溅射靶材。在PECVD系统中，源可以对应于离子源，诸如中空阴极源。基板的非平坦表面可以相对于有效表面定位或对准，使得从源发射的粒子作为膜沉积在非平坦表面上。在一些实施例中，利用支撑件来支撑和/或定位基板。在一些实施例中，支撑件包括被配置为相对于源平移基板的平移机制。在一些实施例中，平移机制被配置为在沉积过程之前和之后平移基板。在一些实施例中，平移机制被配置为在一个或多个沉积过程期间附加地平移基板。
[0065]在1004，导致源发射粒子，使得粒子作为膜沉积在非平坦表面上。粒子可以是能够在基板上形成膜的任何合适的材料。在溅射沉积系统中，粒子可以对应于从溅射靶材溅射的材料。在PECVD系统中，粒子可以对应于等离子体的离子和/或其它反应性化学组分。由于有效表面具有符合基板的非平坦表面的非平坦形状，因此膜具有基本上均匀的厚度。
[0066]在1006，在沉积膜之后，源可选地被用来沉积一个或多个附加的膜，从而在基板的非平坦表面上形成具有多层膜的涂层。在一些实施例中，多层膜构成AR涂层。在一种实施例中，AR涂层包括Si3N4膜和S1 2膜的交替的膜。在其它实施例中，不同的源被用来形成一个或多个附加的膜。在一些实施例中，相同的源被用来形成一个或多个附加的膜。
[0067]为了解释的目的，以上描述使用具体的命名来提供对所述实施例的透彻理解。但是，对本领域技术人员将很显然，具体的细节不是实践所述实施例必需的。因此，以上对本文所述具体实施例的描述是为了说明和描述而给出的。它们不是详尽的或者要把实施例限定到所公开的精确形式。对本领域普通技术人员将很显然，鉴于以上示教，许多修改和变化是可能的。
【主权项】
1.一种在基板的弯曲表面上沉积膜的方法，所述方法包括: 相对于沉积系统的源定位所述弯曲表面，其中所述源包括具有符合所述基板的弯曲表面的弯曲形状的有效表面；及 导致所述源发射多个粒子，使得所述多个粒子变得作为所述膜沉积在所述弯曲表面上，其中所述有效表面的弯曲形状与所述膜的厚度相关联。2.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积系统是溅射沉积系统，并且所述源是溅射靶材，其中导致所述源发射多个粒子包括把溅射气体指向所述溅射靶材，使得所述多个粒子从所述溅射靶材溅射。3.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积系统是等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)系统，并且所述源是中空阴极源，其中导致所述源发射多个粒子包括: 向所述中空阴极源供给反应性气体，及 导致所述中空阴极源释放具有对应于所述多个粒子的离子和/或其它反应性化学组分的等尚子体。4.如权利要求3所述的方法，其中所述沉积系统包括一个或多个中空阴极源，每个中空阴极源包括具有弯曲形状的有效表面，所述弯曲形状符合所述基板的弯曲表面的不同部分。5.如权利要求4所述的方法，其中每个中空阴极源具有离所述基板的弯曲表面处于距离d的有效表面，其中所述距离d对于每个中空阴极源基本上是相同的。6.如权利要求1所述的方法，其中所述多个粒子是多个第一类型的粒子，并且所述膜是第一膜，其中所述方法还包括: 在导致所述源发射多个第一类型的粒子之后，导致所述源发射与所述多个第一类型的粒子不同的多个第二类型的粒子，使得所述多个第二类型的粒子变得作为第二膜沉积在所述第一膜上。7.如权利要求1所述的方法，还包括: 在导致步骤期间相对于所述源在第一方向上平移所述基板，使得所述膜在不同时间沉积在所述弯曲表面的不同区域上。8.如权利要求7所述的方法，其中平移速率随时间变化，以便跨所述弯曲表面的不同区域控制所述膜的厚度。9.如权利要求7所述的方法，还包括: 在导致步骤和平移步骤之后， 导致所述源发射与原始多个粒子的类型不同类型的第二多个粒子，使得所述第二多个粒子变得作为第二膜沉积在所述膜上；及 在第二导致步骤期间相对于所述源在与所述第一方向相反的第二方向上平移所述基板，使得所述第二膜在不同时间沉积在所述第一膜的不同区域上。10.如权利要求1所述的方法，其中所述基板是第一基板，所述膜是第一膜，并且所述源是第一源，所述方法还包括: 导致第二源发射第二多个粒子，使得所述第二多个粒子变得作为第二膜沉积在第二基板的弯曲表面上。11.如权利要求10所述的方法，其中所述第二膜基本上与沉积所述第一膜同时被沉积。12.