保护膜形成用溅射靶及层叠配线膜的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种在形成保护由铜或铜合金构成的Cu配线膜的保护膜时使用的保 护膜形成用溅射靶、以及具备通过该保护膜形成用溅射靶而形成的保护膜的层叠配线膜。
[0002] 本申请主张基于2013年11月6日于日本申请的专利申请2013-230301号的优先权， 并将其内容援用于此。
【背景技术】
[0003] 以往，作为液晶和有机EL面板等平板显示器、触控面板等的配线膜，广泛使用A1。 最近实现了配线膜的微细化(窄幅化)及薄膜化，并要求比电阻比以往更低的配线膜。
[0004] 伴随着上述配线膜的微细化及薄膜化，提供一种使用比电阻低于Al的材料即铜或 铜合金的配线膜。
[0005] 但是，由比电阻较低的铜或铜合金构成的Cu配线膜存在着在具有湿度的气氛中容 易变色的问题。另外，为了提高耐候性而使用含有添加元素较多的铜合金的情况下，将导致 比电阻上升。
[0006] 因此，例如在专利文献1中提出有在Cu配线膜上形成由Ni-Cu_(Cr、Ti)合金构成的 保护膜的层叠膜、以及用于形成该保护膜的溅射靶。该保护膜由于耐候性比铜高，因此即使 在大气中保管也能够抑制表面变色。
[0007] 专利文献1:日本专利公开2012-193444号公报
[0008] 然而，对由铜或铜合金构成的Cu配线膜通过蚀刻而形成图形时，使用包含氯化铁 的蚀刻液。在用包含氯化铁的蚀刻液对具有由上述Ni-Cu-(Cr、Ti)合金构成的保护膜的层 叠膜进行蚀刻的情况下，有时保护膜的一部分未熔融而作为残渣来残留。由于配线之间有 可能因该残渣而短路，因此难以作为配线膜使用。
[0009] 并且，在含有Cr的情况下，蚀刻后的废液中含有Cr，在废液处理时存在耗费成本的 问题。
[0010]另外，由于以35质量％以上且84.5质量％以下含有较多比较昂贵的Ni，因此存在 溅射靶及层叠配线膜的制造成本增加的问题。
[0011] 并且，溅射靶例如经过铸造、热乳的工序而制造，但若在热乳时产生破裂，则在破 裂的部分产生异常放电，因此无法作为溅射靶使用。最近，推进形成配线膜的玻璃基板的大 型化，随之溅射靶本身也有大型化的倾向。在此，制造大型溅射靶时，若在热乳材的一部分 产生破裂，则导致无法得到规定尺寸的溅射靶。因此，为了有效生产大型溅射靶，需要优异 的热乳性。
【发明内容】
[0012] 本发明是鉴于所述情况而完成的，其能够形成耐候性优异，能够抑制表面变色，且 具有良好的蚀刻性的保护膜。并且，其目的在于提供由热加工性优异的铜合金构成的保护 膜形成用溅射靶、以及具备通过该保护膜形成用溅射靶而形成的保护膜的层叠配线膜。
[0013] 为了解决上述课题，作为本发明的第一方式的保护膜形成用溅射靶为在Cu配线膜 的单面或两面形成保护膜时使用的保护膜形成用溅射靶，其含有5质量％以上且15质量％ 以下的Ni或共计5质量％以上且15质量％以下的Ni及Al(其中，包含0.5质量％以上的Ni)， 并且含有0.1质量％以上且5.0质量％以下的Mn和0.5质量％以上且7.0质量％以下的Fe^JlJ 余部分由Cu及不可避免杂质构成。
[0014] 在这种结构的本发明的保护膜形成用溅射靶中，含有5质量％以上且15质量％以 下的Ni或共计5质量％以上且15质量％以下的Ni及Al(其中，包含0.5质量％以上的Ni)，并 且含有0.1质量％以上且5.0质量％以下的Mn和0.5质量％以上且7.0质量％以下的Fe，具有 剩余部分由Cu及不可避免杂质构成的组成，成为Cu基合金。因此，即使在使用包含氯化铁的 蚀刻液对形成的保护膜进行蚀刻的情况下，也能够与Cu配线膜同样程度上被蚀刻，而抑制 未熔融的残渣的产生。
[0015] 并且，由于不具有Cr，因此可在低成本下进行蚀刻后的废液处理。
