域等多区设置，气体输送板110边缘区域的第一气体扩散槽111’和第二气体扩散槽112’的槽的凹陷深度与中心区域的第一气体扩散槽111’和第二气体扩散槽112’的槽的深度可以设置为相同或不相同同，位于边缘区域内的第一气体出气通道和第二气体出气通道的截面竖直长度与位于中心区域内的第一和第二气体出气通道的截面竖直长度相同或不相同。例如，如图12所示，其中中心区域和边缘区域的气体扩散槽深度不同，在本实施例中可以设置边缘区域的第一气体扩散槽111’和第二气体扩散槽112’深度大于中心区域的第一气体扩散槽111和第二气体扩散槽112，此种设计可以按照调节反应气体进入反应区域的速度，通过增加边缘区域的气体扩散槽的深度，降低边缘区域的气体出气通道的深度，加快反应气体进入反应区域的速度，本申请的该种设计并不局限于本实施例所述的边缘区域气体扩散槽的深度大于中心区域气体扩散槽的深度，作为一种可以调节气体出气速率的方式，可以根据实际需要确定中心区域和边缘区域的大小，以及气体扩散槽的深度差。
[0071]本发明虽然以较佳实施方式公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种反应气体输送装置，用于化学气相沉积或外延层生长反应器，其特征在于，包括: 从上往下依次设置的一顶板、一隔离板和一气体输送板，所述顶板与所述隔离板相互间隔而于二者之间形成第一气体扩散区域，所述隔离板和所述气体输送板相互间隔而于二者之间形成第二气体扩散区域； 所述气体输送板为一体形成之板体，其包括一上表面，所述上表面上沿某一水平方向上开设有相互平行排列的多个纵长形第一气体扩散槽和多个纵长形第二气体扩散槽，并且每一所述第一气体扩散槽和每一所述第二气体扩散槽相互间隔排列设置，所述每一第一气体扩散槽下方还开设连接有一纵长形第一气体出气通道并且二者相连通，所述每一第二气体扩散槽下方还开设连接有一纵长形第二气体出气通道并且二者相连通；所述每一第一气体扩散槽和与之相邻的每一第二气体扩散槽之间向下延伸设置有一纵长形的气体导流条；所述每一纵长形的气体导流条内部设置有一纵长形的冷却管道，所述每一纵长形的气体导流条的下表面设有具一定弧度的弧形或设为尖锥形； 所述每一第一气体扩散槽上还进一步连接设置有至少一根与所述第一气体扩散区域相连通的第一气体输送管。2.如权利要求1所述的反应气体输送装置，其特征在于:所述每一纵长形第一气体出气通道与所述每一纵长形第二气体出气通道相互平行排列，并且相互间隔排列设置。3.如权利要求1或2所述的反应气体输送装置，其特征在于:所述纵长形第一气体出气通道为一纵长形的缝隙通道。4.如权利要求1或2所述的反应气体输送装置，其特征在于:所述纵长形第二气体出气通道为一纵长形的缝隙通道。5.如权利要求1或2所述的反应气体输送装置，其特征在于:所述纵长形第一气体出气通道包括若干个孔通道，所述若干个孔通道整体上构成一纵长形的出气通道。6.如权利要求1或2所述的反应气体输送装置，其特征在于:所述纵长形第二气体出气通道包括若干个孔通道，所述若干个孔通道整体上构成一纵长形的出气通道。7.如权利要求1或2所述的反应气体输送装置，其特征在于:所述每一纵长形的气体导流条位于每一纵长形第一气体出气通道和每一纵长形第二气体出气通道之间。8.如权利要求7所述的反应气体输送装置，其特征在于:所述纵长形的气体导流条的下表面为向反应气体工艺处理区域凸出的弧形表面。9.如权利要求7所述的反应气体输送装置，其特征在于:所述纵长形的气体导流条的下表面为向反应气体工艺处理区域凹陷的弧形表面。10.如权利要求9所述的反应气体输送装置，其特征在于:所述向工艺处理区域凹陷的弧形表面与所述第一气体出气通道和第二气体出气通道的通道侧面连接处为弧形。11.如权利要求1所述的反应气体输送装置，其特征在于:所述每一纵长形的气体导流条两侧分别连接一纵长形的子气体导流条，所述气体导流条与所述子气体导流条相互平行并相互间隔一距离设置，二者之间形成一子气体通道，所述子气体通道与所述第一气体出气通道或第二气体出气通道在竖直的截面方向上呈一锐角。