行定位，使得可以同时在基板804a、804b和804c上沉积。例如，平移机制可以被用来在方向808上平移基板804a、804b和804c或阴极源802a、802b和802c。在一些实施例中，中空阴极源802a、802b和802c都是具有弯曲部分以适应基板804a、804b和804c当中每一个的单个中空阴极源的一部分。如果中空阴极源802a、802b和802c都是具有弯曲部分的单个中空阴极源的一部分，则单个气体源可以被用来把气体供给中空阴极源802a、802b和802c。在其它实施例中，中空阴极源802a、802b和802c每个都是由不同气体源供给的单独阴极源。在一些实施例中，通过例如在方向818上平移基板804a、804b和804c或者中空阴极源802a、802b和802c并且改变供给中空阴极源802a、802b和802c的源气体，系统800被用来把第二膜(未示出)沉积到膜803a、803b 和 803c 上。
[0060]如以上相对于图6A和6B所描述的，基板804a、804b和804c相对于中空阴极源802a、802b和802c的相对平移速率可以改变，以便补偿表面806a、806b和806c的三维变化，并且以便提供具有均匀厚度的膜803a、803b和803c。例如，当有效表面810a、810b和810c在更远离的区域(例如，区域612a、612b和612c以及614a、614b和614c)之上定位时，平移速率可以更慢，而当在更靠近的区域(例如，区域616a、616b和616c)之上定位时，平移速率可以更快。作为改变平移速率的替代或者作为其附加，提供给中空阴极源802a、802b和802c的(一种或多种)反应性气体的流速改变，以便控制到分别表面806a、806b和806c上不同区域的沉积速率。在一些实施例中，系统800被用来把第二膜(未示出)沉积到膜 803a、803b 和 803c 上。
[0061]根据一些实施例，中空阴极系统包括串行布置的多个中空阴极源，诸如以上参考图78所描述的，以及并行布置的多个中空阴极源，诸如以上参考图8所描述的。图9示出了系统900的示意图，该系统包括用于分别把膜903a、903b和903c沉积到基板904a、904b和904c上的多个中空阴极。系统900包括第一组并行的中空阴极源902a、902b和902c和第二组并行的中空阴极源905a、905b和905c。中空阴极源902a和905a可以具有其形状符合基板904a的表面906a的弯曲部分的有效表面。中空阴极源902b和905b可以具有其形状符合基板904b的表面906b的弯曲部分的有效表面。中空阴极源902c和905c可以具有其形状符合基板904c的表面906c的弯曲部分的有效表面。在一些实施例中，表面906a、906b和906c具有基本上相同的形状。在其它实施例中，表面906a、906b和906c具有不同的形状。
[0062]基板904a、904b和904c可以分别被定位在支撑件901a、901b和901c上。在一些实施例中，支撑件901a、901b和901c分别包括用于在方向908和/或918上平移基板904a、904b和904c的平移机制，诸如传送带系统。应当理解，图7、8和9中所示的中空阴极源的数量和布置代表一些实施例，并且不意味着代表所有可能的数量和配置。此外，图7、8和9中所示的基板表面的形状和中空阴极源的对应有效表面的形状不意味着代表所有可能的基板表面形状和有效表面形状。例如，基板可以具有带一个或多个弯曲部分以及一个或多个基本平坦部分的表面。中空阴极源可以模拟整个基板表面形状或者基板表面的部分。
[0063]图10示出了根据所述实施例指示用于在基板的表面上沉积具有均匀厚度的膜的高层级过程的流程图1000。在1002，相对于沉积系统的源的有效表面定位具有非平坦表面的基板。有效表面具有符合基板的非平坦表面的非平坦形状。非平坦表面被定义为具有基本上非平坦的三维表面几何形状或拓扑形状。基板的非平坦表面可以涵盖基本上基板的整个表面或者可以包括基板的一个或多个区域。在一些实施例中，非平坦表面具有至少一个弯曲的区域。在一些实施例中，基板是用于电子设备的窗口或透镜的弯曲表面。在一些实施例中，膜是AR涂层或者多层AR涂层中的一层。
[0064]源可以是任何合适的沉积源。例如，在溅射沉积系统中，源可以对应于