[0016]并且，由于Ni的含量或Ni的含量与Al的含量的共计为比较少的15质量％以下，因 此可大幅减少该溅射靶及保护膜的制造成本。并且，可确保热加工性、切削性。
[0017] 并且，由于Ni的含量为0.5质量％以上，因此可提高热乳性，且可抑制热乳时的破 裂产生。
[0018] 另外，Al为代替Ni的一部分而选择性地添加的元素，可根据Ni的含量而适当添加 即可。即，Ni的含量为5质量％以上时，也不一定必须添加 Al，只要能够以Al的含量与Ni的含 量的共计在5质量％以上且15质量％以下的范围内的方式，根据需要添加 Al即可。
[0019] 作为本发明的第二方式的层叠配线膜为具备该Cu配线膜和形成于该Cu配线膜的 单面或两面的保护膜的层叠配线膜，所述保护膜使用上述保护膜形成用溅射靶形成。
[0020] 这种结构的本发明的层叠配线膜具有通过上述组成的保护膜形成用溅射靶形成 的保护膜，因此耐候性提高，即使在大气中保管的情况下，也能够抑制变色。
[0021] 并且，保护膜由Cu基合金构成，因此即使用包含氯化铁的蚀刻液进行蚀刻的情况 下，也能够抑制未熔融的残渣的产生。
[0022]并且，由于不具有Cr，因此可在低成本下进行蚀刻后的废液处理。并且，Ni的含量 最大也仅为15质量％以下的较少量，因此可大幅减少层叠配线膜的制造成本。
[0023]如上所述，根据本发明的保护膜形成用溅射靶，能够形成耐候性优异，能够抑制表 面变色，且具有良好的蚀刻性的保护膜。并且，能够提供一种由热加工性优异的铜合金构成 的保护膜形成用溅射靶、以及具备通过该保护膜形成用溅射靶而形成的保护膜的层叠配线 膜。
【附图说明】
[0024]图1是一实施方式的层叠配线膜的剖视说明图。
[0025] 图2是说明实施例中的蚀刻残渣的评价基准的照片。
【具体实施方式】
[0026] 以下，对本发明的一实施方式的保护膜形成用溅射靶及层叠配线膜进行说明。
[0027] 本实施方式的保护膜形成用溅射靶在由铜或铜合金构成的Cu配线膜上形成保护 膜时使用。
[0028]该保护膜形成用溅射靶含有5质量％以上且15质量％以下的Ni或共计5质量％以 上且15质量％以下的Ni及Al(其中，包含0.5质量％以上的Ni)，并且含有0.1质量％以上且 5.0质量％以下的Mn和0.5质量％以上且7.0质量％以下的Fe，且具有剩余部分由Cu及不可 避免杂质构成的组成。
[0029]另外，该保护膜形成用溅射靶经过铸造、热乳、冷乳、热处理、机械加工的工序而制 造。
[0030]以下，对如上所述规定本实施方式的保护膜形成用溅射靶的组成的理由进行说 明。
[0031] (Ni的含量或Ni的含量与Al的含量的共计:5质量％以上且15质量％以下）
[0032] Ni为具有改善Cu的耐候性的作用效果的元素。通过含有Ni而能够抑制形成的保护 膜变色。
[0033]与Ni同样地，Al为具有改善Cu的耐候性的作用效果的元素。即使代替Ni的一部分 而添加 Al，也能够抑制形成的保护膜的变色。
[0034]另外，由于Al为比Ni更廉价的元素，通过代替Ni而进行添加，能够实现成本的减 少，因此能够根据需要添加。
[0035]在此，在Ni的含量或Ni的含量与Al的含量的共计小于5质量％的情况下，耐候性未 充分提高，有可能无法充分地抑制形成的保护膜的变色。另一方面，在Ni的含量或Ni的含量 与Al的含量的共计超过15质量％的情况下，蚀刻性劣化，在用含有氯化铁的蚀刻液进行蚀 刻时，有可能生成未熔融的残渣。并且，热加工性及切削性也降低。
[0036]由这种理由，将Ni的含量或Ni的含量与Al的含量的共计设定在0.5质量％以上且 15质量％以下的范围内。另外，Ni的含量或Ni的含量与Al的含量的共计优选为6.3质量％以 上且12.0质量％以下，更优选为7.8质量％以上且10.4质量％以下，但并不限定于此。
[0037] (Ni:0.5 质量 ％ 以上）
[0038]通过添加适量的Ni，提高热加工性。
[0039] 在此，在Ni的含量小于