12.如权利要求1所述的反应气体输送装置，其特征在于:所述第一气体出气通道为宽度小于第一气体扩散槽槽宽度的纵长形的缝隙通道或直径小于第一气体扩散槽槽宽度的若干孔通道；第二气体出气通道为宽度小于第二气体扩散槽槽宽度的纵长形的缝隙通道或直径小于第二气体扩散槽槽宽度的若干孔通道。13.如权利要求1所述的反应气体输送装置，其特征在于:所述气体输送装置至少包括边缘区域和中心区域，位于所述边缘区域内的第一和第二气体出气通道的截面竖直长度与位于所述中心区域内的第一和第二气体出气通道的截面竖直长度不相同或相同。14.如权利要求1所述的反应气体输送装置，其特征在于:所述气体输送装置至少包括边缘区域和中心区域，所述边缘区域和所述中心区域的第一气体扩散槽的槽凹陷深度大于所述中心区域的第一气体扩散槽的槽凹陷深度，所述第二气体扩散槽的槽凹陷深度大于所述中心区域的第二气体扩散槽的槽凹陷深度。15.一种化学气相沉积或外延层生长反应器，包括一反应腔，所述反应腔内设置一基片承载架，所述基片承载架上方设置一如权利要求1至14之任何一项所述的反应气体输送装置。16.一种制作气体输送装置的方法，其特征在于:所述方法包括下列步骤: 提供一具有一定厚度的板材用以制作气体输送板，该板材具有相对平行的上表面和下表面； 在所述板材上表面沿某一水平方向开凿制作相互平行且具有一定深度的纵长形的第一气体扩散槽和纵长形的第二气体扩散槽，所述第一气体扩散槽和所述第二气体扩散槽交替设置；在所述第一气体扩散槽的槽底开凿设置宽度小于第一气体扩散槽槽宽度的纵长形的缝隙通道或直径小于第一气体扩散槽槽宽度的若干孔通道，所述缝隙通道或所述孔通道构成第一气体出气通道，在所述第二气体扩散槽的槽底开凿设置宽度小于第二气体扩散槽槽宽度的纵长形的缝隙通道或直径小于第二气体扩散槽槽宽度的若干孔通道，所述缝隙通道或所述孔通道构成第二气体出气通道；所述每一第一出气通道和所述每一第二气体出气通道之间的板材构成纵长形的气体导流条； 在每一气体导流条内部开凿设置纵长形的冷却通道；设置气体导流条的下表面为具有一定弧度的下表面或尖锥形下表面； 在制作完成的气体输送板上表面紧密固定一密封板，将所述密封板上对应第二气体扩散槽的区域挖空设置，在所述密封板上对应每一第一气体扩散槽的位置设置至少一输送管插接口 ； 在所述气体输送板上方一定距离设置一隔离板，所述隔离板和所述气体输送板之间形成第二气体扩散区域，在所述隔离板上对应每一输送管插接口的位置设置一小孔，每个小孔和其对应的输送管插接口处插入一第一气体输送管，所述第一气体输送管与所述小孔和所述输送管插接口连接处密封设置； 在所述隔离板上方一定距离设置一顶板，所述顶板与所述隔离板之间形成第一气体扩散区域。17.如权利要求16所述的方法,其特征在于:在制作气体输送板时,设置所述气体输送板靠近边缘区域的第一气体扩散槽和第二气体扩散槽的槽深度大于靠近中心区域的第一气体扩散槽和第二气体扩散槽的槽深度。18.如权利要求16所述的方法，其特征在于:制作气体输送板下表面时，设置所述纵长形气体导流条的下表面为向下凸起的弧形表面或向上凹进的弧形表面。
【专利摘要】本发明公开了一种用于化学气相沉积或外延层生长反应器的气体输送装置，包括一隔离板和一气体输送板，所述隔离板上方形成第一气体扩散区域，所述隔离板和所述气体输送板之间形成第二气体扩散区域；所述气体输送板上表面交替设置相互平行的纵长形的第一气体扩散槽和纵长形的第二气体扩散槽，第一气体扩散槽和第二气体扩散槽槽底部分别设置第一气体出气通道和第二气体出气通道，分别用于将第一气体扩散区域内的气体和第二气体扩散区域内的气体输送到处理区域内；相邻的第一气体出气通道出口和第二气体出气通道的出口之间的气体输送板下表面为弧形或尖锥形。
【IPC分类】C23C16/455
【公开号】CN105624645
【申请号】CN201410620810
【发明人】姜银鑫, 杜志游
【申请人】中微半导体设备(上海)有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年11月6日