如权利要求1所述的方法，其中所述膜是基本上透明的，并且所述弯曲表面是电子设备的窗口或透镜。13.如权利要求1-12中一项所述的方法，其中所述膜是抗反射涂层，并且包括Si3N4、Si02、NB205、Ti0#P Ta02当中一种或多种。14.一种利用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)系统在基板的弯曲表面上沉积抗反射涂层的方法，所述方法包括: 相对于PECVD系统的源定位所述弯曲表面，其中所述源包括具有弯曲形状的有效表面，所述弯曲形状符合所述基板的弯曲表面；及 导致所述源发射多个粒子，使得所述多个粒子变得作为抗反射涂层沉积在所述弯曲表面上， 其中所述有效表面的弯曲形状与所述抗反射涂层的厚度均匀性相关联。15.如权利要求14所述的方法，其中所述源是中空阴极源。16.如权利要求14所述的方法，其中导致所述源发射多个粒子，使得所述多个粒子变得作为抗反射涂层沉积在所述弯曲表面上包括利用多个沉积过程沉积多个层。17.如权利要求16所述的方法，其中所述多个层当中每个层包括Si3N4、Si02、NBA、T1jP Ta02之一。18.如权利要求14所述的方法，其中导致所述源发射多个粒子，使得所述多个粒子变得作为抗反射涂层沉积在所述弯曲表面上包括: 在沉积过程期间相对于所述源的有效表面平移所述基板。19.如权利要求18所述的方法，其中平移所述基板包括沿一个平面平移所述基板。20.如权利要求18所述的方法，其中平移所述基板包括在第一沉积过程期间在第一方向上平移所述基板，并且在第二沉积过程期间在与所述第一方向相反的第二方向上平移所述基板。21.如权利要求14所述的方法，其中导致所述源发射多个粒子，使得所述多个粒子变得作为抗反射涂层沉积在所述弯曲表面上包括: 在沉积过程期间相对于所述源的有效表面旋转所述基板。22.如权利要求14所述的方法，其中导致所述源发射多个粒子，使得所述多个粒子变得作为抗反射涂层沉积在所述弯曲表面上包括: 在沉积过程期间相对于所述源的有效表面平移并旋转所述基板。23.如权利要求14-22中一项所述的方法，其中所述有效表面的弯曲形状在沿所述有效表面的基本上所有点都离所述基板的弯曲表面处于距离d。24.一种用于在基板的弯曲表面上沉积膜的沉积系统，所述沉积系统包括: 第一源，包括被配置为发射第一多个粒子的第一有效表面，其中所述第一有效表面具有符合所述基板的弯曲表面的弯曲形状；及 定位器，被配置为相对于所述第一源定位所述基板，使得从所述第一源发射的第一多个粒子作为第一膜沉积在所述基板的弯曲表面上。25.如权利要求24所述的沉积系统，其中所述第一有效表面的弯曲形状在沿所述有效表面的基本上所有点都离所述基板的弯曲表面处于距离d。26.如权利要求24所述的沉积系统，还包括: 第二源，包括被配置为发送与所述第一多个粒子的类型不同类型的第二多个粒子，其中所述第二有效表面具有符合所述基板的弯曲表面的弯曲形状， 并且其中所述定位器还被配置为相对于所述第二源定位所述基板，使得从所述第二源发射的第二多个粒子作为第二膜沉积在所述第一膜顶上。27.如权利要求26所述的沉积系统，其中所述第一有效表面和第二有效表面并行布置，使得所述第一膜和第二膜可以同时被沉积。28.如权利要求24所述的沉积系统，其中所述沉积系统具有适合在计算机或便携式电子设备的透镜上沉积第一膜的尺寸和形状。29.如权利要求24-28中一项所述的沉积系统，其中所述第一源是等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)源。
【专利摘要】本申请涉及耐用的3D几何形状保形抗反射涂层。更具体而言，公开了用于沉积薄膜的方法和系统。该方法和系统可以被用来在基板表面上沉积具有均匀厚度的膜，其中基板表面具有非平坦三维几何形状，诸如弯曲的表面。该方法涉及沉积源的使用，其中沉积源具有符合基板表面的非平坦三维几何形状的形状。在一些实施例中，多层膜沉积在彼此之上，从而形成多层涂层。在一些实施例中，多层涂层是用于窗口或透镜的抗反射(AR)涂层。
【IPC分类】C23C16/513, C23C14/34, C23C16/30
【公开号】CN105463384
【申请号】CN201510606832
【发明人】M·S·罗杰斯
【申请人】苹果公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年9月22日
【公告号】US20160093477, WO2016048323A1